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公开(公告)号：CN107146761B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710312918.3
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/4763 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜及其制备方法，该方法，包括采用液相外延在[111]晶向的钆镓石榴石(GGG)上生长的高质量单晶钇铁石榴石(YIG)作为基片，以及所述的YIG基片上利用分子束外延(MBE)技术生长很薄的一层铋得到钇铁石榴石/铋异质薄膜。该方法简单可行的，所制得的钇铁石榴石/铋异质薄膜相对于无铋薄膜的钇铁石榴石(YIG)的磁光克尔转角显著增大；本发明相比在YIG中铋的置换掺杂，制备工艺简单，为异质结型磁光材料的制备与研究提供了一种新的方法，在光通信、磁光存储等众多领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN110319929A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910589122.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 电子科技大学 , 东莞豪泽电子科技有限公司
Abstract: 一种基于光致变色效应的紫外线辐射累计计量方法，属于光电信息材料及器件技术领域。首先，制备无定型二氧化钛纳米管阵列薄膜作为显色薄膜，取N个相同条件下制备的显色薄膜，在相同功率的紫外光下照射不同的时间，得到N个显示不同颜色的比色卡；然后计算得到对应的辐射量，得到颜色与辐射量之间的对应关系；最后，将同一批次的无定型二氧化钛纳米管阵列薄膜在待测光下照射一定时间，得到的薄膜与比色卡进行对比，即可得到待测光中紫外线的累计辐射量。本发明实现了环境中紫外线的累计照射量的测试，且方法操作简便、不需要电源、可循环使用、便携且成本低，适用范围广。
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公开(公告)号：CN106316396B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610712456.X
申请日：2016-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种石榴石结构低温烧结微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料由主料和玻璃相助烧剂构成，其中主料的重量百分比为98％～100％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0％～2％，所述主料为Ba2LiMg2V3O12，所述玻璃相助烧剂由原料按照摩尔比ZnO：P2O5：MnO2＝13:6:1配制。本发明得到的微波介质陶瓷材料为石榴石结构，具有烧结温度低、介电常数低、品质因数较高、温度稳定性优异等特点，为微波介质元器件向高频化、集成化、LTCC化发展提供了一种有效解决方案。
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公开(公告)号：CN110098451A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910329401.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于极化电流调控的自旋波移相器，属于磁振子器件技术领域。所述自旋波移相器包括自旋波波导4、位于自旋波波导上方的铁磁层1、位于铁磁层1之上的重金属层2、以及与重金属层两端相连用于通入电流的两个电极3，其中，所述自旋波波导4与铁磁层1之间存在间隔，所述铁磁层的长边与自旋波波导的传输方向垂直，所述铁磁层为非对称结构，以产生形状各向异性。本发明基于极化电流调控的自旋波移相器是通过SOT效应实现调控的，所需电流强度较小；与现有极化电流调控铁磁材料的翻转相比，本发明的铁磁层弛豫结果依赖于自身的形状各向异性，仅需通入短暂的电流脉冲即可实现，效率和能耗均更具优势。
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公开(公告)号：CN108560035A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810015175.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 一种低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法，属于异质结薄膜制备技术领域。本发明以TiO2纳米管阵列为基底，通过浸泡的方式使醋酸锌前驱液进入纳米管内部，再经热处理使醋酸锌在纳米管内原位热分解，并以TiO2纳米管为模板在管壁内外形成ZnO&TiO2异质结。本发明方法操作简单，成本低，可实现大规模工业化生产，得到的异质结的光催化性能相对于TiO2纳米管阵列薄膜有显著地增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106887484B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201710237269.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了种铋金属纳米柱/石墨烯异质结高灵敏度光电探测器,采用分子束外延技术,运用固液气过程,在硅基片上以锡诱导生长铋纳米柱,然后转移单层石墨烯并且经过光刻,镀电极得到所述光电探测器。经测试知暗电流很小,在模拟太阳光光照下光电流强度高;且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点,在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108179455A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810015642.7
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
CPC classification number: C25D11/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/1216 , C23C18/1245
Abstract: 一种Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法，属于半导体纳米结构的制备技术领域。首先，采用阳极氧化法制备出高度有序、致密排列的二氧化钛纳米管阵列，然后通过浸泡的方式使乙酸铜前驱液进入纳米管内部，最后通过热处理使前驱体分解，得到p型Cu2O纳米颗粒并装载于纳米管管壁，形成了具有可见光响应的Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列异质结薄膜。本发明方法简单、成本低、重复性好、可大规模生产等优点，得到的异质结在光催化、传感器和太阳能电池方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106098673B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610427727.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544
Abstract: 该发明公开了一种用于集成电路芯片自毁结构，结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。具有结构和工艺要简单，安全性、稳定性更高，应力集中的优点。
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公开(公告)号：CN104987056B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510387961.7
申请日：2015-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/495 , C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种新型的铁电‑铁磁复合材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。包括铁磁相和铁电相，铁磁相的含量为30～99wt％，铁电相的含量为1～70wt％；铁磁相为改性的NiCuZn铁氧体，主要成分及含量为：氧化铁65～68wt％，氧化亚镍7～10wt％，氧化锌17～19wt％，氧化铜6～8wt％，碳酸锂0.5～1.5wt％，五氧化二钒2～4wt％；铁电相为铋系类钙钛矿铁电陶瓷，通式为An‑1Bi2BnO3n+3，A为Bi、Nd、Sm、W中的一种或两种，B为Ti、V中的一种或两种，n＝1～5。本发明在无需添加烧结助剂的情况下实现材料在低温下的高致密化，既能很好地适应LTCC工艺，又能在一定程度上减少磁性能和介电性能的损失。
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公开(公告)号：CN106784064A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611095712.1
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , C22C28/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0264 , C22C28/00 , H01L31/18
Abstract: 一种GeBi合金薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括P型硅衬底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅衬底之上的厚度为150～660nm的GeBi合金薄膜。本发明通过控制锗源、铋源的温度和生长时间，制备得到了铋含量高达32.8％的GeBi合金薄膜，远远超过了GeBi合金的最大固溶率，有效提升了薄膜的导电性能；本发明制备得到的GeBi合金薄膜的应用波长范围可完全覆盖C波段和L波段，且截止波长超过2.3μm，可广泛应用于红外光电探测器。
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