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公开(公告)号：CN105633794B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610112643.4
申请日：2016-02-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器，包括放置在氧化硅衬底上的渐变带隙半导体纳米线和拉锥光纤；所述拉锥光纤的端面放置高反射率材料，所述高反射率材料与渐变带隙半导体纳米线接触形成散射点，且所述拉锥光纤的四周设有电极；所述的半导体纳米线激光器通过脉冲激光泵浦半导体纳米线，并利用电极施加的静电场调节拉锥光纤与渐变带隙半导体纳米线的接触点的位置，接收到散射点处禁带宽度所对应的波长的输出光。本发明利用静电场控制粘连有高反射率材料的拉锥光纤的空间位置，进而控制其与渐变带隙半导体纳米线接触时产生的散射点的相对位置，通过改变电场有无以及强度，实现半导体纳米线激光器输出宽谱波长双向可逆调谐。
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公开(公告)号：CN101941681B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010265192.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的方法及装置。该制备方法基于气相沉积法，在生长纳米材料的过程中，通过磁铁调节硫化镉和硒化镉石英舟在管式高温炉中的位置来连续调节硫化镉和硒化镉的蒸气浓度比来实现在同一根纳米带或纳米线上带隙的单调连续过渡。该制备方法简单、低成本，所制备的单根纳米材料上硫元素和硒元素的比例可以从1∶0连续过渡到0∶1，这种纳米材料在可调谐激光器、宽带激光器、白光LED和宽光谱探测器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN101941681A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010265192.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的方法及装置。该制备方法基于气相沉积法，在生长纳米材料的过程中，通过磁铁调节硫化镉和硒化镉石英舟在管式高温炉中的位置来连续调节硫化镉和硒化镉的蒸气浓度比来实现在同一根纳米带或纳米线上带隙的单调连续过渡。该制备方法简单、低成本，所制备的单根纳米材料上硫元素和硒元素的比例可以从1∶0连续过渡到0∶1，这种纳米材料在可调谐激光器、宽带激光器、白光LED和宽光谱探测器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN201942512U
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201020508580.2
申请日：2010-08-24
Applicant: 浙江大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本实用新型公开了一种制备带隙单调连续变化的硫硒化镉纳米材料的装置。在管式高温炉内，将镀金硅片放置在石英片上，石英片用磁铁吸附于管式高温炉降温区石英管的上方，硫化镉石英舟放置在管式高温炉中间石英管高温区的下方，硒化镉石英舟放置在管式高温炉外石英管低温区的下方，硫化镉石英舟和硒化镉石英舟间用石英棒连接，另一根石英棒的一端与硒化镉石英舟连接，另一端经另一磁铁与石英管外的直线电机连接；靠近石英片一端的石英管端面与真空泵连接，另一端与氮气连接。所制备的单根纳米材料上硫元素和硒元素的比例可以从1∶0连续过渡到0∶1，这种纳米材料在可调谐激光器、宽带激光器、白光LED和宽光谱探测器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN220820423U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202322727929.1
申请日：2023-10-10
Applicant: 浙江大学
IPC: G02F1/1333 , G09F9/302 , G09F9/35
Abstract: 本实用新型公开大尺寸拼接式液晶手写板装置，包括基板及多块液晶手写板；多块液晶手写板从左至右相拼接的固设在基板前端面；每相邻两液晶手写板之间均形成有拼接缝隙，基板前端面于多个拼接缝隙上下两端分别向前凸设有防溢凸块；多个拼接缝隙内分别填充有可固化流体胶。效果：将可固化流体胶填充到拼接缝隙，以使其流平并填满拼接缝隙，所使用的可固化流体胶不易外溢，所使用的塑胶笔划至相应拼接缝隙时，由于其被可固化流体胶填充并填平，使得书写也会很顺畅，所使用的塑胶笔划至相应拼接缝隙时也不易划伤多块液晶手写板拼接部位边缘，使得本申请在时间用久时，多块液晶手写板拼接部位边缘也不易出现破损或开裂或材料分层，以致使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201130635Y
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200720191736.7
申请日：2007-11-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种非接触式导磁物质传感器。外壳内装有干簧管和磁铁，干簧管与磁铁要在同一条直线上摆放，干簧管两端的引线分别接在外壳的接线端子上。本实用新型由磁铁和干簧管组成，它具有寿命长，耐腐蚀，耐压高，不直接接触，成本低，无噪音等优点。用于行程、位置检测和控制。可以检测，如钢，铁，氧化铁，镍，钴等导磁的材料。
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公开(公告)号：CN222300298U
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202421048953.0
申请日：2024-05-14
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种胆淄相液晶动态驱动电路，包括直流升压电路和H桥驱动电路，直流升压电路用于对输入直流电进行升压后输出；通过升压电感L1、第一开关管Q1、第一二极管U5‑1、第一电容C2、第二电容C7和第一电阻R1之间构成直流升压电路；H桥驱动电路与所述第一升压电源输出端连接，所述H桥驱动电路用于在驱动控制信号作用下，将所述第一升压电源转换为胆淄相液晶动态驱动信号，以输出对胆淄相液晶进行局部或全局刷新。在该升压电路中通过所述第一电阻R1和第二电容C7构成RC缓冲电路，可将所述第一电容C2输出电压进行缓存后输出，减少干扰，从而使得HV_TE检测更加的准确，进而避免误检测，保证第一升压电源高精度稳定性。从而保证H桥驱动电路对胆淄相液晶的刷新具有较好的效果。
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公开(公告)号：CN202054923U
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201120119016.6
申请日：2011-04-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硫硒化镉锌纳米线的制备装置，包括高温炉、可置于高温炉内加热的箱体、真空泵、气瓶和移动装置。所述箱体内设有一安装有磁铁的连接棒，在与所述磁铁对应的箱体上或箱体外侧设有与该磁铁同极的磁铁，连接棒在磁力作用下悬浮在箱体中。在所述连接棒上还设有两只盛具，在两盛具的同一侧设有安装在箱体上的载体平台。所述移动装置包括电机、滑轨以及置于滑轨内的滑块与螺杆，所述滑块与箱体相连并设有与螺杆相匹配的螺孔，螺杆延伸穿过位于滑块上的螺孔并与电机相连；所述真空泵和气瓶分别与箱体两端相连。采用本制备装置制备得到的硫硒化镉锌纳米线的荧光光谱可从紫外到红单调连续变化。
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公开(公告)号：CN202063831U
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201120038098.1
申请日：2011-02-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C03B37/025
Abstract: 本实用新型公开了一种制备微光纤的装置，它主要由一个步进电机、一个直流电机、一个光纤夹、一个三维微调架、一个聚焦透镜和一台CO2激光器组成；光纤夹固定在三维微调架上，直流电机通过固定装置连接到步进电机上，并在直流电机的轴上紧套一个缠绕棒，用来盘丝，CO2激光器作为加热装置。透镜将光束聚焦于光纤上；本实用新型制备微光纤的装置有较高的可重复性，可以通过控制拉力、激光加热功率、拉纤速度得到所需的微光纤。
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公开(公告)号：CN201829810U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201020257975.X
申请日：2010-07-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01S5/10
Abstract: 本实用新型公开了一种基于半导体纳米带的环形腔激光器，包括半导体纳米带制成的环形谐振腔和第一锥形光纤，所述第一锥形光纤的尖端与所述环形谐振腔相对，所述环形谐振腔置于所述第一锥形光纤的出射光光锥范围内，所述第一锥形光纤的中心轴线与所述环形谐振腔的中心轴线形成一夹角，所述夹角为10～80°。本实用新型首次使用半导体纳米带制备环形谐振腔激光器，具有小型化、结构简单、稳定性高、易于控制和调节、价格低廉等特点，可以实现线偏振的单纵模或多纵模输出；有效避免振动等效应对微型结构带来的损害；易与其它光路集成。
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