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公开(公告)号：CN111170745A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010025210.1
申请日：2020-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/634 , C04B35/64 , C04B35/582
Abstract: 本发明公开了一种高导热氮化硅基板的制备方法。属于陶瓷材料制备技术领域。本发明采用氮化硅粉末为原料，添加稀土氧化物和碱土金属氧化物作为混合烧结助剂，加入量为6wt％～10wt％，加入高分子化合物并在有机溶剂中球磨混合形成浆料。经流延成形为坯体，在氮气中1400℃～1600℃下预烧结1-5h，再在气压烧结炉中1800℃～2000℃保温2-10h，其氮气压力为0.5-3MPa。本发明使用的氮化硅粉末为高纯α相氮化硅，具有很高的比表面积和高的烧结活性，能够有效降低致密化温度。加入的高分子含碳化合物为多组元，在惰性气氛中进行脱脂和预烧结，可提高制品热导率。制备的氮化硅陶瓷基板热导率不低于90W/m·K，抗弯强度不低于800MPa。
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公开(公告)号：CN111115592A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010023793.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米氮化硅粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。工艺过程为：(1)将正硅酸四乙酯、硝酸铵和水溶性有机物按照一定比例配制成混合溶液；(2)将混合溶液在不高于100℃的温度下加热搅拌至粘稠浆料；(3)将浆料在100℃-400℃的非氧环境中反应得到前驱物；(4)将前驱物于1300℃-1500℃的氮气气氛中反应1-10h，得到氮化硅粉体；(5)随后在空气中除去多余碳。本发明工艺简单，效率高，成本低，得到的氮化硅粉体颗粒球形度好，粒度小于100nm。
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公开(公告)号：CN110980735A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911225391.6
申请日：2019-12-04
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/949 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种短流程、用低成本微米WO3制备高性能纳米WC粉末的方法，属于粉末冶金粉末制备技术领域。具体制备方法为：以粒径30～120μm的WO3粉末和碳黑粉末为原料，按照一定配比在球磨机中进行机械混合。由于金属氧化物脆性大，只需要短时间、低转速球磨即可将微米WO3细化为粒径≤100nm的颗粒。本方法以去离子水为球磨介质，并加入表面活性剂，有效避免了球磨过程中粉末颗粒团聚的现象。因此，球磨后可获得各成分均匀分布的纳米级混合粉末。最后，将混合粉末置于真空炉中进行碳热还原-碳化反应，即可获得纳米WC粉末。本方法所需设备简单，原料价格低廉，制备过程简便、安全、周期短、能耗低，而且制备的纳米WC粉末的成分和粒径有利于调整，具有突出的工业应用优势。
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公开(公告)号：CN109676124B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201811583483.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明一种金属材料的烧结致密化及晶粒尺寸控制方法。方法为：首先对原料粉末进行解团聚处理，得到分散性好的解团聚粉末。解团聚粉末进行喷雾造粒以提高粉末流动性能和压坯密度均匀性。造粒粉末进行高压压制和冷等静压成形。压坯经过两步无压烧结后得到高致密度细晶粒难熔金属。第一步烧结是将压坯快速升温至温度T1，保温将致密度控制在75‑85％、随后降温温度T2，进行时间保温以进一步消除残余孔洞。两步烧结能够大幅度降低烧结温度，在较低温度下就能够实现金属坯体的近全致密化，而且能够有效抑制常规烧结过程中晶粒在致密化后期的快速长大，所制备的难熔金属制品接近全致密、晶粒细小且晶粒尺寸分布均匀、力学性能优异。
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公开(公告)号：CN107790738B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710968874.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备纳米W‑Re合金粉末的方法，属于粉末冶金粉末制备技术领域。具体制备方法为：以偏钨酸铵、铼酸铵、燃料、硝酸铵为原料，采用低温燃烧合成法制备氧化物复合粉末，然后使用氢气还原制得W‑Re合金纳米粉末。本发明采用的低温燃烧合成法属于液相合成法，可以达到了分子级别的混合，得到的前驱体中氧化钨、氧化铼均匀混合，还原产物为合金粉末，无需后续特殊处理。另外本方法的原料简单易得，设备简单，工艺快捷，适合进行大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110280760A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910584363.7
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种高致密度钛制品的活化烧结制备方法，属于粉末冶金技术领域。该方法首先采用流化床气流磨对钛粉进行粉体改性处理；然后通过流化工艺调节分选轮频率获得不同粒径范围的高活性钛粉；将获得的不同粒径钛粉进行模压成形；采用真空钨丝炉或高真空钼丝炉进行高真空烧结，得到高致密度钛烧结制品。通过流化-气流分级技术可获得粒径分布窄、粉末粒径可调、比表面积大、氧含量低的高活性钛粉；与未进行粉体改性处理，直接模压烧结的钛制件相比，活化处理的钛粉烧结件具有尺寸收缩性小、致密度高、抗拉强度高、塑性较好、组织均匀、晶粒细小等特点；活化处理的钛粉烧结过程中具有烧结速率高，保温时间短即可达到较高致密度。
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公开(公告)号：CN105478776B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201510922631.3
申请日：2015-12-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结制备高致密度异型纯钨制品方法的方法，属于粉末注射成形技术领域。其工艺流程为：采用气流磨对市售高纯钨粉进行分散分级处理，将处理后粉末与粘结剂混合均匀进行混炼，制得均匀喂料；喂料在经注射成形得到一定形状的坯体；将成形坯经溶剂脱脂和热脱脂后烧结得到钨制品。对粉末进行气流磨分散分级处理是在保护气氛下，气体带动粉末相互碰撞，可大批量处理粉末，且不引入杂质，经处理后的粉末粒度分布变窄，颗粒形状变规则呈近球形，松装振实密度提高，相应提高注射成形粉末装载量至55％‑70％，经1900度氢气气氛烧结后制得纯钨制品致密度高于96％。
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公开(公告)号：CN110183214A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910448895.8
申请日：2019-05-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/626 , C04B35/622 , C04B38/06 , C01B32/05
Abstract: 一种多孔空心碗形氧化铝粉体材料及氧化铝陶瓷的制备方法，属于无机材料制备领域。利用以空心碗形碳粉体为模板，将该空心碗形碳分散于一定浓度的铝盐溶液中，常温下搅拌一定时间使铝离子渗透入碳碗，进行清洗并干燥；将干燥后的粉末转移至炉中煅烧，在保护气氛中升温到、保温；不进行降温操作，直接打开法兰，通入空气，继续升温、保温，进行二次煅烧，降温，得到多孔空心碗形氧化铝粉末；将多孔空心碗形氧化铝粉末、烧结助剂按比例混合制备混合粉末：将混合粉末与粘结剂按照比例混合，制备喂料；将喂料采用注射成形技术制备出成型坯体；将成型坯体置于脱脂炉以一定升温速度升温度、保温进行脱脂；将脱脂坯在以一定速度升温烧结，保温后，制得多孔氧化铝陶瓷制品。
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公开(公告)号：CN109747023A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910067361.0
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于增材制造技术领域，涉及一种光固化喷射粘接装置及其使用方法，光固化喷射粘接装置的主体结构为工作台上设置铺粉机构、铺胶黏剂机构和光源，铺粉机构和铺胶黏剂机构相互平行，光源与铺粉机构和铺胶黏剂机构分别垂直，光固化喷射粘接装置使用方法的工艺过程包括粉层铺设、胶黏剂铺设和选区光固化三个步骤：首先，通过铺粉机构在工作台Y轴方向上的往复运动实现全工作台粉层的铺放，然后，通过铺胶黏剂机构在工作台Y轴方向上的往复运动实现全粉层上部胶黏剂的铺放，最后，通过高精度可控线光源或激光在工作台X轴方向上的移动对粉层和胶黏剂进行精确固化，实现粉末坯体的制造，剩余未粘结粉末通过脱脂烧结的方法去除残留胶黏剂。
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公开(公告)号：CN109676124A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811583483.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明一种金属材料的烧结致密化及晶粒尺寸控制方法。方法为：首先对原料粉末进行解团聚处理，得到分散性好的解团聚粉末。解团聚粉末进行喷雾造粒以提高粉末流动性能和压坯密度均匀性。造粒粉末进行高压压制和冷等静压成形。压坯经过两步无压烧结后得到高致密度细晶粒难熔金属。第一步烧结是将压坯快速升温至温度T1，保温将致密度控制在75-85％、随后降温温度T2，进行时间保温以进一步消除残余孔洞。两步烧结能够大幅度降低烧结温度，在较低温度下就能够实现金属坯体的近全致密化，而且能够有效抑制常规烧结过程中晶粒在致密化后期的快速长大，所制备的难熔金属制品接近全致密、晶粒细小且晶粒尺寸分布均匀、力学性能优异。
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