一种用于强电场测量的栅格电极光电集成传感器

    公开(公告)号:CN101710138B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200910243317.7

    申请日:2009-12-17

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于强电场测量的栅格电极光电集成传感器,属于高电压测量技术领域。本发明采用具有电光效应的晶片,在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成两端Y形分叉、中间互相平行的光波导,在互相平行的两段光波导中的一段上方设置栅格电极。栅格电极由两条横向电极及连接横向电极的多条纵向电极构成。本发明提出的用于强电场测量的栅格覆盖光电集成传感器,可以满足大于100kV/m的强电场的测量,而且最大程度的减少电极下Si基涂层对于传感器静态工作点的影响,有效提高其测量稳定性;减少金的用量,降低产品成本。

    用于快速成型的分区并行加工装置

    公开(公告)号:CN2367455Y

    公开(公告)日:2000-03-08

    申请号:CN98219120.0

    申请日:1998-10-05

    Abstract: 本实用新型涉及一种用于快速成型的分区并行加工装置,包括机架、工作台、一套或一套以上X驱动轴、Y驱动轴、加工头。工作台和Y驱动轴固定在机架上,X驱动轴通过XY连接块与Y驱动轴相连接,加工头通过滑块与X驱动轴连接。本实用新型设计的加工装置,将加工平面分割成几个加工区域,用多台扫描机构与加工头并行加工,大幅度提高工作效率,使利用快速成型技术制造大规模原型成为可能。

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