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公开(公告)号：CN111111695A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911274094.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为CdxZn1-xS，x＝0.2～0.8，形貌为三维分等级花状结构，单个花体大小为2～3μm，花瓣厚度为2.5～3.5nm。本发明锌硫镉光催化材料从三方面提高光催化活性：首先，三维分等级花状结构的锌硫镉具有较大的比表面积，能提供大量的光催化还原反应活性位点；其次，花瓣较薄的锌硫镉具有较高的捕光效率，能吸收和利用更多的可见光；最后，三维分等级花状结构的锌硫镉禁带宽度在2.4eV左右，导带位置较二氧化碳还原电位更负，有利于促进光生电子在体系中的迁移，延长光生载流子的寿命，提高体系的光催化活性。
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公开(公告)号：CN107416888B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710728146.1
申请日：2017-08-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种纳米氧化铜的制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：1)在三聚磷酸盐为模板添加剂的条件下，铜盐与氢氧化物反应生成氢氧化铜沉淀；2)步骤1)得到的氢氧化铜沉淀经水热反应生成黑色沉淀；3)步骤2)得到的黑色沉淀离心分离，烘干，得到所述纳米氧化铜。本发明以三聚磷酸盐为晶核生长的模板，控制晶核的生长方向，在碱性条件下通过水热反应制得形貌新颖的纳米氧化铜，方法简便，反应时间短。
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公开(公告)号：CN109320232A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811326214.2
申请日：2018-11-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/457
CPC classification number: C04B35/457 , C04B2235/3203 , C04B2235/3284 , C04B2235/442 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/96
Abstract: 一种微波介质用陶瓷材料及其制备方法，本发明将复合氧化物Li1.6Zn1.6Sn2.8O8作为微波介质陶瓷用材料，该种陶瓷的介电性能优异，相对介电常数为9.83～11.24，Q×f为45400～59800GHz，谐振频率温度系数为-6.87～-9.17ppm/℃。该种陶瓷作为低介微波陶瓷，其τf值近零并且Q×f较高，无需进一步调节τf值便可满足微波线路对其温度稳定性的要求。该种陶瓷经固相反应法制备，工艺简单，烧结温度低于1150℃，易于进一步降低烧结温度以用于LTCC技术。本发明微波介质陶瓷材料的原料来源丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可作为电子线路基板、介质谐振器、滤波器、高频卫星微波器件基板与微带线的制造材料使用，在电子线路、微波移动通信、卫星通信、雷达系统领域上具有重要应用前景及经济价值。
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公开(公告)号：CN107437430A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710656313.6
申请日：2017-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器，第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器，用于存储相反的数据，即存储点Q和存储点QB的数据；第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8用于控制读操作，第三NMOS管MN3、第三PMOS管MP3、第四NMOS管MN4、第四PMOS管MP4用于提高写能力。本发明改善了写数据的能力，使用新的写操作的方法，使得数据很容易写进单元中，大幅度提升了写裕度；同时本发明采用读写分离结构，使得读噪声容限达到最大化，本发明可以工作在亚阈值区，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN117964360B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410068516.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电损耗和低的谐振频率温度系数，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，通过引入Mn元素，使材料发生姜泰勒效应，晶体结构发生畸变，阻碍离子迁移，增强了陶瓷的结构稳定性；最终，本发明利用姜泰勒效应改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波陶瓷的介电性能，获得了介电常数为20.689，Q×f＝50807.9，谐振频率温度稳定系数为‑22.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119696579A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411828834.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域，具体涉及一种基于忆阻器的片上可调非均匀量化模数转换器；包括忆阻器阵列单元、输入信号转换电路、输出信号控制转换电路和片上调整电路；输入信号转换电路，用于连接原始输入信号和参考电压，将输入信号与参考电压进行幅值转换；忆阻器阵列单元，用于接收转换后的输入信号与参考电压，并将参考电压分压形成多个参考电压节点；输出信号控制转换电路，用于连接多个参考电压节点，并输出形式为总线形式的数字信号；片上调整电路，用于对忆阻器阵列单元进行选通调节，通过上述方式，实现对数据的非均匀量化，并有效降低量化噪声。
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公开(公告)号：CN116768616B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310528910.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为：Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00
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公开(公告)号：CN117080754A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311131863.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于吸透一体材料技术领域，涉及频率选择表面雷达吸波体(Frequency Selective Rasorber，FSR)，具体提供一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体。本发明由上方的三维吸收结构与底部的二维频率选择表面(FSS)两部分构成，在三维吸收结构中采用导电油墨阻抗薄膜代替集总电阻对入射电磁波进行吸收；同时，底部通过二维频率选择表面结构以在工作频带实现低插入损耗的透波带；本发明提供的频率选择吸波体的吸波带在X波段和Ku波段，兼具较宽的吸波带宽和较小的插入损耗，并且具有尺寸小、易于灵活装配等优点，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN116768626A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310180379.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。
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公开(公告)号：CN112851346B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110211647.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种超低损耗铌酸锆镁体系微波介质陶瓷材料及制备方法，化学通式为Mg1‑xCuxZrNb2O8,0＜x≤0.1，其晶相为纯相MgZrNb2O8；微波介质陶瓷材料由MgO、CuO、ZrO2、Nb2O5按照化学通式Mg1‑xCuxZrNb2O8,其中0
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