公开(公告)号：CN1599039A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410082501.5

申请日：2004-09-20

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/00

CPC classification number: C07C239/10 ,  C07D213/04 ,  G03F7/40 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供衬底处理方法，该方法包括对衬底31上形成的有机膜图案(32)进行处理的步骤，所述处理步骤依次包括：去除步骤，去除有机膜图案(32b)上形成的变质层(32a)；溶解变形处理，将有机膜图案(32)溶解变形，其中去除步骤的至少一部分通过对有机膜图案(32)实施药液处理来进行。

公开(公告)号：CN1599027A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410082410.1

申请日：2004-09-17

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67173

Abstract: 提供一种可适合进行半曝光工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施显影处理的显影处理单元(20)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的第1药液处理单元(21)、用于对基板实施药液处理的第2药液处理单元(21)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施显影处理的第1显影处理单元(20)、用于对基板实施显影处理的第2显影处理单元(20)。

公开(公告)号：CN1558293A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN200410071266.1

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1554989A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200410071264.2

申请日：2002-08-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作 ,  饭尾善秀 ,  池田雅树

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764

Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

公开(公告)号：CN1479145A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02132129.9

申请日：2002-08-30

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 桥本宜明 ,  田中宏明 ,  木村茂 ,  城户秀作

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

Abstract: 一种用来制造液晶显示器的方法，该方法提供宽视角、缩短制造过程和提供高可靠性。该方法包括形成栅极金属层、栅极绝缘层和a－硅层并且通过光刻制图形成岛的过程、形成层间绝缘膜和漏极金属层并且通过光刻制图形成漏极线的过程、形成有机的绝缘膜并且借助光刻在规定的位置形成用来提供与源极和漏极连接的有机绝缘触点的过程、以及形成透明的导电膜并且通过光刻制图形成像素电极和公共电极的过程。

公开(公告)号：CN101083208A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710106399.1

申请日：2007-05-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67225 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够适当地进行药液溶解回流处理及其后的第三除去处理(主要为再显影处理)。基板处理装置(100)一体地具有：搬送所述基板的基板搬送机构(12)；用于对配置在处理单元配置区域(3)中、对基板实施药液处理的药液处理单元；以及配置在处理单元配置区域(4)中、对基板实施气体氛围处理的其他氛围处理单元。

公开(公告)号：CN100351692C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200410100664.1

申请日：2002-07-09

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/134363 ,  B05D3/107 ,  G02F2201/48

Abstract: 将有机薄膜被覆在绝缘基片上，并使有机溶剂渗透进入该有机薄膜中，引起有机薄膜溶解，以平坦化有机薄膜。之后，在100-180℃的温度下对该平坦化有机薄膜进行热处理，以蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂。在相对低的温度，即100-180℃下蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂，可降低有机薄膜被覆的布线层上的热应力，并提供绝缘基片表面的平坦度。

公开(公告)号：CN100347612C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410082500.0

申请日：2004-09-20

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/425 ,  G02F1/1303 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供处理衬底上形成的有机膜图案的方法，其包括：第一步骤(步骤S11)，去除有机膜图案表面上形成的变质层或沉积层；和第二步骤(步骤S12和S13)，将有机膜图案的至少一部分缩小，或去除所述有机膜图案的一部分。

公开(公告)号：CN101042987A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089393.8

申请日：2007-03-23

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，能够收缩由于溶解回流处理其面积扩大的有机膜图案。该基板处理方法包括加工基板上形成的有机膜图案的有机膜图案加工处理，在有机膜图案加工处理中，按照顺序进行使有机膜图案溶解并变形的溶解变形处理(步骤S3)和除去已溶解变形的变形有机膜图案的至少一部分的第三除去处理(步骤J3)。第三除去处理的至少一部分通过对有机膜图案进行的第二药液处理(步骤S5)来进行。

公开(公告)号：CN1797216A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510135720.X

申请日：2005-12-28

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 城户秀作

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804

Abstract: 提供一种一方面可抑制制造工艺的增加及制造成本增长，另一方面制造条件的控制不会变得困难、且形成超过曝光界限这样的细小尺寸的蚀刻结构的方法；在以薄膜晶体管等半导体装置中的接触孔为代表的、通过蚀刻形成的结构的形成方法及利用该方法的显示装置的制造方法中，特别是在以利用了有机膜的溶解回流技术的接触孔为代表的、通过蚀刻形成的结构的形成方法及利用了该方法的显示装置用的薄膜晶体管基板的制造方法中，至少包括以下工艺：使含有有机膜及添加了有机溶剂的膜之中的至少任意一个、且位于被蚀刻构成要素上的有机膜形成图案，并形成具有第一开口部及第二开口部的有机掩模的工艺；和通过使上述有机掩模与有机溶剂接触，溶解并回流上述有机掩模，形成变形有机掩模的工艺。