公开(公告)号：CN100428349C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200610112584.7

申请日：2006-08-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  石明 ,  易家祥 ,  刘学东 ,  赵福群 ,  陈子辉

IPC: G11B7/257 ,  G11B7/26 ,  C09K9/02

Abstract: 本发明公开了光致变色二芳烯化合物的新用途。本发明发明人通过实验证实，以光致变色二芳烯化合物为掩膜层的近场超分辨率光存储光盘具有存储密度高，记录信息尺寸小等优点，实现超分辨近场光存储，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN101157660A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710177111.X

申请日：2007-11-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 宾月景 ,  张复实 ,  易家祥

IPC: C07D257/00 ,  C07F17/02 ,  G11B7/242

Abstract: 本发明公开一类二苯并四氮杂[14]轮烯类化合物及其制备方法与在光记录介质方面的应用。该类化合物的结构通式如式I所示。本发明提供的二苯并四氮杂[14]轮烯类材料，具有光灵敏度高、热稳定性好(TG分解温度＞250℃)、溶解度高，易溶解、抗结晶性好的优点。该类化合物在醚类溶剂中即可溶解，在醇类或醚类溶剂中的溶解度可达6％以上。生产过程中不需添加光稳定剂，只单独使用该类材料即可。利用本发明提供的二苯并四氮杂[14]轮烯类材料进行光盘制作，在满足现行BD－R和HDDVD－R光盘对记录介质要求的同时，不仅显著降低了光盘制作成本，且大大提高了盘片的刻录性能。

公开(公告)号：CN100357304C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200510112792.2

申请日：2005-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘学东 ,  石明 ,  陈子辉 ,  范桂芳 ,  张复实

IPC: C07F17/00 ,  C07D333/16 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明公开了一种二芳烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的光致变色二芳烯化合物，其结构式如式I所示。本发明的二茂铁二芳烯化合物由于引入了苯环等功能基团，使得二芳烯的开环态和闭环态之间共轭范围变化增大；同时，在分子中存在金属铁原子，增大了二芳烯类光致变色材料的导电性，使得本发明二茂铁二芳烯化合物的开环态和闭环态的HOMO能级差异较大，闭环态的转化率很高，是一种性能优良的载流子开关材料。以本发明二茂铁二芳烯化合物为有机发光层的OLED器件，由于该化合物在紫外-可见光的不同状态，导致OLED器件在加压的情况下，可以采用紫外光和可见光来控制其发光性能，达到电控和光控的双控特性。

公开(公告)号：CN1280283C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN03100551.9

申请日：2003-01-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  蒲守智 ,  孙梵 ,  袁鹏 ,  李勇

IPC: C07D333/06 ,  C07D409/04 ,  G11B7/24

Abstract: 本发明公开了一种全息光存储膜片及其制备方法与专用生产原料。本发明提供的专用生产原料为通式(I)化合物：其中，R1为H原子或甲基，R为C原子数小于10的烷基、醇和杂环烷基。本发明提供的全息光存储膜片，由玻璃基片及涂敷在所述基片上的光存储材料组成，所述光存储材料为通式(I)化合物和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的混合物。本发明的膜片具有较高分辨率、感光灵敏度和衍射效率，并且可以重复使用，是理想的全息光记录介质。

公开(公告)号：CN1786010A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510112792.2

申请日：2005-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘学东 ,  石明 ,  陈子辉 ,  范桂芳 ,  张复实

IPC: C07F17/00 ,  C07D333/16 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明公开了一种二芳烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的光致变色二芳烯化合物，其结构式如式I所示。本发明的二茂铁二芳烯化合物由于引入了苯环等功能基团，使得二芳烯的开环态和闭环态之间共轭范围变化增大；同时，在分子中存在金属铁原子，增大了二芳烯类光致变色材料的导电性，使得本发明二茂铁二芳烯化合物的开环态和闭环态的HOMO能级差异较大，闭环态的转化率很高，是一种性能优良的载流子开关材料。以本发明二茂铁二芳烯化合物为有机发光层的OLED器件，由于该化合物在紫外－可见光的不同状态，导致OLED器件在加压的情况下，可以采用紫外光和可见光来控制其发光性能，达到电控和光控的双控特性。

公开(公告)号：CN1206308C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02100500.1

申请日：2002-02-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  蒲守智 ,  郭浩波 ,  孙梵 ,  周新红 ,  袁鹏 ,  唐应武 ,  赵福群

IPC: C09K9/02

Abstract: 本发明的名称为二芳基乙烯类光致变色化合物及其制备方法和用途。本发明提供的二芳基乙烯类光致变色化合物是通式(I)的化合物。本发明生产式(I)化合物的方法，基本上包括以下步骤：1)将2-甲基噻吩溴化；2)与硼酸三丁酯反应，生成2-甲基-3-溴-5-硼酸基噻吩；3)通过偶联反应将苄基与噻吩环连接；4)与全氟环戊烯反应生成目标分子。本发明的化合物可广泛用于超高密度、可擦写光信息存储材料或用作光控开关的材料。

公开(公告)号：CN1186341C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN02125937.2

申请日：2002-08-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  蒲守智 ,  孙梵 ,  郭浩波 ,  赵福群

IPC: C07D409/14 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种二芳基全氟环戊烯类光致变色化合物及其制备方法与应用，本发明所提供的新型二芳基全氟环戊烯类光致变色化合物为通式I的化合物，其中R1为H原子或甲基，n为0-5的整数。本发明的化合物可广泛用于近场光存储、制备光控开关元件、制备光致变色发光器件等领域中。

公开(公告)号：CN1566261A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN03142676.X

申请日：2003-06-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  孙梵 ,  蒲守智 ,  赵福群 ,  李勇 ,  袁鹏

IPC: C09K9/02

Abstract: 本发明公开了有机光致变色材料领域中一种有机光致变色二芳基乙烯化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的是通式(I)的二芳基乙烯光致变色化合物：本发明所合成的二芳基乙烯化合物的两种光致变色异构体具有良好的光热稳定性和抗疲劳性，光致变色反应迅速，灵敏度较高，在固态薄膜中具有良好的光致变色反应性；闭环态在400－500nm范围有较强的吸收，适合用于此波长范围光存储。用本发明所提供的二芳基乙烯光致变色化合物制成的三维存储材料，性能优良，稳定性和抗疲劳性好，实用性较强。

公开(公告)号：CN1174985C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02100679.2

申请日：2002-02-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  宋争林 ,  孙梵 ,  刘剑波 ,  唐应武 ,  赵福群

IPC: C07D487/04 ,  C07D487/22

Abstract: 本发明的公开了一种非金属类酞菁及其制备方法与应用，目的是提供一种新型的具有光敏剂性质的非金属类酞菁。本发明所提供的化合物是通式(I)的非金属四苯并三氮杂呵罗(MTBC)：其中，R，R’为氢或磺酸基；M为P。本发明的化合物可以作为光敏剂在制备治疗癌症的药物中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1517344A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN03100547.0

申请日：2003-01-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 张复实 ,  蒲守智 ,  郭浩波 ,  孙梵 ,  刘学东 ,  唐应武

IPC: C07D333/06 ,  C07D333/16 ,  C07D409/04 ,  G11B7/24

Abstract: 本发明公开了一种多波长光存储材料及其制备方法与专用生产原料，生产原料为二芳基乙烯类光致变色化合物，是如下三类化合物中至少两种的混合物：(1)与532nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(2)与650nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(3)与780nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物。同时，本发明公开了用于多波长光存储的非晶态膜片和光盘并提供了它们的制备方法。利用本发明的方法，创造性地实现了三波长光信息存储。