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公开(公告)号：CN108398241B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810087225.3
申请日：2018-01-30
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种脉冲太阳模拟器对高效晶硅电池测试的适用性评判方法，其避免使用稳态太阳模拟器解决硬件条件问题，简化评判过程，减少评判耗时。包括如下步骤：A、将高效晶硅电池放置于待评判的脉冲太阳模拟器的样品位处；B、调整所述脉冲太阳模拟器的电压扫描方向为正向，测试所述高效晶硅电池的光电转换性能，获得正向扫描最高功率Pmax正向；C、调整所述脉冲太阳模拟器的电压扫描方向为反向，测试所述高效晶硅电池的光电转换性能，获得反向扫描最高功率Pmax反向；D、计算所述正向扫描最高功率Pmax正向和所述反向扫描最高功率Pmax反向的差值Δ；E、根据所述差值Δ评判所述脉冲太阳模拟器对高效晶硅电池测试的适用性。
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公开(公告)号：CN110634964A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN110444635A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910733644.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的断栅修复方法，可以有效地将断栅处连接起来，形成良好的通路。一种太阳能电池的断栅修复方法，依次包括如下步骤：A、在太阳能电池的断栅处开槽，以去除所述断栅处的钝化层，露出硅表面；B、对所述太阳能电池进行电镀，在开槽处的硅表面和栅线上沉积导电金属膜，以使所述断栅处连通；C、清洗所述太阳能电池上残留的电镀液；D、将所述太阳能电池烘干。
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公开(公告)号：CN110246905A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910474255.4
申请日：2019-05-31
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种硅太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。通过在电池正面氮化硅层上进一步增加氧化硅层，可以降低正面膜层的反射率，提升光的利用率，通过在背面氧化铝层与硅基体之间增加氧化硅层，有利于增强氧化铝固定负电荷的作用，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果，从而提高了电池效率。
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公开(公告)号：CN110148637A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910475054.6
申请日：2019-06-02
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池减反射膜结构，涉及太阳能电池技术领域。该减反射膜结构包括依次形成在太阳能电池的硅基底上的第一膜层和第二膜层，第一膜层为氮化硅层，第二膜层为碳氧化硅层，第一膜层的厚度在50nm至70nm的范围内，第二膜层的厚度在10nm至30nm的范围内。本发明采用由氮化硅层和碳氧化硅层构成的双层减反射介质膜，通过优化膜层厚度，可以降低太阳能电池对波长500nm以下入射光的反射以及提升在800nm以上长波段的光谱响应，从而提高了电池效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112260A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910475055.0
申请日：2019-06-02
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/225
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法，包括：采用P型单晶硅片做单晶硅基底，在所述单晶硅基底正表面进行各向异性刻蚀，得到分布均匀的类倒金字塔结构；将具有类倒金字塔结构的硅片放入扩散炉中进行分步式扩散；所述分步式扩散包括温度依次升高条件下的磷源沉积和至少两个梯度的降温程序。本发明三步有序沉积的设计有利于磷源较为充分的均匀的沉积到硅片表面；降温分成两步的缓冲式降温方式，减少了硅片表面过多的磷源堆积而形成的“死层”，应用此方法得到的扩散方阻为达到理想方阻值，且均匀性较好。
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公开(公告)号：CN109968799A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910355371.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: B41F15/36 , B41M1/12 , B41M1/26 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于晶硅电池背电极的网版及晶硅电池背电极制备方法，其中，该网版可以包括用于供在P型硅片背面印刷铝浆的网版本体；设置在网版本体上、位于预设位置处的遮挡件，其中，预设位置为与P型硅片的主栅相对应的位置；遮挡件包括镂空区域和遮挡区域，其中，遮挡区域与使银浆和P型硅片直接相接触的区域相对应。本申请公开的上述技术方案，可以通过所设置的遮挡件中的镂空区域增大铝浆与P型硅片的接触面积，相应地，则可以通过遮挡件中的遮挡区域降低银浆与P型硅片的直接接触面积，因此，则可以降低P型晶硅电池在银电极位置处所产生的性能损失，进而可以提高P型晶硅电池的性能。
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公开(公告)号：CN109599448A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811528497.9
申请日：2018-12-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 苏州大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本申请公开了一种异质结太阳电池，包括衬底层、第一掺杂层、第一导电层、第一电极、第二掺杂层、第四导电层和第二电极，其中第一导电层包括位于第一掺杂层背离衬底层的表面的第二导电层和位于第二导电层背离第一掺杂层的表面的第三导电层，第四导电层包括位于第二掺杂层背离衬底层的表面的第五导电层和位于第五导电层背离第二掺杂层的表面的第六导电层，第二导电层和第五导电层均为热蒸发法形成的导电层，不会对第一掺杂层和第二掺杂层造成损伤，进一步的，第二导电层和第五导电层还分别作为形成第三导电层和第六导电层时的缓冲层，因此，消除对第一掺杂层和第二掺杂层造成的损伤。此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。
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公开(公告)号：CN109560772A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811636298.X
申请日：2018-12-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明涉及电池光衰测试系统，具体涉及一种双面电池光衰测试系统。包括上灯架、下灯架、透明玻璃平台、测试样品、支架座、控制箱和升降调节机构，所述支架座的外侧上方通过升降调节机构滑动安装有所述上灯架，所述上灯架的顶部一体式连接有上灯板，所述上灯板上安装有多个上灯管，所述支架座的内侧下方通过升降调节机构滑动安装有所述下灯架，所述下灯架的顶部一体式连接有下灯板，所述下灯板上安装有多个下灯管。本发明摆放测试样品的平台采用透明玻璃平台，能使测试样品上下表面均接收光照，样品可以正面朝上，或背面朝上，适用于多种测试方案。
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公开(公告)号：CN109494274A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811528490.7
申请日：2018-12-13
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的浮动结背面钝化晶硅电池及其制备方法，其中，该晶硅电池包括p型硅基体、位于p型硅基体背面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层背面的n型多晶硅层，隧穿氧化层与n型多晶硅层构成浮动结，浮动结的预设位置处设置有开孔，还包括：位于n型多晶硅层背面且通过开孔与裸露出来的p型硅基体相接触的金属电极；设置在n型多晶硅层与金属电极之间、及开孔内的第一介质层。本申请公开的上述技术方案，由于隧穿氧化层和n型多晶硅均可承受制备金属电极时的高温而不发生变化，且不会因高温而遭到破坏，因此，则可以减少高温烧结过程对浮动结所带来的影响，从而可以提高浮动结对晶硅电池的钝化效果。
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