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公开(公告)号：CN112063910B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010879943.1
申请日：2020-08-27
Abstract: 本发明属于氧化物弥散强化合金制备研究领域，特别提供一种采用激光熔覆成形制备ODS铁素体基合金的方法及其应用。包括如下步骤：前驱体粉末的配置：将成分为气雾化铁素体基合金粉加入到聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液或半胱氨酸溶液中浸渍一段时间，然后选取纳米氧化物加入溶液中进行搅拌后将溶液烘干。纳米氧化物包覆铁素体合金粉末的制备：将得到的前驱体粉末放入高速搅拌加热炉中，在气氛保护的条件下，在一定温度进行高速搅拌，得到纳米氧化物包覆的铁素体基合金粉末。将纳米氧化物包覆的铁素体粉末进行激光熔覆成形为ODS铁素体基合金的方法合金。本发明为制备ODS铁素体基合金提供了新的思路，具有生产周期短、成本低、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN113984705A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111304794.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N21/3563 , G01N1/28 , G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种测定氮化铝晶格氧含量的方法，属于分析测试技术领域。所述测定氮化铝晶格氧含量的方法包括以下步骤：将含烧结助剂的氮化铝样品、石墨粉和锡、铜二元浴料加入到耐高温容器中，采用分段升温模式加热耐高温容器中的混合物，利用红外吸收光谱法分段测定氮化铝样品释放出的氧，计算氮化铝晶格氧含量。本发明利用惰性熔融‑红外吸收法准确测定氮化铝晶格氧含量，通过选择合适的坩埚、添加剂和浴料，以及设置合理的分析参数来准确测定氮化铝晶格中氧含量。该方法操作简单，易于掌握，能够有效区分测定晶格氧和其他氧含量，对于高性能氮化铝陶瓷的生产、科研及应用的质量控制提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN111926208B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010879948.4
申请日：2020-08-27
IPC: B22F1/02
Abstract: 本发明属于先进金属材料制备研究领域，特别提供了一种激光熔覆成形制备具有超细氧化物弥散相的铌基合金的方法。步骤如下：先调配适当浓度的聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液或半胱氨酸溶液，再将成分为旋转电极雾化铌基合金粉加入溶液中浸适当时间，然后加入纳米Y2O3或La2O3粉末搅拌烘干；将得到的前驱体粉末，在气氛保护的条件下，在一定温度进行高速搅拌得到纳米氧化物包覆的铌基合金粉末。将得到的纳米氧化物包覆的铌基合金粉末进行激光熔覆成形得到具有超细氧化物弥散相的铌基合合金，合金中具有粒径为5‑20nm的氧化物弥散相。本发明为制备具有超细氧化物弥散相的铌基合金提供了新的思路，具有生产周期短、成本低、操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN113444981B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110649712.6
申请日：2021-06-10
Abstract: 本发明属于先进金属材料制备研究领域，涉及一种制备ODS‑FeCrAl基合金的方法，该方法具体包括以下步骤：将纳米氧化物、聚丙烯酸和表面改性源溶于去离子水中，分散后得到悬浮溶液，再将悬浮溶液搅拌加热蒸干得到粉末状前驱体；将前驱体粉末在氩气保护状态下使用脉冲电流处理，然后在氢气中保温一段时间，得到表面改性后的纳米氧化物；将表面改性后的纳米氧化物和铁粉混合后压制成块体，得到含有纳米氧化物的预合金块；将的预合金块加入到FeCrAl基合金熔体中，经过超声波分散5‑30min后进行喷射成形得到ODS‑FeCrAl基合金。本发明得到合金中杂质含量少，纳米氧化物粒径细小且分布均匀，且合金元素少偏析甚至无偏析。
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公开(公告)号：CN113735594A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110982679.9
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的影响，制备工艺简单、高效。为高氧含量氮化硅粉体制备导热性能优异的陶瓷提供方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113636844A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110984168.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体和烧结助剂按一定比例与有机溶剂混合后，经过造粒、压制、脱脂后，首先在低温、常压、通氮气条件下预处理1～5h，随后在高温、0.9～10MPa氮气压力下进行烧结。在第一步预处理中，根据氮化硅粉体氧含量调节氧化镁烧结助剂含量，利用氧化镁与氮化硅粉体表面二氧化硅低温反应特性，烧结前降低坯体氧含量，再进行第二步气压烧结。与未经过预处理的烧结体相比，经过两步烧结的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，总氧含量和第二相含量有明显减少，可制备热导率大于90W/m·K，抗弯强度大于750MPa的氮化硅陶瓷。
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公开(公告)号：CN109047780B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810932380.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备高致密度钨烧结制品的方法，属于粉末冶金技术领域。先将钨粉用气流磨处理得到细粒径钨粉，然后将近球形的细颗粒钨粉与石蜡粘结剂均匀混合得到混料。接着采用二次冷等静压工艺，先在低压强下将混料等静压压制成一次生坯，接着在氢气氛围进行热脱脂以完全去除粘结剂，然后在高压强下将脱脂生坯等静压压制成二次生坯，采用低温缓慢升温而高温快速升温的方法烧结得到高致密度、高组织均匀性的厚钨板坯。低温烧结缓慢升温，能使坯体充分还原以降低坯体内氧含量从而保持其烧结活性，高温烧结快速升温，能减少晶粒长大，该方法解决了以往大尺寸厚钨板容易出现局部疏松、裂纹的问题，得到的钨板坯致密度达到98％以上，且能保证板坯表面和中心位置组织的均匀一致性。
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公开(公告)号：CN111115592B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010023793.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米氮化硅粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。工艺过程为：(1)将正硅酸四乙酯、硝酸铵和水溶性有机物按照一定比例配制成混合溶液；(2)将混合溶液在不高于100℃的温度下加热搅拌至粘稠浆料；(3)将浆料在100℃‑400℃的非氧环境中反应得到前驱物；(4)将前驱物于1300℃‑1500℃的氮气气氛中反应1‑10h，得到氮化硅粉体；(5)随后在空气中除去多余碳。本发明工艺简单，效率高，成本低，得到的氮化硅粉体颗粒球形度好，粒度小于100nm。
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公开(公告)号：CN112047740B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010831544.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于金刚石复合材料制备加工技术领域，涉及了一种新型氮化铝/金刚石聚晶材料的制备方法。制备方法为将氮化铝粉末、烧结助剂和导电金属粉充分混合，与金刚石/钴复合层分别进行冷压成形，再采用高温高压烧结法制备新型氮化铝/金刚石聚晶材料。制备出的氮化铝/金刚石聚晶材料结合牢固，厚度可控，磨削效率高，耐热性能好，氮化铝基体导热性能远高于传统金刚石聚晶复合片所使用的硬质合金基体，可广泛应用在汽车、航空航天、能源等领域，解决材料的高速精密加工需求。
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公开(公告)号：CN113185301A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110440666.9
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种AlON透明陶瓷的快速制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。工艺过程为：1、称取水溶性铝盐、有机燃料、水溶性有机物、以及金属硝酸盐倒入适量去离子水，搅拌制取混合溶液。2、在200‑600℃的温度下发生燃烧反应后得到Al2O3和C的前驱混合物。3、将前驱物于1200‑1700℃的氮气气氛中烧制反应得到Al2O3和AlN的混合粉体。4、将烧制后的粉体除碳后倒入石墨模具中加压。5、将石墨模具放入放电等离子烧结炉中在氮气氛围下，升温、加压。保温1‑30min。6、烧制后的陶瓷再煅烧、除碳。烧结后的透明陶瓷透光率可达75％，晶粒尺寸在1‑200μm之间，维氏硬度为15.6‑17.1GPa。燃烧合成具有自放热的优点，释放的热量可以维持反应。且反应时间短，效率高，获得的粉体比表面积大、反应活性高。
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