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公开(公告)号:CN1267871C
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200410043406.4
申请日:1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的,显示装置包括:衬底;以及布置在衬底上的多个象素,该多个象素中的各象素包括:象素电极;以及设置在象素电极和一个对置电极间的有机半导体膜,该半导体膜由包含多个绝缘层的绝缘膜包围。
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公开(公告)号:CN1719584A
公开(公告)日:2006-01-11
申请号:CN200510076107.5
申请日:2005-06-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/208 , H01L21/336
Abstract: 本发明的目的是提供一种通过简易且廉价的工序以亚微数量级的精度形成薄膜晶体管用的栅电极和半导体膜的技术。本发明提供的薄膜晶体管的制造方法,包括半导体膜薄膜的形成方法和/或栅电极的形成方法,其中半导体膜薄膜的形成方法包括:在基板上配置包含半导体材料的液滴(14)的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出半导体材料来形成半导体膜(16)的工序,而栅电极的形成方法包括:配置含导电性材料的液滴的工序;使液滴干燥,通过在该液滴的至少周边部析出导电性材料来形成栅电极的工序。
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公开(公告)号:CN1577735A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410062828.6
申请日:2004-06-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H05K3/46
CPC classification number: H01L51/0022 , H01L21/76877 , H05K3/4053 , H05K3/4644 , H05K2203/013
Abstract: 一种形成多层互连结构的方法,其中第一导电层和第二导电层经由绝缘层叠加,第一导电层和第二导电层通过形成在绝缘层中的通孔互相连接。所述方法包括以下步骤:在衬底上形成第一导电层;在所述第一导电层上形成带有触孔的绝缘层;利用液滴排放装置用导电材料填充所述触孔,以便形成接触导电材料;以及形成第二导电层以便连接到所述接触导电材料。
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公开(公告)号:CN1538363A
公开(公告)日:2004-10-20
申请号:CN200410043406.4
申请日:1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的,显示装置包括:衬底;以及布置在衬底上的多个象素,该多个象素中的各象素包括:象素电极;以及设置在象素电极和一个对置电极间的有机半导体膜,该半导体膜由包含多个绝缘层的绝缘膜包围。
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公开(公告)号:CN1169015C
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN97190551.7
申请日:1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , B05C5/00 , G02F1/1333 , C01G19/00
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 借助于涂敷液体后进行热处理,形成构成TFT的绝缘膜、硅膜及导电膜中的任一种薄膜。利用旋转涂敷器(102),把从涂敷液保管部(105)供给的、包含薄膜成分的液体旋转涂敷到基板上。在热处理部(103)中,对涂敷了涂敷液的基板进行热处理,在基板上形成涂敷膜。进而,进行激光退火等,提高结晶性、致密性、或粘附性中的任一种膜质。借助于以油墨喷射方式涂敷这种涂敷液及保护液,可提高药液的使用效率,并且,可以形成图形化了的涂敷膜。本发明的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT,大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号:CN1529350A
公开(公告)日:2004-09-15
申请号:CN200310119996.X
申请日:1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种薄膜场效应晶体管的制造方法,包括以下步骤:在一个衬底上形成栅电极;在所述栅电极上形成栅绝缘膜;通过喷墨印刷方法在所述绝缘膜上形成半导电层;和在所述半导电层上形成源极和漏极接触。本发明的方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT,大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号:CN1585107B
公开(公告)日:2010-04-14
申请号:CN200410071374.9
申请日:2004-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H05K3/46
CPC classification number: H05K3/0017 , H01L21/76802 , H05K3/4644 , H05K2203/0582
Abstract: 一种形成多层互连结构的方法,包括:在不损坏衬底的情况下在各层之间可靠连接的接触孔。柱状掩模材料形成在使用抗蚀剂形成接触孔的位置中,层间绝缘薄膜被涂敷到除了掩模材料之外的衬底的整个表面上。然后,掩模材料使用诸如剥离的方法移除。结果,由此产生的孔被用作接触孔。
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公开(公告)号:CN100585882C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200510091746.9
申请日:2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号:CN100530760C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200610144630.1
申请日:1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件,以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素,其满足公式a>d/4,d/2<b<5d,c>t0和c>d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度,c为堤的高度,b为要被涂敷的区域的宽度,而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径,t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法,包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤,并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法,包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理,并进行含氟气体的等离子体处理。
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公开(公告)号:CN100517424C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200410043407.9
申请日:1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的,显示装置包括:一个对置电极;以及多个象素,多个象素中各象素包括:象素电极;以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜,其中,除了在形成端子的区域外,所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。
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