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公开(公告)号:CN1920630A
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:CN200610101191.6
申请日:2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L27/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺,它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形,本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量,并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号:CN1268968C
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN01123106.8
申请日:2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺,它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形,本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量,并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号:CN1804709A
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200610002501.9
申请日:2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺,它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形,本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量,并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号:CN1208671C
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN00131380.0
申请日:2000-09-11
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136213
Abstract: 液晶显示装置包括分别设在不同层中的像素电极和反电极,不同的层位于通过夹在其中的液晶彼此相对的每个透光基底的液晶侧像素区域中。反电极使得在反电极和像素电极间产生有平行于透光基底的分量的电场。像素电极和反电极之一作为比另一个电极更接近液晶的层形成,另一个电极作为从一个电极重叠在其上至少一个区域的边界向外伸出的透光电极形成。在像素电极和反电极间形成与每个像素电极和反电极电容耦合的传导层。
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公开(公告)号:CN1178098C
公开(公告)日:2004-12-01
申请号:CN02141426.2
申请日:2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2202/104
Abstract: 一种液晶显示装置,以半导体层为一方的电极,隔着绝缘膜在与保持电容配线之间形成电容组件,在该保持电容配线上施加使MOS型晶体管经常为ON状态的电压。本发明可得到保持电容值大,而可稳定显示TFT显示装置。
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