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公开(公告)号：CN103487142A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210192064.7
申请日：2012-06-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J1/58
CPC classification number: G01J1/4257 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J1/4228 , G01J5/023 , G01J5/0853 , G01J5/524 , G01J2005/0077 , H01J37/26
Abstract: 一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列悬空设置于一惰性环境或真空环境中，所述碳纳米管阵列具有相对的第一表面和第二表面；用待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，使该碳纳米管阵列辐射出光；利用成像元件对碳纳米管阵列所辐射的光成像，读出待测光源的光强分布。
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公开(公告)号：CN103474548A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185722.X
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L33/44 , H01L33/20 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，其包括：一有源层，包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的一侧；一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的一侧，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的一侧，所述第一光学对称层的折射率n1与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n2的差值∆n1于等于0.3，其中∆n1=|n1-n2|。
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公开(公告)号：CN103474524A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185717.9
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述第一半导体层、所述活性层以及所述第二半导体层依次层叠生长；步骤c：形成一金属陶瓷层，其形成于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：形成一第一电极及一第二电极，使第一电极与所述第一半导体层电连接，使第二电极与所述第二半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN103474520A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185681.4
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/04 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：依次形成一折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层的远离基底的表面以及一折射率与基底的折射率之差小于等于0.1的第二光学对称层于所述第一光学对称层远离基底的表面；以及步骤e：制备一第一电极与第一半导体层电连接，制备一第二电极与第二半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN103474519A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210185665.5
申请日：2012-06-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在基底依次外延生长一有源层，该有源层包括缓冲层、一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面；形成一金属层于所述第三光学对称层远离基底的表面；形成一第四光学对称层于所述金属层远离基底的表面；形成一第一光学对称层于第四光学对称层远离基底的表面，该第一光学对称层的折射率n1与缓冲层和有源层的整体的等效折射率n2的差值∆n1于等于0.3，其中∆n1=|n1-n2|；去除所述基底，暴露出第一半导体层；以及在第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与第二半导体层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101363995B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710075633.9
申请日：2007-08-08
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02F1/13357 , G02B6/00
CPC classification number: G02B6/0021 , G02B6/0018 , G02B6/0038 , G02B6/0046 , G02B6/0068 , G02F1/133603 , G02F1/133608 , G02F1/133611
Abstract: 一种背光模组，其包括至少一光源及一导光板，该导光板包括一底面、与该底面相对的出光面以及连接所述底面和出光面的侧面，所述导光板进一步包括至少一反射部，所述反射部为设置于导光板的底面且凹入导光板内部的凹洞，所述光源收容于上述凹洞内，所述反射部包括一反光面和一入光面，反光面为上述凹洞的底面，入光面为上述凹洞的侧面，所述反光面为一圆锥面或类圆锥面，且该反光面相对于光源发出的光线是凹面。所述背光模组中，由于直接在导光板上形成一反射部，因此有利于减小背光模组的整体厚度和降低背光模组的损耗。此外，光源收容于导光板上的反射部内，从而可实现系统模组化要求。
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公开(公告)号：CN102052600A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910109713.0
申请日：2009-11-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: F21S8/00 , F21V8/00 , F21V19/00 , F21V13/00 , G02F1/13357 , G02F1/1333 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133606 , G02F1/133603
Abstract: 本发明公开一种背光模组，其包括导光板及光源，该导光板包括至少两个模块，所述光源分成至少两组分别对应所述导光板的至少两个模块设置，每组光源分别受单独控制，每组光源射出的光线经由该导光板的与该组光源对应的模块形成平面光射出，并且所述至少两个模块之间无光线混合。本发明进一步公开一种采用上述背光源的液晶显示器。
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公开(公告)号：CN102042562A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910110522.6
申请日：2009-10-16
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: F21V8/00 , G02F1/13357 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/0021 , G02B6/0018 , G02B6/0036 , G02B6/0055 , G02F1/133603 , G02F1/133611 , G02F1/13362 , G02F2001/133607
Abstract: 一种导光板，其包括：一底面，一与该底面相对的出光面以及连接所述底面和所述出光面的侧面，所述出光面包括至少一凹面，该至少一凹面包括光线入射角度大于导光板全反射临界角的第一区域与光线入射角度小于导光板全反射临界角的第二区域，该第二区域设置有反射结构。本发明进一步涉及一种采用上述导光板的背光模组。
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公开(公告)号：CN101424789B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710124242.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G02B27/10 , G02B1/10 , G02F1/13357 , F21V13/04
CPC classification number: G02B27/0905 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B19/0071
Abstract: 一种混光器，包括至少两个聚光反射装置和至少两个光源，所述至少两个聚光反射装置分别具有第一焦点和第二焦点，所述至少两个聚光反射装置之间共第一焦点设置，所述至少两个光源分别对应设置于至少两个聚光反射装置的第二焦点上，上述混光器还进一步包括一公共出光面和一场镜，该公共出光面经过第一焦点，该场镜设置于上述的公共出光面上，其中，所述聚光反射装置为一具有一长轴的椭球实体，上述第一焦点和第二焦点设置于该椭球实体的长轴上，该椭球实体还包括一挖空结构、一与挖空结构相对的出光面及连接挖空结构和出光面的外表面，上述挖空结构设置于该椭球实体第二焦点的一端，所述光源收容于上述挖空结构内。
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公开(公告)号：CN101672981A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810216087.0
申请日：2008-09-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: G02B27/0012 , G02B6/0043 , G02B6/0065
Abstract: 一导光板设计方法包括：提供一导光板，该导光板包括一入光面及与入光面相对的出光面；获得该导光板出光面的光照度分布；通过ΔE＝E max -E min /a及|E(r n )-E 0 |＝nΔE确定导光板入光面及出光面的环形区域，其中，E为导光板出光面的光照度，且E＝E(ρ，θ)，ρ，θ分别为以导光板入光面或出光面的中心为原点的极坐标系的极径和极角，a为预定的环数，a与n为正整数，且1≤n≤a，r n 为导光板入光面或出光面的环形区域的第n个圆环的半径，E max 以及E min 分别为出光面光照度的最大值及最小值，E(r n )为导光板出光面ρ＝r n 时的光照度值，E 0 为导光板出光面中心的光照度；以及获得导光板入光面各环形区域网点数量，采用正态分布随机函数在入光面各环形区域内多次随机分布所述网点，获得具有高光照度均匀性的网点分布。本发明还提供导光板的制造方法。
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