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公开(公告)号：CN117040535B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311301564.4
申请日：2023-10-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种相位指示电路、转换器芯片及多芯片同步系统，相位指示电路包括延时线模块、并联采样模块、相位指示模块及寄存器模块；延时线模块接收同步信号，用于对同步信号进行2M级延时并生成2M个延时信号，M为大于1的整数；并联采样模块与延时线模块相连，以参考时钟作为采样时钟，对2M个延时信号进行同步采样并生成2M个采样信号；相位指示模块与并联采样模块相连，以参考时钟作为工作时钟，根据2M个采样信号的值来指示同步信号相对于参考时钟的相位偏差，并在相位偏差小于预设偏差时生成同步时钟；寄存器模块与相位指示模块相连，用于对2M个采样信号进行存储。通过本发明解决了现有技术无法对同步信号进行相位偏差指示的问题。
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公开(公告)号：CN117155539A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311427424.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请提供模拟射频电路网表的混淆及其复原方法、装置、终端及介质，旨在利用电路设计原理图建立对应二级图模型，基于图的结构信息量化元器件节点重要性，根据量化后的节点重要性来对电路中的元器件进行白盒混淆加密，基于非对称加密对白盒解密查找表进行加密，保证了混淆还原文件即白盒解密查找表在传输过程中的安全性，基于进程控制保证只有对应仿真器所在进程能够读取解混淆后的电路网表保证了执行环境的安全性，解决了RSA黑盒加密电路细节不可见及基于密钥的电路性能锁定的安全性较低的问题，有效防止了模拟电路协同设计过程中的逆向工程。
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公开(公告)号：CN116544904B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310807030.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种低压差检测防反灌保护电路、负载开关芯片及电源系统，其中，低压差检测防反灌保护电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、压差检测模块及保护控制模块；第一PMOS管和第二PMOS管串联于输入电压和输出电压之间；压差检测模块基于低阈值的第三PMOS管对输出电压和输入电压进行低压差检测，并在输出电压大于输入电压且二者之间的压差值大于第三PMOS管的阈值电压绝对值时，触发保护控制模块关断第一PMOS管和第二PMOS管以防止电流反灌，同时还对第三PMOS管进行电压钳位。通过本发明解决了现有技术中需要两个电源轨、无法在低压差下进行防反灌保护等问题。
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公开(公告)号：CN116527164A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310251054.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B17/21
Abstract: 本发明提供一种射频接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端，包括获取待校准信号在各个接收通道上的I路采样值和Q路采样值；对于每个接收通道，对I路采样值和Q路采样值的直流进行补偿；对参考通道的直流补偿后的I路采样值进行FFT变换，获取第一离散序列；对第一离散序列中的点进行变换处理；对变换处理后的第一离散序列进行IFFT变换，获取第二离散序列；基于第二离散序列计算各个校准通道相对于参考通道的相位差；对于每个校准通道，基于校准通道的I路采样值、Q路采样值和相位差进行相位补偿。本发明的射频接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端利用基带信号进行相位补偿，能校准射频接收机内部锁相环分频引入的随机相位差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113922894B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202111215636.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种正交调制数字接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端，包括以下步骤：获取参考通道和校准通道的I路和Q路的采样值；根据所述采样值计算所述校准通道相对于所述参考通道的相位差；根据所述相位差对所述校准通道的I路和Q路信号进行校准。本发明的正交调制数字接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端能够在消耗较少计算资源的前提下，计算出较高精度的通道间相位差值，实现有效的相位校准。
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公开(公告)号：CN113922894A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111215636.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种正交调制数字接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端，包括以下步骤：获取参考通道和校准通道的I路和Q路的采样值；根据所述采样值计算所述校准通道相对于所述参考通道的相位差；根据所述相位差对所述校准通道的I路和Q路信号进行校准。本发明的正交调制数字接收机的多通道相位校准方法、系统、介质、终端能够在消耗较少计算资源的前提下，计算出较高精度的通道间相位差值，实现有效的相位校准。
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公开(公告)号：CN113703513A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111251691.9
申请日：2021-10-27
Applicant: 浙江大学
IPC: G05F1/569
Abstract: 本发明提供一种防倒灌保护模块、低压差线性稳压器、芯片及供电系统，包括：倒灌检测单元，基于输入、输出电压产生检测信号；分压单元，连接于输入电压与第一PMOS管的源极之间；第一PMOS管，漏极连输出电压，栅极连倒灌检测单元输出端；第二PMOS管，漏极连第三、第四PMOS管的栅极，源极连第一PMOS管源极，栅极连分压单元输出端；第三PMOS管，漏极连输入电压，源极和衬底连第四PMOS管的源极和衬底，栅极连驱动信号；第四PMOS管，漏极连输出电压，栅极连驱动信号。本发明应用于全集成LDO线性稳压器芯片内部，不增加外部电路复杂性；适用于MOS管栅源耐压仅为5V的薄栅工艺，在输出端接最高20V电位时能对芯片进行有效的保护；在实际应用中减少了备用电源的能量消耗。
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公开(公告)号：CN111477545B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010274351.7
申请日：2020-04-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L29/778 , B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供了一种GaN器件SiC衬底刻蚀方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，在所述衬底的第一表面上形成有半导体器件层；通过激光刻蚀对所述衬底的第二表面进行刻蚀，并在所述衬底的第二表面形成盲孔；通过干法刻蚀对所述盲孔进行刻蚀，使所述盲孔贯通至所述半导体器件层远离所述衬底的表面。本发明通过采用激光刻蚀对SiC等衬底进行刻蚀，刻蚀过程稳定性好，可重复性高，避免了采用Ni等金属掩膜进行干法刻蚀所产生的沉积物；省去了制作光刻版的成本，简化了工艺复杂度和工艺时间；激光刻蚀过程不会使衬底温度升高，避免了键合晶圆的开裂问题。
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公开(公告)号：CN109032562B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810615253.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F7/544
Abstract: 本发明公开了一种低时延高频单向旋转的CORDIC算法装置及算法。先通过用[0,π/4]替代全象限，能压缩一半的查找表来节省资源；然后将查表法和单向旋转迭代运算结合使用；最后通过一次单向的加法树合并迭代来获得结果。跟其他算法相比，单向旋转能最大程度上节省资源，减少功耗，而合并迭代通过加法树并行运算来实现，能满足高频下的时序要求和有效缩短时延。通过仿真验证发现本发明相对传统的CORDIC算法的整体性能有了明显的改善，缩短了时延，减少了资源消耗，提高了工作的最高频率，更适用于高频的场景，也减少了综合器综合的压力，有利于获得最优的结构和最小的面积。
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