公开(公告)号：CN117793758B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410200431.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 雷世文 ,  陈丰恺 ,  张靖悦 ,  高银 ,  胡皓全 ,  杨伟 ,  田径 ,  孙凯 ,  陈波 ,  何子远

IPC: H04W24/02 ,  H04W52/30 ,  H04W52/46 ,  H04B7/145

Abstract: 本发明公开了一种RIS辅助NOMA系统中多变量联合优化方法，属于无线通信技术领域。本发明包括：获取非正交多址接入NOMA通信系统中基站、可重构人工表面RIS和用户的相对位置，并结合基站阵列天线结构、RIS无源阵列结构构建基站到RIS、RIS到用户的信道；以最大化通信系统的合速率为优化目标构建基站总发射功率优化模型；采用交替迭代法对基站总发射功率优化模型进行优化求解，得到通信系统最优的功率分配、基站阵列信号激励和RIS无源阵列激励。本发明结合实际工程条件与需求构建基站总发射功率优化模型，采用交替迭代法求解通信系统最优的功率分配、基站阵列信号激励和RIS无源阵列激励，其降低了发射功率优化处理的计算复杂度，提高了通信系统响应速度。

公开(公告)号：CN117393614A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311585613.1

申请日：2023-11-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 彭博 ,  黄锦 ,  孙凯 ,  于淼 ,  贾仁需 ,  张玉明

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于电场调控磁性的氧化镓异质结二极管及其制备方法；该二极管包括：第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极和Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构；Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构自下而上包括：N型β‑Ga2O3衬底、N型β‑Ga2O3外延层和P型NiO层；N型β‑Ga2O3外延层靠近P型NiO层的一侧设有Mn离子注入子层；Mn离子注入子层和P型NiO层相接触；第一欧姆接触电极位于Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构上表面，第二欧姆接触电极位于Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构的下表面；本发明通过调控加在第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极上的电压，实现了一种基于电场调控磁性的氧化镓异质结二极管。

公开(公告)号：CN117326859A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311089242.8

申请日：2023-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王帅 ,  李颉 ,  孙凯 ,  邬春阳 ,  陈一鑫 ,  刘颖力

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子材料领域，具体提供一种高磁导率与高介电常数的低线宽铁氧体材料及其制备方法，该铁氧体材料作为基板材料应用于微波器件中能够实现微波器件的小型化和高性能化。本发明通过成分调控得到NiCuZn铁氧体材料：Ni0.6Cu0.224Zn0.176‑xTi2xFe1.392‑xO3.992尖晶石铁氧体材料，其中，高Ni含量离子取代能够使材料在1MHz～10MHz频段内具高磁导率特性(磁导率μ'≥180)，Ti离子取代能够使材料在1MHz～300MHz频段内具有高介电常数特性(介电常数ε'≥25)；同时，缺铁配方防止了Fe2+离子的生成，降低了Fe2+离子带来的磁损耗，使材料具有较低的铁磁共振线宽(ΔH≤135Oe)；最终得到高磁导率、高介电常数与低铁磁共振线宽的微波基板材料，用以实现微波器件的小型化和高性能化，满足高频传输的应用需求。

公开(公告)号：CN117282645A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311193606.7

申请日：2023-09-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 卢冰 ,  王帅 ,  李颉 ,  孙凯 ,  陈一鑫 ,  刘颖力

IPC: B05D7/24 ,  C04B35/40 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  B05D1/00 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04

Abstract: 本发明属于电子材料领域，提供一种低铁磁共振线宽高介电常数铁氧体厚膜材料及其制备方法；首先，采用Bi‑Ca‑Sn‑Zr离子取代的YIG铁氧体材料作为基础，利用传统的固相烧结法制备Y2.0‑xBi1.0CaxFe5‑2xSnxZrxO12铁氧体材料，成分中的Bi‑Ca离子取代可以提升材料的介电常数，使材料在1MHz～500MHz频段内具高介电常数特性(介电常数ε'≥20)，成分中的Sn‑Zr离子取代促进材料降低磁晶各向异性和损耗，并改善材料的内应力和气孔对铁磁共振线宽的影响，降低铁氧体在高频段的磁损耗，使材料具有较低的铁磁共振线宽(ΔH≤100Oe)；然而，采用甩胶工艺制备铁氧体厚膜材料，并通过在磁场取向下退火成型得到具有低铁磁共振线宽、高介电常数的铁氧体厚膜材料，满足微波器件的需求。

公开(公告)号：CN116387788A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310660182.4

申请日：2023-06-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙凯 ,  马于超 ,  柳家浩 ,  郭俊雷 ,  刘思豪 ,  陈波 ,  杨德强

IPC: H01P5/18 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明属于微波器件技术领域，具体提供一种三模复合的一分四功分网络，用以在保证器件易于集成的同时实现具有低损耗特性的三模复合一分四功分传输。本发明包括：沿z轴方向依次层叠设置的下层金属层、下介质基板层、金属地板层、上介质基板层与上层金属层，上层金属层、金属地板层与下层金属层通过金属短路柱相连，共同构成复合波导传输线结构；在复合波导传输线结构的金属地板上开设缝隙，使其具有标准TE10模式、折叠同相TE10模式和折叠反相TE10模式三种传输模式，且实现良好的模式隔离度，实现三模复合；同时，在复合波导传输线末端开设T型缝隙并插入微带线，设计得到复合波导转四路微带线的结构，实现一分四功分功能。

公开(公告)号：CN112713189B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202011600632.3

申请日：2020-12-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 汪琼 ,  王超群 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永 ,  陆俊 ,  季亚军 ,  孙凯 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有氮化镓高阻层的HEMT器件的外延结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN帽层，本发明提供一种具有氮化嫁系高阻层的HEMT，提供了一种新的结构及长法，实现在不牺牲晶格质量的同时获得自动掺杂C的氮化镓高阻层。

公开(公告)号：CN112713190B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202011603997.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 汪琼 ,  穆潘潘 ,  吴勇 ,  王东 ,  陈兴 ,  陆俊 ,  黄永 ,  季亚军 ,  孙凯 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  陈军飞 ,  张进成

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。

公开(公告)号：CN114038750A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111304770.1

申请日：2021-11-05

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 陈兴 ,  黄永 ,  沈琪 ,  王东 ,  吴勇 ,  陆俊 ,  季亚军 ,  陈军飞 ,  操焰 ,  孙凯 ,  常娟雄 ,  陈财 ,  邵语嫣

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L23/373 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了氮化镓功率器件，其结构组成为：包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中在氮化镓缓冲层生长中间过程中选区插入多晶金刚石，本发明基于自身在氮化镓器件制备以及金刚石生长方面的基础，提出了一种在AlGaN/GaN异质结外延过程中穿插生长多晶金刚石的方案，可以有效的提高AlGaN/GaN HEMT功率器件散热能力，同时优化生长条件，改善AlGaN/GaN异质结生长质量。

公开(公告)号：CN112701162A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011592523.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 陈军飞 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永 ,  操焰 ,  崔傲 ,  袁珂 ,  谷露云 ,  汪琼 ,  陆俊 ,  季亚军 ,  孙凯 ,  张进成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的MOSFET器件的结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括金刚石衬底、设于金刚石衬底上下两端的氢终端层、分别设于金刚石衬底两侧的源电极和漏电极、在氢终端层的表面设置的栅介质层以及设置在栅介质层表面的栅电极，采用本方法形成的双栅金刚石器件，可以在保持阈值电压基本不变的情况下提高金刚石器件的最大饱和电流和跨导，将器件的开关比提高近3个数量级，降低器件的输出电阻，大幅度提高金刚石器件的截止频率，而且制造工艺简单，重复性好的特点。

公开(公告)号：CN108832290B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810651388.X

申请日：2018-06-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨德强 ,  胡鉴中 ,  杨鑫 ,  毛宁馨 ,  孙凯 ,  杨天明

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明提供一种三臂圆极化天线，包括介质基板、辐射贴片和接地板，辐射贴片包括馈电微带线贴片、馈电微带线贴片外圆周上的三个金属贴片臂，馈电微带线贴片为带有缺口的圆环，相邻两个金属贴片臂之间的夹角为120度；辐射贴片上设有辐射贴片圆形槽，接地板为圆环并且其上有接地板圆形槽，本发明解决了传统圆极化天线设计方法增益较低的问题，不同于传统圆极化天线设计利用两个方向相互正交且相位相差90°的电场矢量构成方式，本发明采用了三个方向间距为120°且相位差为120°的电场矢量构成圆极化，合成后的电场矢量为传统设计方法的1.5倍，在主辐射方向上轴比小于3dB角度为60°左右，增益为2dBi，天线结构简单，便于制作。