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公开(公告)号：CN113718220A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028755.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法，包括基片和碳基纳米薄膜；碳基纳米薄膜设置在基片上，基片为铝合金基片。包括以下步骤：步骤1：安装靶位；步骤2：关闭腔室盖子，调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数；步骤3：设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝的共溅射的生长；步骤4：打开真空腔室盖板，将溅射生长结束的样品取出，得到铝掺杂碳基纳米薄膜。本发明铝掺杂碳制备碳基纳米薄膜，其通过晶粒位错滑移应变释放出sp3键的内应力，从而使得部分sp3杂化键向sp2杂化键转化，提高表面涂层的导电性降低微波传输中的损耗；由碳掺杂改性的机理分析，通过铝掺杂影响费米能级的位置进而可以有效降低二次电子发射系数。
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公开(公告)号：CN108387597B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2208
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
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公开(公告)号：CN109060854B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810695524.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种周期性孔隙介质表面二次电子发射特性确定方法，首先确定介质材料的材料特性、表面周期性孔隙特性、射频电磁场、静电荷积累场、静态磁场和初始电子信息，然后确定介质材料表面孔隙中的各个电子运动轨迹、电子与孔隙边界碰撞前运动时间，进而计算得到电子与孔隙边界的碰撞角度、碰撞能量，最后根据各个电子与孔隙边界碰撞后的二次电子出射信息，结合电子运动轨迹方程与孔隙边界条件，判断电子是否从孔隙中出射，得到周期性孔隙介质材料表面二次电子发射特性。
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公开(公告)号：CN119530717A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411438280.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制介质材料表层局域带电的方法，该方法包括介质材料，该方法是在介质材料表面引入一层纳米级厚度的半导体材料薄膜；半导体材料薄膜是由一种或一种以上的半导体材料薄膜的原料制备而成；半导体材料薄膜的原料是并五苯、8‑羟基喹啉铝、酞菁铜或富勒烯；富勒烯是C60或C70。本发明提出的方法成本低，在抑制了介质材料表层局域带电的同时插入损耗较小，在介质材料带电防护技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115261776A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210869639.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明提供了一种基于等离子体氟化抑制微波部件材料二次电子发射的方法，采用惰性气体掺杂六氟化硫放电产生的等离子体射流处理微波部件材料表面，通过在材料表面沉积含氟官能团的方式实现对材料表面的氟化处理，利用强电负性的氟元素表面沉积实现对微波部件材料二次电子发射过程的抑制。该方法所需设备简单、造价低廉、工艺流程简便、处理时间短，通过沉积含氟官能团实现氟化的方式不会显著改变材料本体介电特性，所利用的冷等离子体适用于不耐高温的聚合物介质材料，等离子体吹拂的处理方式适用于具有复杂形貌的微波部件。本技术方案在抑制微波部件微放电、提升微波部件可靠性领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748769B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250‑3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110323527A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105200390B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510603381.7
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/26 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106044757A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2004/04
Abstract: 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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