-
公开(公告)号：CN109560788A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810929093.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种弹性波装置，包括：压电体层；叉指换能器(IDT)电极，设置在所述压电体层上；高声速构件；以及低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间。所述压电体层包含钽酸锂，所述IDT电极包含多个金属层，所述多个金属层包括Al金属层和密度比Al高的金属层。在λ表示由所述IDT电极的电极指间距规定的波长，TLT(％)表示利用所述波长λ得到的所述压电体层的归一化膜厚，TELE(％)表示利用所述波长λ得到的所述IDT电极的Al换算归一化膜厚时，满足以下的式1：301.74667-10.83029×TLT-3.52155×TELE+0.10788×TLT2+0.01003×TELE2+0.03989×TLT×TELE≥0…式1。
-
公开(公告)号：CN106105031B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201580012779.1
申请日：2015-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在通带内不易产生梳型电容电极中的弹性波的各模式的寄生成分且生产率优异的弹性波滤波器装置。一种声表面波滤波器装置，是具有依次层叠有高声速部件(5)、低声速膜(6)、压电膜(7)以及IDT电极(8)的构造的滤波器，其中，在上述压电膜(7)上设置有与滤波器电连接的梳型电容电极(10)。将由所述梳型电容电极(10)的电极指间距决定的波长设为λc，在所述梳型电容电极(10)中产生的声表面波的模式中，将P+SV波的声速设为VC‑(P+SV)，将SH波的声速设为VC‑SH，将SH波的高阶模中的位于最低的频率侧的高阶模的声速设为VC‑HO，此时，Vc‑(P+SV)＜VC‑SH＜Vc‑HO，将所述滤波器的低频侧的截止频率设为fF‑L，将高频侧的截止频率设为fF‑H，将在所述梳型电容电极(10)中产生的声表面波的传播方向用相对于压电膜的结晶的欧拉角表示为(0°，θ，ψ)，此时，对于任意的θ和ψ，设为VC‑(P+SV)/λC＜fF‑L且VC‑SH/λC＞fF‑H，或者设为VC‑SH/λC＜fF‑L且VC‑HO/λC＞fF‑H。
-
公开(公告)号：CN103262410B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180059880.4
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/0222 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/54 , H03H2003/023 , H03H2003/027 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49155
Abstract: 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置（1）中，在支撑基板（2）上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的弹性波声速高的高声速膜（3），在高声速膜（3）上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜（5）传播的体波声速低的低声速膜（4），在低声速膜（4）上层叠有上述压电膜（5），且在压电膜（5）的一面层叠有IDT电极（6）。
-
公开(公告)号：CN103891138A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280047258.6
申请日：2012-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/17 , H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/02574
Abstract: 本发明提供不管压电体的厚度偏差如何都难以产生频率特性的偏差且能提高机电耦合系数k2的弹性波装置。弹性波装置(1)在支承基板(2)上层叠介质层(3)、压电体(4)以及IDT电极(5)，所述介质层(3)由包含低速介质和高速介质的介质构成，其中低速介质是与在压电体中传播、利用的弹性波的传播速度相比与该弹性波的主振动分量相同的体波的传播速度低的介质，高速介质是与该弹性波的主振动分量相同的体波的传播速度高于该弹性波的传播速度的介质。
-
公开(公告)号：CN112054780B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010497318.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 提供能抑制通带外的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)具备高声速支承基板(3)、设置在高声速支承基板(3)上的低声速膜(4)、设置在低声速膜(4)上的压电体层(5)和设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在高声速支承基板(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高。在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的体波的声速低。低声速膜(4)具有第1部分(A)和位于比第1部分(A)更靠高声速支承基板(3)侧的第2部分(B)。第1部分(A)及第2部分(B)由同种材料构成。在将低声速膜(4)的第1部分(A)处的密度设为ρ1，将第2部分(B)处的密度设为ρ2时，密度ρ1和密度ρ2不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112868177B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201980066809.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生Q的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电体(5)，具有相互对置的一个主面以及另一个主面；IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面上，具有多根电极指(11、12)；高声速构件(3)，配置在压电体(5)的另一个主面侧，传播的体波的声速比在压电体(5)传播的弹性波的声速高；以及第1电介质膜(13)，设置在电极指(11、12)的上表面，在IDT电极(6)的电极指(11、12)间有不存在电介质的部分。
-
公开(公告)号：CN110663175B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880034029.8
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种即使在调整了相对带宽的情况下也不易产生Q值的劣化的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，在高声速材料层(2)上直接或间接地设置有压电体(4)，在压电体(4)上直接或间接地设置有IDT电极(5)，IDT电极(5)具有第一汇流条(11)、与第一汇流条(11)隔开的第二汇流条(12)、多根第一电极指(13)、以及多根第二电极指(14)，IDT电极(5)被加权，加权是具有不与第一汇流条(11)以及第二汇流条(12)电连接的浮置电极指(17)的加权，或者是具有通过将第一电极指(13)彼此或第二电极指(14)彼此的电极指间缝隙金属化而一体化了的电极指的加权。
-
公开(公告)号：CN110431743B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880016602.2
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与Vsi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)。
-
公开(公告)号：CN110999080B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880051492.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在其它弹性波滤波器中不易产生由高阶模造成的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，是硅基板；氮化硅膜(3)，层叠在支承基板(2)上；氧化硅膜(4)，层叠在氮化硅膜(3)上；压电体(5)，层叠在氧化硅膜(4)上，且由钽酸锂构成；以及IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面，关于压电体的波长归一化膜厚TLT、压电体的欧拉角θLT、所述氮化硅膜的波长归一化膜厚TN、氧化硅膜(4)的波长归一化膜厚TS、通过所述IDT电极的波长归一化膜厚和所述IDT电极的密度相对于铝的密度之比的积求出的、换算为铝的厚度的IDT电极(6)的波长归一化膜厚TE、支承基板(2)的传播方向ψSi、支承基板(2)的波长归一化膜厚TSi的值，TLT、θLT、TN、TS、TE、ψSi被设定为由下述的式(1)表示的与第一高阶模的响应强度对应的Ih、与第二高阶模的响应强度对应的Ih、以及与第三高阶模的响应强度对应的Ih中的至少一个大于‑2.4，且TSi>20。[数学式1]
-
公开(公告)号：CN111448757B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880079648.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在将弹性波元件和半导体元件形成为一体来谋求小型化的同时，降低向支承构件的漏电流的产生。电子部件(1)具备支承构件(2)、压电膜(4)和IDT电极(5)。支承构件(2)以硅为主成分。压电膜(4)直接或者间接地设置在支承构件(2)上。IDT电极(5)包含多个电极指(51)。多个电极指(51)相互隔离地排列设置。IDT电极(5)设置在压电膜(4)的主面(41)。在将由IDT电极(5)的电极指间距规定的弹性波的波长设为λ的情况下，压电膜(4)的膜厚(L1)为3.5λ以下。在支承构件(2)中，高杂质浓度区域(27)与低杂质浓度区域(28)相比远离压电膜(4)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
106
records
(took 0.029 seconds)
