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公开(公告)号：CN104883135A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510221909.4
申请日：2015-05-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电阻反馈式噪声消除宽带低噪声跨导放大器，属于集成电路领域。该放大器为差分输入/输出结构，包括电阻反馈输入级、电流镜放大级级、噪声消除辅助级、负阻级；射频信号VRF+由输入级输入，然后分为两路的信号流向：主路径上，经过输入管转化为电流信号，然后经过电流镜的放大和负阻管的倍增作用，信号传递到输出节点Iout+；噪声消除辅助路径上，输入信号经过反相器的转化，转为信号电流传递到输出节点Iout-，两路差分电流信号为等幅反向信号。本发明可以在较宽的频带内显著提高跨导放大器的增益，改善噪声、线性度性能。
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公开(公告)号：CN108801164A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810614616.6
申请日：2018-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明公开了一种基于激光测试工件缝隙值的方法及系统，用于解决现有缝隙测量中存在的测量精度低、自动判断能力不足的问题，包括有阶差缝隙判定方法和无阶差缝隙判定方法。有阶差缝隙判定方法为利用缝隙判定参数判断激光线扫描传感器测得二维轮廓数据中是否具有连续的三个平面，且中间的平面位于左右平面的下方，若存在则物体具有有阶差缝隙，缝隙大小等于轮廓数据中中间平面的长度值，即第一个平面与第二个平面交点B1和第二个平面与第三个平面交点C1的X轴数值的差值的绝对值。无阶差缝隙判定则通过逐点比较相邻两点的X轴数值大小是否大于缝隙距离判定参数，若存在相邻两点间距离D大于缝隙判定参数，则被测物体具有无阶差缝隙，缝隙大小等于D。
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公开(公告)号：CN105305981B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510855712.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种线性化宽带低噪声放大器，由两部分对称电路构成，两部分电路均包括：输入匹配级、共栅级、有源反馈级、负载级；该放大器为差分输入/输出结构，射频信号Vin+/‐输入后，经输入匹配宽带滤波，被共栅晶体管转化为电流信号，然后经过放大后在负载级转化为输出信号Vout+/‐；源极跟随器和反馈电容将输出信号Vout+/‐反馈到共栅晶体管的输入端；源极跟随器采用NMOS/PMOS互补结构来获得低的二阶、三阶扭曲分量，以减小对低噪放的非线性贡献；本发明在较宽的频带内显著提高放大器的线性度、维持小的噪声指数和功率消耗。
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公开(公告)号：CN104935264B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510293677.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无电感器型宽带低噪声跨导放大器(LNTA)，具备高线性和抗阻塞干扰特点，属于集成电路领域。该放大器为差分输入/输出结构，包括共栅输入级、电流镜放大级级、噪声消除辅助级；射频信号Vin+/‑输入后，分为两路的信号流向：主路径上，经过共栅输入管转化为电流信号，然后经过电流镜的放大作用，信号传递到输出节点Iout+/‑；辅助路径上，输入信号经过反相器的转化，转为信号电流传递到输出节点Iout+/‑，两路信号电流同向叠加、噪声反向抵消。采用NMOS/PMOS镜像互补对称结构来获得电流复用效果和好的线性度，本发明可以在较宽的频带内显著提高跨导放大器的增益，改善噪声、线性度、以及阻塞干扰性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107338372A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710494703.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C22C21/00 , C22C1/05 , C22C26/00 , C22C32/0084 , C22C2026/002
Abstract: 本发明公开了一种放电等离子烧结的铝基复合制氢材料的制备方法，该法由Al粉、Bi粉和碳材料球磨后，经放电等离子烧结（Spark Plasma Sintering，简称SPS烧结）而制成。这三种原料的质量比为2.85:0.09:0.06，其中碳材料分别为碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯、活性炭、石墨中的一种或多种。其制备方法包括以下步骤：1）球磨过程，称取Al粉、Bi粉和碳材料加入到球磨罐中，再加入磨球，密封后进行球磨；2）取出混合均匀的铝基复合制氢材料装入石墨模具放入SPS腔体中进行SPS烧结，制得所需材料。本发明具有以下优点：1.制备方法快速、节能、环保；2.通过SPS烧结来破除Al粉表面的氧化膜、促进Al-H2O反应，提高其产氢性能；3.所得材料抗氧化性能好。因此，在便携式移动氢源等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107777661B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201711161209.6
申请日：2017-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B3/08
Abstract: 本发明公开了一种Al‑LiCl‑Bi2O3铝基复合制氢材料的制备方法，该材料由铝粉和添加物经机械球磨混合而成。添加物由LiCl和Bi2O3混合而成；铝粉的质量百分比为50‑95%，添加物质量百分比为5‑50%。所述铝基复合制氢材料制备方法包括：1）按比例分别称取铝粉、LiCl和Bi2O3加入球磨罐中，再按球料比，加入磨球，密封，罐中充入氩气保护；2）将球磨罐放入球磨机球磨，设定球磨转速，球磨时间；3）最后取出所制得的铝基复合材料。本发明具有产氢性能好，成本低廉，工艺简单，并且在便携式移动氢源、燃料电池供氢的等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106603013B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201611094284.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种CMOS互补结构的混频器电路，包括：四个跨导输入级以及本振脉冲整形级；当VLO+、VLO‑为高、低电平时，第一、第二跨导输入级接收VRF+、VRF‑电压信号，将差分射频电压信号放大后传递到VIF+、VIF‑端口；当VLO+、VLO‑电平翻转后，差分信号从VRF+和VRF‑端口分别经过第四、第三输入跨导级放大后传递到VIF‑、VIF+端口；本振脉冲整形级将单端正弦本振信号整形为差分矩形本振信号，等效地降低了对正弦本振信号功率的要求，缓解了本振端口隔离度的设计压力；跨导输入级采用CMOS互补结构，获得电流复用的效果，降低功耗；并可获得二阶非线性的补偿效果，降低二阶互作用扭曲的影响。
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公开(公告)号：CN106253854B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610630786.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种具有本振相位失配补偿功能的混频器电路，包括：第一跨导输入级、第二跨导输入级、第一开关混频级、第二开关混频级、第一失配补偿级、第二失配补偿级、输出负载级、第一电感和第二电感；所述第一跨导输入级、第二跨导输入级接收RF电压信号，将RF电压信号转换为电流信号；第一开关混频级、第二开关混频级由本振信号LO控制，对电流信号进行周期性换向，将频率从射频变换到中频，完成频率变换；输出负载级，对高频信号进行滤波抑制，并将相应的中频电流信号转换为输出IF电压信号；第一失配补偿级、第二失配补偿级，对本振失配信号进行检测，来反馈补偿本振开关切换时间对电路性能的恶化。
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公开(公告)号：CN107777661A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711161209.6
申请日：2017-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01B3/08
Abstract: 本发明公开了一种Al-LiCl-Bi2O3铝基复合制氢材料的制备方法，该材料由铝粉和添加物经机械球磨混合而成。添加物由LiCl和Bi2O3混合而成；铝粉的质量百分比为50-95%，添加物质量百分比为5-50%。所述铝基复合制氢材料制备方法包括：1）按比例分别称取铝粉、LiCl和Bi2O3加入球磨罐中，再按球料比，加入磨球，密封，罐中充入氩气保护；2）将球磨罐放入球磨机球磨，设定球磨转速，球磨时间；3）最后取出所制得的铝基复合材料。本发明具有产氢性能好，成本低廉，工艺简单，并且在便携式移动氢源、燃料电池供氢的等领域具有广阔的应用前景。
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