公开(公告)号：CN112420830A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011409291.1

申请日：2020-12-04

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 贺利军 ,  赵勃阳 ,  何承运 ,  谢治杨 ,  张金沙 ,  戚飞 ,  张楠 ,  陈伟中

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。