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公开(公告)号：CN110350910A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910489161.4
申请日：2019-06-06
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/20 , G11C5/14
Abstract: 本发明提供了一种基于EPROM与Pin复用用于FT trimming电路包括依次连接的Pin复用电路、EPROM IP核的电源产生电路、IIC串行接口逻辑电路和EPROM IP核，本发明的Pin复用电路利用Pin复用技术产生时钟和数据信号，EPROM IP核的电源产生电路产生EPROM正常工作的低压电源和高压电源，IIC串行接口逻辑电路产生EPROM的读写信号，实现对EPROM的读写操作，采用上述电路结构可以对芯片进行修调处理，并可应用于集成电路设计中，提高芯片设计的良率，降低设计成本，灵活的实现单次编程。
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公开(公告)号：CN110350773A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910572772.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种四开关Buck-Boost转换器的电流采样与限制电路，包括跨导放大器Gm电路、电流限制比较器COMP电路，跨导放大器Gm电路产生电路将采样电阻RSENSE上电压转换成采样电流ISENSE，并与斜坡补偿电流ISLOP进行叠加求和得到的电压VS，作为脉冲宽度调制器PWM的同相端输入，电路中的误差放大器的输出电压VC为PWM的反相端输入，电压VS与VC经PWM比较输出脉冲控制信号PWM。采样得到的电压通过COMP比较器与设定的限流阈值VR进行比较，得到电流限制信号ILIMIT，脉冲信号PWM与电流限制信号ILIMIT经或门OR得到最终的脉冲信号VPWM，控制功率管的导通与关断。采用本发明的电路结构能够对四开关Buck-Boost转换器的电感电流的峰值和谷值进行采样与限制，具有电流采样精度高、面积小的优点。
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公开(公告)号：CN109343097A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811054735.7
申请日：2018-09-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统，包括核辐射传感器、放大器、测量开关S1、限流电阻、并联忆阻器模块、忆阻器阻值信息处理电路和忆阻器复位电路模块；核辐射传感器依次通过放大器、测量开关S1、限流电阻与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器阻值信息处理电路与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器复位电路模块与并联忆阻器模块并联连接；并联忆阻器模块包括并联连接的n支反向串联忆阻器支路，每一支反向串联忆阻器支路包括串联连接的正向忆阻器和反向忆阻器，其中n为大于等于2且小于等于8的自然数。
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公开(公告)号：CN104316787B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410535909.7
申请日：2014-10-11
Applicant: 长安大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属于声表面波器件测试技术领域，公开了一种声表面波器件测试装置及其测试方法，包括矢量网络分析仪和BNC连接组件，其特征在于，还包括测试校准装置，所述BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试校准装置相连接；本发明利用BNC连接组件将矢量网络分析仪与测试器件直接连接，减小了器件测试结果的误差，节省了成本；通过双刀双掷开关选择校准端口，实现了对校准类型的选择，可根据需要开启和关闭相应的开关来选择所需的校准类型，解决了现有技术的一次校准将需多次装卸套件导致的不方便操作以及效率低的问题。
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公开(公告)号：CN105391416A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510923241.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种负载阻抗匹配装置及匹配方法，属于阻抗匹配领域。所述发明包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本发明通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103177717B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310045633.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 长安大学
IPC: G10K9/122
Abstract: 本发明公开了一种Rayleigh波与love波双模式声波产生器件，包括在同一压电基片材料上制作Love波激发叉指换能器和Love波接收叉指换能器，还包括覆盖在激发叉指换能器、接收叉指换能器和压电基片上的压电波导层，还包括制作在所述压电波导层上的Rayleigh波激发叉指换能器和Rayleigh波接收叉指换能器。该器件结构简单，便于制作，能够在同一个器件上产生Rayleigh波与love波两种模式的声波。
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公开(公告)号：CN102664197B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210181028.0
申请日：2012-06-05
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/337 , H02M7/537
Abstract: 本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。
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公开(公告)号：CN103915435A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410122689.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN102904565B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210380992.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 长安大学
IPC: H03K19/0185 , H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于DC-DC驱动的超低静态电流的电平移位电路，该电路主要解决电平移位过程中的静态损耗问题。该电平移位电路包括第一电源VCC，开关节点电压VX，第二电源VBOOT，逻辑输入端IN，逻辑输出端OUT，4个反相器INV1、INV2、INV3和INV4，12个晶体管M1-M12；晶体管M1、M2、M9、M10和M11均为5V的低压NMOS，晶体管M7、M8和M12均为5V的低压PMOS，晶体管M3、M4均为30V的高压NMOS，晶体管M5、M6均为30V的高压PMOS；由于采用具有自关断能力的30V高压PMOS，极大的减小了电路中的静态电流，使电路具有超低静态损耗功能。本发明电路简单，节省芯片面积，适用于具有开关型DC-DC转换器驱动等结构的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103813587A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410030379.0
申请日：2014-01-22
Applicant: 长安大学
IPC: H05B37/02
CPC classification number: Y02B20/42
Abstract: 本发明公开了一种具有数模混合调光功能的LED驱动电路，主要解决现有电压控制模式的电路结构输入响应速度慢，包括调光控制单元，峰值电流检测采样单元和恒定关断时间控制单元。调光控制单元通过模拟和数字两种调光方式调节流过LED上的平均电流的大小来实现亮度的调节，分别输出峰值电流检测阈值VCST1给峰值电流检测采样单元，而且输出两个使能VEN1和VEN2给恒定关断时间控制单元；峰值电流检测采样单元将比较结果输入到恒定关断时间控制单元；恒定关断时间控制单元在检测到峰值电流时，产生一个恒定的关断时间。本发明提高了输入响应速度，可实现快速的数模混合调光，可应用于LED驱动电路。
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