转移方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1983514A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200610100303.6

    申请日:1997-08-26

    Abstract: 本发明提供一种剥离方法,包括:从基板剥离脱离件,其中:剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射;以所述多束光束中的第一光束照射第一区域;以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分;以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90%高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠,或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外,提供了相应的转移方法,以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。

    强电介质存储装置及其制造方法以及混载装置

    公开(公告)号:CN1216425C

    公开(公告)日:2005-08-24

    申请号:CN01802788.1

    申请日:2001-08-21

    CPC classification number: H01L27/11502 G11C11/22 H01L27/11585 H01L27/1159

    Abstract: 一种强电介质存储装置,包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分,其中,存储单元阵列在基体上矩阵形地排列存储单元,包括第1信号电极,沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极,至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层,其特征在于:上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中,上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中,在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层,上述表面修饰层配置在没有形成上述存储单元的区域中,该表面修饰层的表面。

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