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公开(公告)号：CN105678352A8
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201511019163.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC: G06K17/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超高频RFID的远距离高速数据传输系统，包括：上位机、阅读器以及电子标签；所述电子标签包括：直流电源模块、DC-DC模块、ADC模块、FPGA芯片、调制解调电路、天线；本发明采用的有源超高频电子标签识别距离可达百米量级，实现远距离数据传输，ADC将高速传感器输入的高速数据信号中的模拟信号转换为数字信号，FPGA将该数据存入内部SRAM中，再以相对较低的无线数据传输速率将数据发送给阅读器；并且阅读器并且采用循环发送读取命令方式，一次读取命令只读取少量的数据，待阅读器接收到发生的数据后，再发送下一条读取命令读取下一组数据，直到完成全部数据的传输，提高了数据传输的可靠性，并大大提升数据传输效率。
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公开(公告)号：CN103116735B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310088342.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种无源标签标志位电路，具体包括：标志位控制信号，标志位输入信号，第一开关，第二开关，第一反相器，第二反相器，缓冲器，第一NMOS管，第二NMOS管，电容。本发明的标志位电路可实现标志位掉电保持，实现电子标签在多阅读器环境的盘存、读写，避免阅读器对同一标签的重复访问；该电路在标志位控制信号S和标志位输入信号P保持状态不变时，标志位电路没有从电源到地的电流，并且电路无放大器或比较器，达到无静态功耗，进而减小电路的功耗，适用于对功耗要求较高的无源电子标签中。
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公开(公告)号：CN102622645B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210092832.1
申请日：2012-03-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种RFID电子标签射频前端，包括：四个射频输入输出端、两个模拟信号输出端、一个数字信号输入端、整流电路、解调电路和调制电路。本发明的射频前端具有四个射频输入输出端，采用该射频前端的电子标签芯片可与两个互相独立的标签天线连接组成双天线电子标签，只要两个标签天线其中的任意一个接收到足够的射频信号，电子标签就会上电工作。同样，只要有任意一个标签天线发射的信号被RFID阅读器接收到，标签就能被RFID阅读器识别。采用该射频前端的电子标签在空间中的各个角度均具有较高的灵敏度，与单天线的电子标签相比，识别盲区大大减少。
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公开(公告)号：CN103618550A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310522054.X
申请日：2013-10-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明公开了一种电容阵列型的逐次逼近模数转换器及控制方法，所述转换器具体包括采样保持电路、比较器以及控制逻辑，采样保持电路包括采样开关和电容阵列数模转换器。本发明通过改变电容阵列的连接方式，在开关第一次、第二次及第三次动作过程中，电容阵列模数转换器不消耗能量，并且在之后的动作过程也明显较现有技术中电容阵列模数转换器消耗的能量小，并且可以推广到任何分辨率的电容阵列型逐次逼近模数转换器中，其适用的范围更广，能量消耗更小，更具有实用性。
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公开(公告)号：CN102004939A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010568305.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种用于超高频射频识别标签芯片的解调电路。本发明针对现有的采用栅极接地的MOS管替代高阻值电阻带来的动态范围较小的缺点，提出的一种解调电路，包括过压保护电路、均值产生电路。该解调电路通过把均值产生电路中的第一PMOS管的栅极与过压保护电路中的第一NMOS管的栅极相连接，当第一PMOS管的源极电位升高或降低时，由于第二PMOS管和第二电阻的分压作用，使第一PMOS管的栅极电位自适应的随其源极电位的变化而变化，从而使第一PMOS管的栅源电压绝对值保持稳定，确保在大输入动态范围下第一PMOS管具有稳定的等效电阻值，进而使本发明的解调电路相对于现有的解调电路具有较大的输入动态范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106253854A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610630786.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
CPC classification number: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种具有本振相位失配补偿功能的混频器电路，包括：第一跨导输入级、第二跨导输入级、第一开关混频级、第二开关混频级、第一失配补偿级、第二失配补偿级、输出负载级、第一电感和第二电感；所述第一跨导输入级、第二跨导输入级接收RF电压信号，将RF电压信号转换为电流信号；第一开关混频级、第二开关混频级由本振信号LO控制，对电流信号进行周期性换向，将频率从射频变换到中频，完成频率变换；输出负载级，对高频信号进行滤波抑制，并将相应的中频电流信号转换为输出IF电压信号；第一失配补偿级、第二失配补偿级，对本振失配信号进行检测，来反馈补偿本振开关切换时间对电路性能的恶化。
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公开(公告)号：CN105305981A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510855712.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种线性化宽带低噪声放大器，由两部分对称电路构成，两部分电路均包括：输入匹配级、共栅级、有源反馈级、负载级；该放大器为差分输入/输出结构，射频信号Vin+/‐输入后，经输入匹配宽带滤波，被共栅晶体管转化为电流信号，然后经过放大后在负载级转化为输出信号Vout+/‐；源极跟随器和反馈电容将输出信号Vout+/‐反馈到共栅晶体管的输入端；源极跟随器采用NMOS/PMOS互补结构来获得低的二阶、三阶扭曲分量，以减小对低噪放的非线性贡献；本发明在较宽的频带内显著提高放大器的线性度、维持小的噪声指数和功率消耗。
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公开(公告)号：CN103701411A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310690674.4
申请日：2013-12-13
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明公开了一种具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器，包括基准源、电容充放电电路、第一比较器、第二比较器和SR锁存器；所述基准源的基准电流与电容充放电电路连接，基准源的基准电压分别与第一比较器的同相输入端和第二比较器的同相输入端连接；第一比较器的反相输入端和第二比较器的反相输入端，分别与电容充放电电路连接；第一比较器的输出端与SR锁存器的R端连接，第二比较器的输出端与SR锁存器的S端连接。本发明所述具有温度和工艺自补偿特性的CMOS松弛振荡器，可以克服现有技术中成本高、可靠性低和工艺偏差大等缺陷，以实现成本低、可靠性高和工艺偏差小的优点。
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公开(公告)号：CN103425177A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210165187.1
申请日：2012-05-25
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括：电流源核心电路、电流偏置电路、偏移电压电路和输出级单元，其特征在于，所述电流源核心电路的第五端和第六端分别接至外部的第一相对电压和第二相对电压，所述第一相对电压和第二相对电压的差值作为偏移电压，所述偏移电压随着温度变化基本保持恒定，并且该偏移电压随工艺变化的趋势与载流子迁移率相反。本发明的基准电流源通过在电流源核心电路中引入一个偏移电压改变MOS电阻两端的电压的温度系数，与载流子迁移率的温度系数相互补偿，可以实现零温度系数的输出电流。本发明的基准电流源还具有工艺补偿的特性，减轻工艺偏差对电流源精度的影响。
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公开(公告)号：CN103116735A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310088342.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明公开了一种无源标签标志位电路，具体包括：标志位控制信号，标志位输入信号，第一开关，第二开关，第一反相器，第二反相器，缓冲器，第一NMOS管，第二NMOS管，电容。本发明的标志位电路可实现标志位掉电保持，实现电子标签在多阅读器环境的盘存、读写，避免阅读器对同一标签的重复访问；该电路在标志位控制信号S和标志位输入信号P保持状态不变时，标志位电路没有从电源到地的电流，并且电路无放大器或比较器，达到无静态功耗，进而减小电路的功耗，适用于对功耗要求较高的无源电子标签中。
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