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公开(公告)号:CN107091687A
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201710312505.5
申请日:2017-05-05
Applicant: 重庆理工大学
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/446 , G01J2001/4466
Abstract: 本发明公开了一种APD单光子探测器电路及雪崩信号甄别方法,该电路包括直流偏置电压单元、门控脉冲发生器以及雪崩光电二极管APD,直流偏置电压单元通过第一电阻R1与雪崩光电二极管APD的阴极相连;门控脉冲发生器通过第一电容C与雪崩光电二极管APD的阴极相连;雪崩光电二极管APD的阳极通过第二电阻R2接地;雪崩光电二极管APD的阳极还依次连接有高速过零比较器和电平测量比较电路,电平测量比较电路包括检测模块,判决模块,以及信号生成模块。本发明电路结构简单,无需对脉冲进行分离,有利于降低实现的成本,提高检测速度和效率;本发明方法具有雪崩信号甄别能力强,准确率较高等优点。
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公开(公告)号:CN106768317A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201610998169.X
申请日:2016-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
CPC classification number: G01J1/44 , G01J1/0403 , G01J2001/442 , G01J2001/444 , G01J2001/446
Abstract: 本发明涉及单光子探测器,具体涉及一种单光子探测器探测效率的标定装置及方法,可直接对单光子水平光辐射进行测量,标定装置包括光学暗室、制冷型陷阱探测器、温度控制器、开关积分放大器与精密位移台,陷阱探测器的绝对光谱响应率溯源至光功率基准—低温辐射计,该标定装置具有极低的暗噪声,可在单光子水平直接对光通量进行测量,从而实现单光子探测器探测效率的直接标定。
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公开(公告)号:CN106644064A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201611188602.X
申请日:2016-12-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
CPC classification number: G01J1/44 , G01H9/004 , G01J2001/446 , G01N21/01 , G01N2021/0106
Abstract: 本发明涉及一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器,包括壳体、金属光纤及安装于壳体底部的陶瓷薄膜基板,所述陶瓷薄膜基板上设有金属载体及与金属载体电连接的电阻桥模块、裸芯片元件和无源器件,所述金属载体上设有光电二极管,所述壳体上设有开孔,所述金属光纤通过开孔插入壳体内且其端部与光电二极管呈相对设置。本发明采用精密薄膜混合集成电路技术,通过特定形状和阻值的精密薄膜板载电阻,优化设计的精密成膜导带和旁路电路布局,使电路实现小型化和高性能。引入峰化分布电容,实现产品带宽峰化和扩展,并对跨阻进行优化配对调整,可以实现多种跨阻规格系列化产品扩展开发。
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公开(公告)号:CN104515598B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410516703.X
申请日:2014-09-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01J3/28
CPC classification number: G01J1/4228 , G01J1/0437 , G01J2001/446 , H01L27/14623 , H01L27/14647
Abstract: 具有补偿光谱响应的光电二极管。光学检测器包括:配置成根据入射光的第一光谱响应函数生成第一光电流的第一组一个或多个光电二极管、配置成根据入射光的第二光谱响应函数生成第二光电流的第二组一个或多个光电二极管以及配置成根据入射光的第三光谱响应函数生成第三光电流的第三组一个或多个光电二极管。光学检测器还包括配置成基于第一光电流、第二光电流和第三光电流中的每一个光电流根据第四光谱响应函数输出入射光的强度的指示的模块。
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公开(公告)号:CN103959363B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201280059286.X
申请日:2012-12-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/20 , G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G09G3/34 , G09G3/36
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/444 , G01J2001/446 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/0418 , G06F3/042 , G09G3/3406 , G09G2310/0237 , G09G2360/145 , H01L31/105
Abstract: 本发明的一个实施方式所涉及的光传感器电路(11)的动作方法中,在使用PIN二极管(4)进行入射光的检测之前进行主复位,并且,在主复位与下一次主复位之间,进行辅助复位,从而将PIN二极管(4)的阴极端子的电位抑制在不会引起载流子存储至PIN二极管(4)的本征区域中的规定范围内。
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公开(公告)号:CN105518508A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201480041062.5
申请日:2014-11-03
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor: 阿兰·弗兰克·格拉维斯 , 多米尼克·约翰·古德威尔
CPC classification number: G02B26/0833 , G01B11/272 , G01J1/44 , G01J2001/446 , G02B6/3518 , G02B6/3556 , G02B26/0841
Abstract: 在一种实施方式中,一种微机电系统(MEMS)光子交换机包括第一多个准直器(102),所述第一多个准直器(102)包括第一准直器,第一准直器被配置成接收具有通信波长的第一通信光束以及具有控制波长的第一控制光束,其中第一准直器(102)在通信波长处的第一焦距不同于第一准直器(102)在控制波长处的第二焦距。该MEMS光子交换机还包括光耦合至所述第一多个准直器(102)的第一镜阵列(104),其中第一镜阵列(104)包括集成在第一基板上的第一多个第一MEMS镜(322)以及集成在第一基板上的第一多个第一光电二极管(324),其中光电二极管(324)被设置在MEMS镜(322)之间的填隙空间中。
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公开(公告)号:CN104054326A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201280067398.X
申请日:2012-03-29
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor: 古宫哲夫
CPC classification number: G01J1/44 , G01J1/4228 , G01J2001/4413 , G01J2001/446 , G01T1/20 , G01T1/208 , G01T1/248 , H01L27/1446 , H01L31/02019
Abstract: 根据本发明的构成,其目的在于提供一种检测精度及时间解析度得以提高的半导体光电倍增元件,其包括连接于二极管D的AD转换电路11。某二极管D检测到光子时所产生的电流一部分会流入至经由电阻而与二极管D并联连接的相邻二极管D中。此时的电流被充电至相邻的二极管D的寄生电容中且被释放。然所释放的电流会被AD转换电路11阻挡而不流向输出端子侧,亦无法使AD转换电路11导通断开。因此,根据本发明的构成,可不受到从寄生电容释放的电流的影响来对光进行检测。因此,根据本发明,可提供具有高检测精度及良好的时间解析度的半导体光电倍增元件。
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公开(公告)号:CN1020211C
公开(公告)日:1993-03-31
申请号:CN89107212.8
申请日:1989-09-16
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor: 福间俊明
IPC: G01J3/42
CPC classification number: G01J1/16 , G01J3/42 , G01J2001/4242 , G01J2001/4406 , G01J2001/446
Abstract: 一种分光光度计,它包含一光源,一将光源的光分开、交替切换成第一和第二光束使这两光束通过基准单元和采样单元的包含分光镜和分束镜的分光分束器,一交替接收来自基准单元和采样单元的光电二极管,一放大光电二极管的光电流的可变增益放大器,一与交替切换周期同步地变换且引出基准输出和采样输出成为数字值的A/D变换器,和一增益设定器,它根据来自A/D变换器的基准输出设置可变增益放大器的增益。
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公开(公告)号:CN109579985A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201811112549.4
申请日:2018-09-21
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: G01J1/4228 , G01J1/44 , G01J2001/4406 , G01J2001/446
Abstract: 本发明提供光量测定装置以及光量测定方法。具备:第一运算放大器;第一输入侧光电MOS继电器;第一输出侧继电器单元;第二运算放大器;第二输入侧光电MOS继电器,其介于第二输入侧交点与光电探测器之间而存在;第二输出侧继电器单元;和控制部,其按照光电探测器中检测到的测定对象光的光量进行切换,在选择第一测定范围的情况下,使第一输入侧光电MOS继电器以及第一输出侧继电器单元接通,并使第二输入侧光电MOS继电器以及第二输出侧继电器单元断开,在选择第二测定范围的情况下,使第二输入侧光电MOS继电器以及第二输出侧继电器单元接通,并使第一输入侧光电MOS继电器以及第一输出侧继电器单元断开。
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公开(公告)号:CN105910632B
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201610259663.4
申请日:2016-04-21
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC classification number: H01L27/14643 , A61B5/0044 , A61B5/02416 , G01J1/16 , G01J1/44 , G01J2001/4247 , G01J2001/444 , G01J2001/446 , H01L27/14609 , H01L31/02024
Abstract: 公开了一种光电检测设备和集成电路,所述光电检测设备包括发光部件,用于发出光信号;驱动电路,用于驱动所述发光部件发光;光电转换电路,用于根据接收到的光信号生成光电流信号;隔离电路,用于以隔离的方式传输所述光电流信号;环境光滤除电路,用于滤除所述光电流信号中环境光对应的电流分量输出净光电流信号;电流放大单元,用于将所述净光电流信号放大输出经放大的光电流信号;模数转换器,用于将经放大的光电流信号转换为数字信号;以及控制电路,用于根据所述数字信号输出光电检测信号。本发明的光电检测设备的电路结构适于集成,可以减小设备电路尺寸,同时,能以较小的功率运行,并具有较高的检测精度。
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