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公开(公告)号：CN105274484B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510704585.X
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Sb掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Sb元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Sb元素的均匀性。本发明具有工艺简单、重复性好、原材料利用率高等优势，不仅能够实现掺杂可控，还能有效优化薄膜结构和提高薄膜的热电性能。
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公开(公告)号：CN105220119A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510704558.2
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，其中，一靶位放Mg2Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Ag单质靶，电源选用直流电源；先镀一层Mg2Si，接着镀Ag层，再镀一层Mg2Si，以此为一周期；按此周期循环溅射多次，制备得到具有叠层结构的薄膜；最后采用真空退火获得Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，可在制备热电薄膜的生产上推广使用。
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公开(公告)号：CN105220118A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510704525.8
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Al掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。在本底真空度为6.5×10-4～1.0×10-5Pa，工作气体为高纯Ar气，工作气压为0.1～5.0Pa的条件下，采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，一靶位放Mg2Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Al单质靶，电源选用直流电源；先镀Mg2Si层，接着镀Al层，再镀Mg2Si层；按此周期循环多次，从而得到具有叠层结构的薄膜，最后采用真空退火获得Al掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有工艺简单、成本低等优势，可满足大规模生产需要。
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公开(公告)号：CN105200382A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510704624.6
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制备得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Ge掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Ge元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Ge元素的均匀性。本发明具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，具有重大的工业应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105200382B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510704624.6
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制备得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Ge掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Ge元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Ge元素的均匀性。本发明具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，具有重大的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN105220118B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510704525.8
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Al掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。在本底真空度为6.5×10‑4～1.0×10‑5 Pa，工作气体为高纯Ar气，工作气压为0.1～5.0 Pa的条件下，采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，一靶位放Mg2Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Al单质靶，电源选用直流电源；先镀Mg2Si层，接着镀Al层，再镀Mg2Si层；按此周期循环多次，从而得到具有叠层结构的薄膜，最后采用真空退火获得Al掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有工艺简单、成本低等优势，可满足大规模生产需要。
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公开(公告)号：CN105274484A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510704585.X
申请日：2015-10-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Sb掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Sb元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Sb元素的均匀性。本发明具有工艺简单、重复性好、原材料利用率高等优势，不仅能够实现掺杂可控，还能有效优化薄膜结构和提高薄膜的热电性能。
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公开(公告)号：CN208239208U
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201820603883.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 福州大学至诚学院
IPC: G01N3/12
Abstract: 本实用新型提供一种简易板料成形试验装置，包括底座，所述底座上固定连接若干竖直设置的支撑杆；所述支撑杆的顶端固定连接有水平设置的定模板；所述支撑杆上还滑动连接有一个水平设置的动模板，其中所述动模板和定模板中间均开设有模孔，且所述定模板的下壁上以模孔为中心设有一个环形凸块，所述动模板的上壁上开设有一个与环形凸块适配的环形凹槽。本实用新型方便装夹板料，可以很好的完成板料的成型试验。
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