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公开(公告)号：CN110321780B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910364298.7
申请日：2019-04-30
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于时空运动特性的异常摔倒行为检测方法。在基于图像信息的条件下，提炼体现人体姿态的五点倒立摆模型，进而构建体现时间、空间双特性的运动标准时空模型；再以标准时空图为基础，应用动力学原理研究运动本质特征，构建定轴运动模型，以旋转能量实现特征量化，构建摔倒行为、正常行走或站立态的特征编码数据集并进行训练，形成二类分类器，用于对处理后的实时采集的视频数据进行识别，判断是否为异常摔倒行为。本发明采用单视角场景，算法实时性更强，避免了多视角在场景融合方面的同步性等难题；以旋转能量为特征，避免了形态类特征对于顺向摔倒姿态的局限性，提升了检测有效性，对典型摔倒姿态具有较好的普适性。
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公开(公告)号：CN112799285B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911115004.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光电性。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号：CN109932869B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201711375723.X
申请日：2017-12-19
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种数字光刻方法，包括以下步骤：包括以下步骤：S1：生成三维形貌数据；S2：沿着竖直方向将三维形貌数据分切成N层二维矢量图数据；S3：将二维矢量图数据转换成二维数字化像素图像；S4：将二维数字化像素图像分割成n条等间距的基础长条带图像数据；S5：根据分切层数N，分割的条数n，对分割后的基础长条带图像数据重组，形成新的长条带图像数据；以及S6：将新的长条带图像数据上载至成像设备进行逐条带扫描光刻。本发明的数字光刻方法能够方便地形成大尺寸微结构形貌的光学薄膜。本发明还涉及一种数字光刻系统。
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公开(公告)号：CN112799285A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911115004.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，工作台驱使基片在平面内沿设定路径移动曝光电性。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号：CN111999984A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910448289.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n条新条带；S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组，实现子条带分辨率的增强，从而达到光刻分辨率增强的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109901295A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711295321.9
申请日：2017-12-08
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G02B27/01
Abstract: 本申请涉及光波导膜、具有光波导膜的抬头显示器、彩色抬头显示器和抬头显示系统。所述光波导膜包括：贴合面，用于通过粘合剂与基材表面贴合；以及功能面，与贴合面相对，包括将光线耦合入光波导膜的耦合区以及用于将光线输出的出射区。基材可实现全反射，基材与光波导膜的功能面之间构成光波导。
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公开(公告)号：CN109407479A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710713385.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种激光直写对焦装置，包括微调机构、承载平台和成像系统，微调机构与承载平台相对设置，微调机构包括微调驱动器、活动架和位移传感器，成像系统包括直写镜头，微调驱动器、位移传感器、直写镜头分别与活动架连接。本发明的激光直写对焦装置能保证直写镜头与光刻板的距离在直写镜头的焦深范围内，能解决光刻板厚度变化较大的情况下无法自动对焦的问题。本发明还涉及一种激光直写对焦方法。
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公开(公告)号：CN108728790A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710263831.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种AMOLED用金属掩膜板的制造方法，包括步骤：选取导电基板；在导电基板的表面涂布一层光刻胶；使光刻胶光刻出与金属掩膜板的蒸镀孔相对应的光刻胶图形，但光刻出的光刻胶图形的尺寸大于金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸；在带有光刻胶图形的导电基板上进行电铸过生长，使金属材料的生长厚度大于光刻胶图形的厚度，金属材料同时将光刻胶图形的四周边缘覆盖，直至光刻胶图形未被金属材料覆盖的开口区域的尺寸与金属掩膜板的蒸镀孔的设计尺寸一致；去除导电基板上残留的光刻胶。上述金属掩膜板的制造方法只需要一次图形光刻和电铸工艺便可加工成型，工艺简单，成本低廉，而且是通过在带有光刻胶图形的导电基板上电铸过生长出金属掩膜板，因此精度更高。
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公开(公告)号：CN106681106B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710206374.2
申请日：2017-03-31
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70383 , G03F7/70408 , G03F7/7045
Abstract: 一种混合光刻系统，包括光源、光束整形器、光场调制器、反射镜、成像光学系统和位相器件，光束整形器用于整形光源发出的光束；光场调制器用于将整形后的光束生成图形光；成像光学系统和反射镜用于将光场传递至待曝光的光刻件表面实现直写光刻；位相器件用于在光刻件的表面形成干涉曝光场实现干涉光刻。本发明的混合光刻系统具有直写光刻和干涉光刻两种功能，可进行混合光刻，提高了纳米光刻效率，推动微纳结构相关的器件和材料应用具有重要意义。本发明还涉及一种的混合光刻方法。
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公开(公告)号：CN106646691A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611125124.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种菲涅尔器件的制作方法，其包括以下步骤：1)图像3D建模；2)将建模后的3D图，按照菲涅尔的变化规律进行量化处理；3)通过等高投影或等宽投影进行像素微结构模拟；4)像素化拼接；5)通过光刻工艺至整个图像光刻完成；6)通过转移工艺将模板转移到应用材料上。本发明还提供了一种菲涅尔器件的制作装置。本发明与现有技术相比，可以实现任意形状的菲涅尔器件；且尺寸不受限制，通过拼版等工艺，可以做大尺寸的菲涅尔器件；且该方法降低了成本。
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