公开(公告)号：CN105633794A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610112643.4

申请日：2016-02-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨青 ,  诸葛明华 ,  杨宗银 ,  王德龙 ,  刘旭 ,  李海峰

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明公开一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器，包括放置在氧化硅衬底上的渐变带隙半导体纳米线和拉锥光纤；所述拉锥光纤的端面放置高反射率材料，所述高反射率材料与渐变带隙半导体纳米线接触形成散射点，且所述拉锥光纤的四周设有电极；所述的半导体纳米线激光器通过脉冲激光泵浦半导体纳米线，并利用电极施加的静电场调节拉锥光纤与渐变带隙半导体纳米线的接触点的位置，接收到散射点处禁带宽度所对应的波长的输出光。本发明利用静电场控制粘连有高反射率材料的拉锥光纤的空间位置，进而控制其与渐变带隙半导体纳米线接触时产生的散射点的相对位置，通过改变电场有无以及强度，实现半导体纳米线激光器输出宽谱波长双向可逆调谐。

公开(公告)号：CN105633794B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610112643.4

申请日：2016-02-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨青 ,  诸葛明华 ,  杨宗银 ,  王德龙 ,  刘旭 ,  李海峰

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/30

Abstract: 本发明公开一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器，包括放置在氧化硅衬底上的渐变带隙半导体纳米线和拉锥光纤；所述拉锥光纤的端面放置高反射率材料，所述高反射率材料与渐变带隙半导体纳米线接触形成散射点，且所述拉锥光纤的四周设有电极；所述的半导体纳米线激光器通过脉冲激光泵浦半导体纳米线，并利用电极施加的静电场调节拉锥光纤与渐变带隙半导体纳米线的接触点的位置，接收到散射点处禁带宽度所对应的波长的输出光。本发明利用静电场控制粘连有高反射率材料的拉锥光纤的空间位置，进而控制其与渐变带隙半导体纳米线接触时产生的散射点的相对位置，通过改变电场有无以及强度，实现半导体纳米线激光器输出宽谱波长双向可逆调谐。