研磨装置、研磨方法、按压研磨具的按压部件

    公开(公告)号:CN102152206B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201110007934.4

    申请日:2011-01-14

    CPC classification number: B24B9/065 B24B21/004 B24B37/27

    Abstract: 本发明提供一种研磨装置、研磨方法、按压研磨具的按压部件,该研磨装置能够对基板的顶边缘部和/或底边缘部正确且均匀地进行研磨。研磨装置具备:旋转保持机构(3),将基板(W)水平地保持,并使该基板W旋转;和至少一个研磨头(30),与基板(W)的周缘部接近地配置。研磨头(30)具有沿着基板(W)的周向延伸的至少一个突起部(51a、51b),研磨头(30)通过突起部(51a、51b)从上方或下方将研磨带(23)的研磨面相对于基板(W)的周缘部进行按压。

    研磨设备和研磨方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103894919A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201310732495.2

    申请日:2013-12-26

    Abstract: 一种研磨设备,该研磨设备(100)包括:保持台(4),该保持台(4)保持基板(W)的后表面的中心部分;马达(M1),该马达(M1)旋转该保持台(4);前表面喷嘴(36),该前表面喷嘴(36)将冲洗液馈送至基板(W)的前表面;后表面喷嘴(37),该后表面喷嘴(37)将冲洗液馈送至基板(W)的后表面;冲洗液控制部分(110),在通过前表面喷嘴(36)的冲洗液的馈送开始后经过预设时间之后,该冲洗液控制部分(110)通过后表面喷嘴(37)馈送冲洗液;和研磨头组合体(1A),在冲洗液控制部分(110)将冲洗液馈送至该基板(W)之后,该研磨头组合体(1A)研磨安装在保持台(4)上的基板(W)的外周部分。

    基板处理方法及基板处理装置
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118251290A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202280076154.1

    申请日:2022-10-21

    Inventor: 中西正行

    Abstract: 本发明关于一种处理晶圆等基板的基板处理装置,特别是关于进行基板的斜角部的研磨及基板平面部的CMP处理的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法是用研磨具研磨多个基板(W)的斜角部(B),以使多个基板(W)的斜角部(B)的倾斜面(S)的倾斜角度(α)相同,对斜角部(B)被研磨后的多个基板(W)的平面部(P)进行CMP处理。

    基板处理方法
    38.
    发明公开
    基板处理方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN117916859A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202280058888.7

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 本发明关于抑制将多片基板接合而制造的层叠基板的破裂和缺损的基板处理方法,特别是关于将填充剂涂布于构成层叠基板的多片基板的边缘部之间形成的间隙的技术。本基板处理方法包含:将第一填充剂(F1)涂布于第一基板(W1)的边缘部(E1)与第二基板(W2)的边缘部(E2)之间隙(G)的工序;以及在涂布第一填充剂(F1)后将第二填充剂(F2)涂布于第一基板(W1)的边缘部(E1)与第二基板(W2)的边缘部(E2)的间隙(G)的工序,第一填充剂(F1)的粘度低于第二填充剂(F2)。

    研磨装置
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109702641B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN201811241908.6

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在基板的背面朝下的状态下,能够有效地对包含最外部的基板的背面整体进行研磨的研磨装置。研磨装置具有:使晶片(W)旋转的基板保持部(10);对晶片(W)的背面进行研磨的研磨头(50);带输送装置(46);以及使研磨头(50)进行平移旋转运动的平移旋转运动机构(60)。基板保持部(10)具有多个辊(11)。多个辊(11)构成为能够以各辊(11)的轴心为中心旋转,并具有能够与晶片(W)的周缘部接触的基板保持面(11a)。研磨头(50)相比于基板保持面(11a)配置在下方,具有对研磨带(31)进行按压的研磨托板(55)、和将研磨托板(55)向上方抬起的加压机构(52)。

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