-
公开(公告)号：CN101243505A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029340.0
申请日：2006-08-08
Abstract: 一种光记录介质(10)，被设计为依次具有基板(12)、第一电介质层(14)、记录层(16)、第二电介质层(18)、超分辨率层(20)以及第三电介质层(22)，该超分辨率层(20)由在以规定照射功率的DC光照射1～300秒钟时产生空隙的材料构成，从而，能够在使再现激光的照射功率不依赖记录标记大小的情况下进行超分辨率再现。
-
公开(公告)号：CN1977316A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021929.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/1353 , G11B7/24 , G11B7/257
Abstract: 提供一种再现以具有小于入射光束的分辨能力的大小的标记的形式记录在超分辨信息存储介质中的数据的方法及其设备。所述数据再现方法包括：将具有引起超分辨现象的分辨功率的第一光束和具有不引起超分辨现象的分辨功率的第二光束照射到信息存储介质上；检测基于第一光束的第一再现信号和基于第二光束的第二再现信号；补偿并计算第一再现信号和第二再现信号之间的时间延迟。因此，从除了超分辨区之外的再现光束点的外围区反射的信号可被排除，从而改善再现信号特性。
-
公开(公告)号：CN1856827A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027356.9
申请日：2004-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/258 , Y10T428/21
Abstract: 关于最近开发的许多介质，最大的看点就是容量。本发明提供了一种高密度只读光盘，该高密度只读光盘包括：基底，该基底具有根据单位信息而长度不同的坑，其中，坑的深度随着坑长度增加而增加；掩模层，包含金属氧化物或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。由于坑深度根据坑长度而改变，所以高密度只读光盘可用于读取不大于读取分辨率极限的坑，并且得到了最佳的CNR。同样，本发明提供了一种高密度只读光盘的制备方法，该方法可用来制备具有基于坑长度的最佳坑深度的高密度只读光盘。
-
-
公开(公告)号：CN107667324A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680030792.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/16 , G06F3/01 , G06F3/041 , G06F3/0484 , G09G3/34
CPC classification number: G06F3/041 , G06F1/1626 , G06F1/163 , G06F1/1637 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/013 , G06F3/0484 , G06F3/0488 , G09G3/3406 , G09G2300/023 , G09G2320/0626 , G09G2330/023 , G09G2354/00 , G09G2360/144
Abstract: 一种电子装置，包括发射显示器，其被配置成提供具有第一图像质量的第一图像；透明显示器，其被布置在发射显示器上并且被配置为提供具有第二图像质量的第二图像；以及控制器，其被配置为根据第一模式控制发射显示器提供第一图像，并且根据第二模式控制透明显示器提供第二图像。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102439662A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022561.1
申请日：2010-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14603 , B82Y10/00 , G11B9/149 , G11B11/002 , G11C13/04 , G11C13/047 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/14647 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供一种光学存储器件和一种利用光学存储器件记录信息/再现信息的方法。光学存储器件包括：基底；第一势垒层，形成在基底上；量子阱层；第二势垒层；量子点层；第三势垒层。量子阱层的能带隙比量子点层的能带隙宽，第二势垒层的能带隙比量子阱层的能带隙宽，从而因一定波长的光而在量子点层中产生的激子中的电子被量子阱层捕获，以记录信息，然后，可以通过将一定波长的光照射到光学存储器件来擦除或再现记录的信息。
-
公开(公告)号：CN101800057A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010115178.2
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , B82Y10/00 , G11B7/24038 , Y10T428/24124
Abstract: 一种制造信息存储介质的方法，该方法包括以下步骤：利用具有多个纳米棒图案的掩模，通过溅射在基底上形成多个纳米棒记录层。
-
公开(公告)号：CN101789245A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010105318.8
申请日：2010-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B2007/0013
Abstract: 提供了一种信息存储介质及用于记录/再现信息的设备。将该信息存储介质提供为通过利用由能够重复改变光吸收率的材料形成的纳米棒来执行重复记录。
-
公开(公告)号：CN101300624A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200680040936.0
申请日：2006-12-20
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B20/10055
Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
-
公开(公告)号：CN100399435C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200580000880.1
申请日：2005-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B2007/0006
Abstract: 提供一种混合信息存储介质，包括：导入区，存储关于信息存储介质的基本信息；导出区，指示信息存储介质的结尾；多种类型的数据区，需要不同的最佳读取功率；和用于所述多种类型的数据区的不同的最佳读取功率信息。相应地，由于当光盘驱动器从包括需要不同最佳读取功率的多种类型的数据区的混合超分辨率光盘再现数据时，用于每一区的最佳读取功率信息被提供给该光盘驱动器，因此可以始终获得最佳的再现特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.036 seconds)
