薄膜晶体管的制造方法、电光学装置和电子仪器

    公开(公告)号:CN1719584A

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:CN200510076107.5

    申请日:2005-06-08

    Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法,包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法,其中半导体膜薄膜的形成方法包括:在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序,而栅电极的形成方法包括:配置含导电性材料的液滴的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。

Patent Agency Ranking