公开(公告)号：CN117282645A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311193606.7

申请日：2023-09-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 卢冰 ,  王帅 ,  李颉 ,  孙凯 ,  陈一鑫 ,  刘颖力

IPC: B05D7/24 ,  C04B35/40 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622 ,  B05D1/00 ,  B05D3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04

Abstract: 本发明属于电子材料领域，提供一种低铁磁共振线宽高介电常数铁氧体厚膜材料及其制备方法；首先，采用Bi‑Ca‑Sn‑Zr离子取代的YIG铁氧体材料作为基础，利用传统的固相烧结法制备Y2.0‑xBi1.0CaxFe5‑2xSnxZrxO12铁氧体材料，成分中的Bi‑Ca离子取代可以提升材料的介电常数，使材料在1MHz～500MHz频段内具高介电常数特性(介电常数ε'≥20)，成分中的Sn‑Zr离子取代促进材料降低磁晶各向异性和损耗，并改善材料的内应力和气孔对铁磁共振线宽的影响，降低铁氧体在高频段的磁损耗，使材料具有较低的铁磁共振线宽(ΔH≤100Oe)；然而，采用甩胶工艺制备铁氧体厚膜材料，并通过在磁场取向下退火成型得到具有低铁磁共振线宽、高介电常数的铁氧体厚膜材料，满足微波器件的需求。

公开(公告)号：CN113845360A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111196848.2

申请日：2021-10-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 武剑 ,  李颉 ,  梁峥 ,  韩雪宁 ,  张颖 ,  卢冰 ,  刘颖力

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/01 ,  C04B35/628 ,  C04B35/624 ,  H01F1/03 ,  H01F41/02 ,  H01Q1/38

Abstract: 一种包覆式高频磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料为Ba3Co2Fe24O41‑xScMnO3六角晶型磁介复合材料；其中，x＝0.02～0.10。本发明提供的一种包覆式高频磁介材料，为核壳式包覆结构，内部为溶胶凝胶法制备的ScMnO3高频纳米介电材料，外部为水热法制备的高频Ba3Co2Fe24O41磁性材料，通过水热法和烧结工艺制备出包覆结构，得到了包覆结构良好、均匀性好、性能优良的磁介复合材料。本发明磁介复合材料为包覆结构，有效降低了不同材料的晶界效应对磁介损耗的影响，保证了在高频下良好的磁特性和介电特性，可用作微带天线的基板材料。

公开(公告)号：CN113845360B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202111196848.2

申请日：2021-10-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 武剑 ,  李颉 ,  梁峥 ,  韩雪宁 ,  张颖 ,  卢冰 ,  刘颖力

IPC: H01F1/03 ,  C04B35/26 ,  C04B35/01 ,  C04B35/628 ,  C04B35/624 ,  H01F41/02 ,  H01Q1/38

Abstract: 一种包覆式高频磁介材料，属于电子材料领域。所述磁介材料为Ba3Co2Fe24O41‑xScMnO3六角晶型磁介复合材料；其中，x＝0.02～0.10。本发明提供的一种包覆式高频磁介材料，为核壳式包覆结构，内部为溶胶凝胶法制备的ScMnO3高频纳米介电材料，外部为水热法制备的高频Ba3Co2Fe24O41磁性材料，通过水热法和烧结工艺制备出包覆结构，得到了包覆结构良好、均匀性好、性能优良的磁介复合材料。本发明磁介复合材料为包覆结构，有效降低了不同材料的晶界效应对磁介损耗的影响，保证了在高频下良好的磁特性和介电特性，可用作微带天线的基板材料。