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公开(公告)号：CN114050204B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202111339977.2
申请日：2021-11-12
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种P型IBC电池的制备方法。与现有技术相比，本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用，背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用，两个功能层同时制备一步完成，且无需做边缘绝缘处理，正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起，不会导致漏电；同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层，使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域，无需额外制备阻挡层；再者，利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点，对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂，将其转变为N+掺磷硅，从而实现P型IBC电池的制备，制备步骤简单，无需光刻技术，可显著降低电池成本。
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公开(公告)号：CN108321221B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201810308774.9
申请日：2018-04-09
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/054 , H01L31/0745 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有微腔结构的石墨烯太阳能电池，包括n型单晶硅，所述n型单晶硅的一面设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的n型单晶硅表面设置第一石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的区域的第一石墨烯薄膜层表面设置氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜表面设置第二石墨烯薄膜层，在位于所述二氧化硅层通孔的四周区域的第一石墨烯薄膜层表面设置前电极，所述n型单晶硅的另一面设置金属薄膜背电极。本发明利用石墨烯/氮化硅/石墨烯微腔的调控光子吸收效率，实现石墨烯硅基太阳能电池转换效率电池的提高，具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN115241303A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110445224.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种背结晶硅电池及其制备方法，所述背结晶硅电池包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线；其中，所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上，所述正面金属栅线为周期性的分段结构，单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极，其中，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本发明的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤，也无需高温的硼扩；而且银电极的遮光面积小，从而提高硅片的光吸收效率。
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公开(公告)号：CN115241302A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110445223.9
申请日：2021-04-23
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法，MWT电池包括：P型硅基底，形成有贯穿式开孔；正面钝化减反层，形成于所述P型硅基底正面；背面钝化接触层，形成于所述P型硅基底背面；背面介质保护层，层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上；电池正极，填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层；以及电池负极，形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触；其中，所述电池正极为铝电极，并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。本发明的MWT电池在硅基底的开孔中实现电荷的收集，无需正面副栅，可以进一步改善MWT电池的光吸收，提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN114142790A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111181121.7
申请日：2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H02S10/10 , H02N1/04 , H01L31/048 , A45F3/04
Abstract: 本发明提供一种背包及发电机构，包括背包体及设于背包体上的发电机构，发电机构包括IBC太阳能电池，IBC太阳能电池具有位于其背面的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极上下设置；发电机构还包括：摩擦片，其和IBC太阳能电池的背面接触且能够相对IBC太阳能电池上下移动，摩擦片由得电子能力大于第一电极和第二电极的绝缘材料制成；其中，发电机构至少具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦片和第一电极接触而脱离第二电极；在第二状态时，摩擦片和第二电极接触而脱离第一电极。本发明的背包具有光伏发电功能，能够将使用者行走时产生的机械能转换为电能，具有较高的电能输出功率。
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公开(公告)号：CN113992118A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111181104.3
申请日：2021-10-11
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
Abstract: 本发明提供一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置，包括太阳能电池，太阳能电池包括位于其上层的第一透明导电薄膜，装置还包括能够允许光线透过且能够弯曲变形的摩擦层及第二透明导电薄膜，摩擦层位于第一透明导电薄膜的上方，第二透明导电薄膜覆于摩擦层的上表面，装置具有第一状态和第二状态，在第一状态时，摩擦层弯曲并和第一透明导电薄膜接触；在第二状态时，摩擦层脱离第一透明导电薄膜。本发明的一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置在晴天和雨天均能够发电，能够充分利用雨滴的动能，且具有较高的发电功率。
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公开(公告)号：CN110634964B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112420855A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011279813.0
申请日：2020-11-16
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片，包括：P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极；其中，P型硅基体具有铝掺杂区域，正面电极与所述P型硅基体的所述铝掺杂区域形成金属接触。铝掺杂区域的制备相较于传统方法，制备过程简单，制备过程温度低，避免体少子寿命降低，保证了电池片的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109742243A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910156062.4
申请日：2019-03-01
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN109698249A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201910034142.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 常熟理工学院 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公开了制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法。本发明通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。
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