公开(公告)号：CN102763222A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010336.0

申请日：2011-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  第一工业制药株式会社

Inventor： 平野浩一 ,  小松慎五 ,  齐藤恭辉 ,  池直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明利用简易的工艺来实现薄膜晶体管中的金属氧化物膜的形成。在具有栅电极、源电极、漏电极、沟道层及栅绝缘层的场效应晶体管的制造方法中，使用如下的含有金属盐的组合物来进行所述沟道层的形成，即，包含：金属盐、具有-C(COOH)＝C(COOH)-顺式结构的多元羧酸、有机溶剂、以及水，多元羧酸相对于金属盐的摩尔比为0.5以上4.0以下。

公开(公告)号：CN102548895A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980161771.6

申请日：2009-09-28

Applicant: 第一工业制药株式会社

Inventor： 齐藤恭辉 ,  池直树

IPC: C01B13/14 ,  C01B13/32

CPC classification number: C01G25/02 ,  C01G3/00 ,  C01G3/02 ,  C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  C01G23/04 ,  C01G33/00 ,  C01G37/027 ,  C01G39/02 ,  C01G49/02 ,  C01G53/04 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/82 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283

Abstract: 本发明的目的在于提供可应用于多种金属原料且能够用于形成与溅射法相同程度的致密、均匀的金属氧化物被膜的含金属盐的组合物、使用该含金属盐组合物而得到的表面形成有金属复合体膜的基板、通过对该基板再进行加热而得到的表面形成有金属复合体膜的基板。本发明的目的还在于提供这样的表面形成有金属复合体膜的基板的制造方法。本发明中，使用涂布法将含金属盐的组合物涂布于基板上，所述含金属盐的组合物含有金属盐、具有顺式结构的多元羧酸和溶剂，其中，多元羧酸对金属盐的摩尔比为0.5以上4.0以下，水分含量为0.05重量％以上。然后，进行两阶段的加热处理。

公开(公告)号：CN101087011A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710110221.4

申请日：2007-06-08

Applicant: 第一工业制药株式会社

Inventor： 齐藤恭辉 ,  菊田学 ,  河野通之

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01G9/20 ,  H01G9/022 ,  H01M14/00

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种廉价并且高性能、实用性高的光电转换元件。本发明是具备半导体电极、对向电极、保持于所述两极之间的电解质层的光电转换元件，所述电解质层作为氧化还原对含有以上述通式(1)表示的化合物。(式(1)中，M+是有机或无机阳离子，A是芳香族、非芳香族、杂芳香族或杂非芳香族的环式化合物。)