一种基于SOI工艺的RC电路触发双向ESD保护电路

    公开(公告)号:CN108922886A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810970939.9

    申请日:2018-08-24

    Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD:Electro-Static discharge)保护领域,具体提供一种RC电路触发的双向ESD保护电路;该电路能够基于SOI工艺实现,通过将改进后的桥式整流电路加入RC触发的ESD保护电路中使得该电路有RC触发的ESD保护电路的特点同时能实现双向保护;该双向ESD保护电路,当ESD事件到达时,钳位器件有很低的触发电压能够快速开启泄放ESD电流,而在电路正常工作时,钳位器件的触发电压较高无法触发,因此保持高阻状态;同时,该保护电路适用于被保护输入端口有正负电压输入的情况,且适用于较窄的ESD设计窗口。

    一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件

    公开(公告)号:CN108598076A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810314659.2

    申请日:2018-04-10

    Abstract: 本发明属于集成电路静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护领域,具体提供一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件;本发明基于HBT器件结构,采用基极浮空设计,作为ESD保护器件使用时,HBT的发射极(阴极)接地,基极浮空,集电极(阳极)接芯片的输入输出端(I/O)或电源端;本发明中HBT器件采用基极浮空设计,使触发HBT器件开启的雪崩击穿电压由现有不可调的BVCBO变为可调的基极开路发射结雪崩击穿电压BVCEO,即能够通过调节发射结面积有效调节触发电压;并且,由于基极浮空,能够缩小ESD保护电路的版图面积,特别是采用多个HBT器件并联使用时,尤其能够有效缩小ESD保护电路的版图面积。

    放大器用超级电容器式电池供电系统

    公开(公告)号:CN103997086B

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201410192237.4

    申请日:2014-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统,包括供电模块,其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源,均包括两组串接的超级电容器组;充电模块,包括正、负电源充电器,它们的电源输入端分别连接外部交流电源,正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端;智能充放电控制模块,输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息,控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电,实现对音频功率放大器的不间断供电,并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰,改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。

    放大器用超级电容器式电池供电系统

    公开(公告)号:CN103997086A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410192237.4

    申请日:2014-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统,包括供电模块,其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源,均包括两组串接的超级电容器组;充电模块,包括正、负电源充电器,它们的电源输入端分别连接外部交流电源,正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端;智能充放电控制模块,输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息,控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电,实现对音频功率放大器的不间断供电,并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰,改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。

    一种半导体晶圆级的减薄制备及柔性封装方法

    公开(公告)号:CN117650058A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311661337.2

    申请日:2023-12-06

    Abstract: 发明提出了一种半导体晶圆级的减薄制备技术并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于:在原晶圆钝化焊点处通过电镀形成金属柱,再通过旋转涂胶等方法,在已形成金属柱的晶圆正面上形成一层聚酰亚胺柔性封装层,此后通过化学机械抛光将聚酰亚胺柔性封装层研磨至裸露出金属柱,之后便可进行晶圆背面减薄与晶圆正面植球等工艺,完成晶圆级柔性封装。本发明最大限度减小了柔性芯片的寄生参数,并实现了规模化晶圆级柔性芯片封装,大幅提高了生产良率。本发明属于半导体技术领域。

    一种MOS型超结功率器件的终端结构

    公开(公告)号:CN113517336A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110793513.2

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域,公开了一种MOS型超结功率器件的终端结构,从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区,终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层;本发明提供的MOS型超结功率器件的终端结构,降低了终端区内电荷不平衡的影响,增强了终端区内部的电场强度,提升了终端区的耐压水平。本发明适用于各种电子产品。

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