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公开(公告)号：CN112466769A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011311567.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/66 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法，应用于圆形电容结构的HEMT器件，主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是：在待测HEMT器件上制作辅助测试结构，即位于栅极和漏极之间势垒层中的一系列欧姆接触电极，然后将被测HEMT器件加上关态偏置，依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压，最后将相邻电极的电压差值除以待测欧姆电极与栅极距离的差值，即得到沟道电场强度分布。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析器件耐压特性与提高器件可靠性提供重要依据。
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公开(公告)号：CN109473343B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811088560.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/263 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法，包括在预设的辐照温度、质子注量和质子能量的条件下，对AlGaN/GaN HEMT器件进行质子辐照。本发明实施例采用一定注量和能量的质子对AlGaN/GaN HEMT器件进行辐照，入射的质子会填充器件中存在的固有点缺陷，从而减小缺陷密度，降低缺陷对载流子的捕获，增加电荷密度，减少了栅泄露电流，提高了器件的最大饱和电流和跨导，进而改善了器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN107170821B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201710198226.0
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧刻有两个源槽(8)，两个源槽处淀积有两个源极(9)，除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12)，该浮空型漏场板是由多个相互独立的浮空场板和一个与肖特基漏极电气连接的第一场板构成，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN110571265A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910695422.8
申请日：2019-07-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种基于GaN的鳍式场效应晶体管器件及其制造方法。所述器件，包括依次设置的衬底、缓冲层、势垒层、钝化层，其中：所述势垒层上一端设置有源极、另一端设置有漏极；所述钝化层设置在所述源极和所述漏极之间的势垒层上；所述钝化层中部设置有开口；所述开口对应的势垒层区域中设置有多个凹槽；相邻凹槽之间设置有鳍片；所述钝化层上设置有T型栅极，所述T型栅极覆盖所述凹槽以及所述鳍片；所述凹槽的长度与所述T型栅极底部的长度相等；所述鳍片的厚度与所述凹槽的深度相等；所述凹槽远离所述钝化层部分的宽度大于靠近所述钝化层部分的宽度。
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公开(公告)号：CN107369736B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i‑GaN层和n‑GaN层，在n‑GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105931999B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610255919.4
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件击穿性能差和输出电流小的问题。其技术方案是：在器件的SiN钝化层生长工艺中引入自对准技术、利用薄厚SiN钝化层对沟道的调制作用形成准LDD‑HEMT。该器件自下而上包括：衬底，AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层和栅、源、漏电极，其中SiN钝化层包括两层，在完成栅极制作之后，先利用栅极的自对准作用淀积第一层SiN钝化层，然后在栅极与漏极之间靠近漏极区域淀积第二层SiN钝化层形成准LDD结构。本发明的器件的击穿电压和饱和输出电流高，且制作过程中引入的损伤小。
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公开(公告)号：CN107369736A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710477886.2
申请日：2017-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/263
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L21/263 , H01L31/1852 , H01L31/1856
Abstract: 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法，本发明利用质子束作为辐照源，采用两种不同能量和注量的质子束，先后辐照GaN光电导开关器件，以此获得超快响应特性。制作的GaN光电导开关包括蓝宝石衬底和GaN层，所述GaN层包括AlN成核层、GaN高温缓冲层、i-GaN层和n-GaN层，在n-GaN层上引出Ni/Cr/Au金属电极。本发明采用的质子辐照条件为：质子注量为：1×1011～9×1018/cm2；质子能量为：0.5～10MeV。利用该方法可以明显改善和提高光电导器件的响应特性，制备超快响应照GaN光电导开关器件，可应用于超快光电子学和大功率电磁脉冲产生等领域，具有重大的科学价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107170821A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710198226.0
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧刻有两个源槽(8)，两个源槽处淀积有两个源极(9)，除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12)，该浮空型漏场板是由多个相互独立的浮空场板和一个与肖特基漏极电气连接的第一场板构成，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN104051627B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410276254.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进的并联叠层有机太阳能电池的制备方法，本发明通过层压技术巧妙地去掉了传统叠层结构中的中间连接层，使两种给体材料分别与一种受体材料形成了体异质结结构的子节电池，使两个有效层直接相连接,使叠层电池的效率能得到进一步的提高。由于中间连接层的消失，避免了光通过此层时的附带吸收，有利于器件对光的有效吸收；避免了它的存在而引入的电阻，有利于器件电学性能的提高；使叠层电池总的材料层数大大减少，结构大大简化，这使得制造工艺更简单，工艺流程更易控制，器件成本也因此大大降低。
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公开(公告)号：CN105931999A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610255919.4
申请日：2016-04-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种薄势垒增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件击穿性能差和输出电流小的问题。其技术方案是：在器件的SiN钝化层生长工艺中引入自对准技术、利用薄厚SiN钝化层对沟道的调制作用形成准LDD‑HEMT。该器件自下而上包括：衬底，AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、SiN钝化层和栅、源、漏电极，其中SiN钝化层包括两层，在完成栅极制作之后，先利用栅极的自对准作用淀积第一层SiN钝化层，然后在栅极与漏极之间靠近漏极区域淀积第二层SiN钝化层形成准LDD结构。本发明的器件的击穿电压和饱和输出电流高，且制作过程中引入的损伤小。
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