公开(公告)号：CN109715298A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057556.6

申请日：2017-09-19

Applicant: 尼蓝宝股份有限公司

Inventor： L.R.布罗克韦 ,  D.C.沃尔瑟

IPC: B05D1/26 ,  E04F15/02

CPC classification number: F28F13/187 ,  B05D5/02 ,  B05D7/52 ,  B05D2202/25 ,  B05D2350/63 ,  B05D2506/15 ,  B82Y30/00 ,  C03C17/25 ,  C03C17/42 ,  C03C2217/75 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  F28F2245/02 ,  F28F2245/04

Abstract: 提供了从表面喷射冷凝流体的液滴的涂料组合物。所述涂料包括纳米结构化涂层并且在一些实施方案中还包括沉积在上面的疏水层。涂料材料在诸如空气的非冷凝气体存在下从表面喷射液滴并且可以在有待喷射的冷凝流体的过饱和状态下展开。本文描述了利用所述涂料的热交换器设计。

公开(公告)号：CN102893368B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201080066799.4

申请日：2010-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  剑桥企业有限公司

Inventor： 山下嘉久 ,  K·K·班戈 ,  H·斯林格霍斯

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的一个方面涉及一种用于制造非晶金属氧化物半导体的方法。在实施例中，通过作为开始要素的混合溶液在基板上沉积膜。例如，所述混合溶液在溶剂中至少包括醇铟和醇锌。通过在例如包括其端点值的210至275摄氏度的温度范围下在水蒸气气氛中的热退火来固化由在所述基板上的所述混合溶液制造的膜。

公开(公告)号：CN105209177A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480011962.5

申请日：2014-02-06

Applicant: 恩基科技股份有限公司

Inventor： B.L.布罗菲 ,  S.马苏迪 ,  P.J.尼曼 ,  P.R.贡萨尔弗斯 ,  J.G.希尔施 ,  Y.S.杨

IPC: B05C1/08

CPC classification number: B05D1/28 ,  B05C1/003 ,  B05C1/025 ,  B05C1/0817 ,  B05C1/083 ,  B05C1/0834 ,  B05C1/0847 ,  B05C1/0856 ,  B05C1/0878 ,  B05C1/0882 ,  B05C11/025 ,  B05C11/06 ,  B05C11/1042 ,  B05D3/002 ,  B05D3/007 ,  B05D3/08 ,  B05D3/142 ,  C03C17/00 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/265

Abstract: 公开了包括流涂和辊涂的涂覆装置，其可用于对衬底例如玻璃、太阳能面板、窗或电子显示器的一部分涂覆均匀的溶胶凝胶涂层。本发明还公开了用于制备衬底、流涂和辊涂的方法。最后公开了用于利用高温气刀对沉淀到玻璃衬底的表面上的溶胶凝胶涂层进行表皮固化的系统和方法。

公开(公告)号：CN105027240A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480011233.X

申请日：2014-01-06

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  德光永辅 ,  尾上允敏 ,  宫迫毅明

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C01G33/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01B1/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。

公开(公告)号：CN104160456A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380011944.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  李金望

IPC: H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288 ,  H01L29/247

Abstract: 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

公开(公告)号：CN104072131A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410054008.6

申请日：2014-02-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01B3/448 ,  C23C18/1283 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物的制造方法及其用途。该用于形成铁电薄膜的组合物的制造方法为PZT薄膜形成用组合物的制造方法，其特征在于，在0℃～10℃温度下对PZT薄膜形成用组合物前驱体进行至少30天的时效处理，所述PZT薄膜形成用组合物前驱体通过使相对于100质量%的组合物前驱体用原料以氧化物浓度换算包含23～38质量%的PZT前驱物质的组合物前驱体用原料与高分子反应而获得。

公开(公告)号：CN103778995A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410053173.X

申请日：2014-02-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 石岳

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B13/0026 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  C23F1/00 ,  H01B1/04 ,  H01B13/30

Abstract: 本发明提供了一种基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，包括：在石墨烯透明导电薄膜上制备二氧化硅衬底，从而得到基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜。本发明实施例所述的基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，在石墨烯透明导电薄膜上制备二氧化硅衬底，避开了现有技术中的难以实现的石墨烯转移步骤，可以方便的制备基于二氧化硅衬底的石墨烯透明导电薄膜，同时可降低成本。

公开(公告)号：CN103160815A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210029451.9

申请日：2012-02-08

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 徐为哲 ,  谢东坡 ,  蔡松雨

IPC: C23C18/00 ,  C23C22/00

CPC classification number: C23C18/12 ,  B05C3/02 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/125 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295

Abstract: 一种化学水浴法镀膜设备，包括化学水浴法镀膜设备，包括第一盖板、第二盖板与溶液出入装置。第一盖板与第二盖板对应设置，构成镀膜空间。溶液出入装置位于第一盖板中，供溶液进出镀膜空间。溶液出入装置的位置为固定或可以在镀膜空间内移动。

公开(公告)号：CN101356119B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200780001316.0

申请日：2007-07-31

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 相马贡 ,  土屋哲男 ,  熊谷俊弥 ,  塚田谦一 ,  小柳邦彦 ,  海老泽孝 ,  大津英彦

IPC: C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C30B7/06 ,  C30B29/22 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: C01G1/02 ,  C01G3/006 ,  C01P2002/82 ,  C01P2006/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  C30B7/02 ,  C30B29/22 ,  H01L39/2425 ,  H01L39/2451

Abstract: 本发明的目的是提供在进行金属有机化合物的热分解及超导物质的热处理形成时，效率高地制造性能得以改善的大面积的超导材料的方法。本发明涉及一种超导材料的制造方法，其特征在于：在经过下述的工序(1)、(2)和(3)来制造外延生长的超导涂敷材料时，当在工序(1)和工序(2)之间照射激光时，从涂布有形成超导物质的金属的有机化合物溶液的一面的相反侧的面照射激光，其中工序(1)是将氧化物形成超导物质的金属的有机化合物溶液涂布在支持体上并使其干燥的工序，工序(2)是使金属的有机化合物中的有机成分热分解的准烧成工序，工序(3)是进行向超导物质转化的正式烧成工序。

公开(公告)号：CN102884667A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180023469.1

申请日：2011-04-04

Applicant: 以赛亚·O·奥拉迪吉

Inventor： 以赛亚·O·奥拉迪吉

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525

CPC classification number: C23C18/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785 ,  H01L29/22 ,  H01M4/139 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M2300/0068

Abstract: 制造离子传导膜的方法包括使用初级无机化学品，其优选是水溶性的；用合适的溶剂配制该溶液，所述溶剂优选为去离子水；并使用喷雾沉积系统在加热的基材（优选在100至400℃下）上喷雾沉积该固体电解质基质。沉积步骤后进行锂化或添加锂，随后在优选为100至500℃的温度下进行热处理以获得高锂离子传导无机固态电解质。将电解质并入锂离子蓄电池中。锂离子蓄电池包括：包含选自LiMn204、LiMnNiCoA/02、LiCo02、LiNiCo02和LiFePO4的材料的阴极；包含选自Li、Li合金和掺杂Li的金属氧化物的材料的阳极；和选自LixAlz.y[GanB1-n]ySw(P04)c、LixAlz-y[GanB1-n]ySw(B03)c、LixGez-ySiySw(P04)c和LixGe(z-y)SiySw(B03)c的固体Li离子传导电解质，其中4