一种Ca<base:Sub>3</base:Sub>Si合金材料及其高温高压制备方法

    公开(公告)号:CN106744980A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611025733.6

    申请日:2016-11-01

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种Ca3Si合金材料及其高温高压制备方法,属于合金材料制备领域。所述的Ca3Si合金材料中,Ca和Si的成分摩尔比为3~3.5:1,空间群为,晶格常数为4.8336Å,Si原子占据四个顶点,而Ca原子在立方体的6个面心,其制备方法为:以Ca粉和Si粉为原料,Ca粉和Si粉的摩尔比为3.0~3.5:1,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得Ca3Si合金材料,压力为5~15 GPa,合成温度为1200~2000K。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低和产品组分易控制等优势,所得的立方相Ca3Si块状合金,产品纯度较高,结合紧密,有较好的产业化前景。

    一种Ag包裹介孔SiO<sub>2</sub>导电粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN106601373A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201710032779.9

    申请日:2017-01-18

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01B13/00 H01B1/16

    Abstract: 本发明公开了一种Ag包裹介孔SiO2导电粉体的制备方法。以介孔SiO2粉体为载体,银盐为前驱体,加入油酸形成均匀的油酸盐包裹体,然后在保护气氛中于500℃~600℃热分解得到Ni/SiO2导电粉体。本发明得到的Ag颗粒小于20nm,在介孔SiO2载体上分散均匀,具有良好的导电性能。本发明制备过程无需还原剂,绿色环保,原料方便易得,操作简便,达到工业化的要求。

    一种立方相Ca3Si合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN106319269A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201610935975.2

    申请日:2016-11-01

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种立方相Ca3Si合金及其制备方法,包括以下步骤:(1)将Ca粉和Si粉按比例在Ar保护气氛下混合均匀,得到混合物;(2)将所述混合物,在Ar气保护气氛下放入球磨罐中,将球磨罐密封好,避免氧气进入;(3)将步骤(2)中准备好的球磨罐,放入球磨机中以一定的转速进行球磨,使粉末充分反应,得到均匀的混合粉体;4)将步骤(3)中得到均匀的混合粉体取出,装入所需规格的不锈钢模具中,采用真空等离子烧结的方式进行真空烧结压片,即得立方相Ca3Si片状或块状合金材料。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低等优势,所得的立方相Ca3Si片状或块状合金,产品纯度较高,结合紧密,有较好的产业化前景。

    一种立方相Ca2Si热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106116587A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610455051.2

    申请日:2016-06-22

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种立方相Ca2Si热电材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:(1)将Ca粉和Si粉按比例在Ar保护气氛下混合均匀,得到混合物;(2)将混合物、研磨球和不锈钢球磨罐以及电子天平放入充有一个大气压Ar的手套箱中,在手套箱中精确称量后,放入球磨罐中,将球磨罐密封好,避免氧气进入,而后从手套箱中取出球磨罐;(3)将步骤(2)中准备好的球磨罐,放入球磨机中以一定的转速进行球磨,使粉末充分反应;(4)将步骤(3)中反应好的粉末取出,装入所需规格的不锈钢模具中,采用真空等离子烧结的方式进行真空烧结压片,即得立方相Ca2Si片状或块状热电材料。本发明具有工艺简单,操作容易,成本低等优势,所得的立方相Ca2Si片状或块状材料,产品纯度较高,结合紧密,有较好的产业化前景。

    一种Cu掺杂立方相Ca2Si热电材料

    公开(公告)号:CN106098922A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201610452327.1

    申请日:2016-06-22

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: H01L35/14 C01B33/06 H01L35/34

    Abstract: 本发明公开了一种Cu掺杂立方相Ca2Si热电材料,其是将Ca粉、Si粉和Cu粉在Ar气保护气氛下混合均匀后,将所得混合物粉末与研磨钢球在Ar气保护气氛中放入真空不锈钢球磨罐中密封,经球磨反应后采用等离子烧结的方式进行真空烧结压片,即得片状Cu掺杂立方相Ca2Si热电材料。由于Cu元素具有和碱土金属类似的性质,当Cu元素加入后,容易取代Ca位,作为施主掺杂,提供导电电子作为载流子,从而提高材料的电导率与热电性能。本发明具有工艺简单、操作容易、成本低等优势,所得Cu掺杂立方相Ca2Si热电材料纯度较高,结合紧密,有较好的产业化前景。

    一种Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105220119A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510704558.2

    申请日:2015-10-27

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射,其中,一靶位放Mg2Si靶,电源选用射频电源;另一靶位放Ag单质靶,电源选用直流电源;先镀一层Mg2Si,接着镀Ag层,再镀一层Mg2Si,以此为一周期;按此周期循环溅射多次,制备得到具有叠层结构的薄膜;最后采用真空退火获得Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势,可在制备热电薄膜的生产上推广使用。

    一种WS2纳米片/生物玻璃微球复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113384744B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110679363.2

    申请日:2021-06-18

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种WS2纳米片/生物玻璃微球复合材料及其制备方法。采用液相超声剥离法制备薄层WS2纳米片,随后溶胶‑凝胶法结合液体模板法制备生物玻璃微球,最后采用超声方法制备WS2纳米片/生物玻璃微球复合材料。本发明利用超声的作用使WS2纳米片与生物玻璃微球复合,该方法可控性强,操作简单。本发明中WS2纳米片与生物玻璃微球结合力强、组分分布均匀且工艺简单、成本低。由于制备的WS2纳米片/生物玻璃微球复合材料具有近红外光热性质,因此展现出优异的抗菌性。又由于该复合材料具有高的比表面积,在体液中迅速诱导磷灰石沉淀的生成,具有很高的生物活性。本发明具有重大的产业化前景与医学应用价值。

    一种LATP包覆的高压尖晶石LNMO正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113451569A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110719872.3

    申请日:2021-06-28

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种LATP包覆的高压尖晶石LiNi0.5Mn1.5O4正极材料及其制备方法,将Li2CO3,NiO,MnO加入到玛瑙球磨罐中,添加无水乙醇使其混合均匀,形成悬浊液,经过球磨后得到浆料;浆料经过烘干后进行预烧得到LiNi0.5Mn1.5O4正极材料前驱体粉末;再将LATP前驱体粉末与LiNi0.5Mn1.5O4正极材料前驱体粉末混合末经加热搅拌混合均匀后,进行第二次烧结,得到正极材料。本发明通过两步固相法对石LiNi0.5Mn1.5O4正极材料进行LATP包覆,使得LiNi0.5Mn1.5O4正极材料表面形成一层LATP保护膜,以达到增强材料的比容量、倍率性能、循环性能的目的。

    一种高生物活性MXene/生物玻璃微球复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN113398327A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110677667.5

    申请日:2021-06-18

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明公开了一种高生物活性MXene/生物玻璃微球复合材料的制备方法。采用原位合成氢氟酸刻蚀法制备MXene,随后溶胶‑凝胶法结合模板法制备生物玻璃微球,最后用静电自组装法制备MXene/生物玻璃微球复合材料。由于MXene表面具有特殊的表面基团,包括羟基(‑OH)、氧(‑O)或氟(‑F)等极性基团,与生物玻璃复合后,这些基团可以作为活性位点,能够促进羟基磷灰石沉淀量的增加,并且MXene具有高表面电荷性(负Zeta电位超过‑40 mV),能够更快吸附体液中的Ca、P等离子,加快羟基磷灰石沉淀的生成,因此MXene/生物玻璃微球复合材料具有很高的生物活性。

Patent Agency Ranking