-
公开(公告)号：CN101943667B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010298495.2
申请日：2006-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01N22/00
CPC classification number: G01N22/00
Abstract: 通过具有用于将电磁波转换成电信号的天线、用于检测化学反应的检测部分、和用于控制天线和检测部分的控制部分，提供了便利性增强的半导体器件。检测部分包括至少检测元件，控制部分包括至少晶体管。检测元件包括用于固化核酸、蛋白质、酶、抗原、抗体和微生物中至少任一的反应层。或者，半导体器件包括天线、检测部分、控制部分和存储部分。存储部分包括至少存储元件，存储元件包括第一导电层、第二导电层、和位于第一导电层和第二导电层之间的层。
-
公开(公告)号：CN1767203B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200510116092.0
申请日：2005-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G3/3648 , G09G2310/0251 , G11C13/0016
Abstract: 本发明提供一种包括非易失性存储器电路的显示器件和利用该显示器件的电子设备，能够在不增加制造步骤的数量的情况下将数据加入到该存储器电路中。本发明的显示器件具有存储器电路，该存储器电路包括具有简单结构的存储器元件，在该存储器元件中将有机化合物层插入一对导电层之间。根据具有上述结构的本发明，可在不增加制造步骤的数量的情况下提供一种具有可加入数据的易失性存储器电路的显示器件。
-
公开(公告)号：CN102682332A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110430281.0
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01L27/12 , H01L27/144
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/077 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L27/144
Abstract: 本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。
-
公开(公告)号：CN101180641B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200680010996.8
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/077 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L27/144
Abstract: 本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。
-
公开(公告)号：CN101115990B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200680004209.9
申请日：2006-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01N27/00 , G01N27/416 , G01N33/53
CPC classification number: G01N22/00
Abstract: 通过具有用于将电磁波转换成电信号的天线、用于检测化学反应的检测部分、和用于控制天线和检测部分的控制部分，提供了便利性增强的半导体器件。检测部分包括至少检测元件，控制部分包括至少晶体管。检测元件包括用于固定化核酸、蛋白质、酶、抗原、抗体和微生物中至少任一的反应层。或者，半导体器件包括天线、检测部分、控制部分和存储部分。存储部分包括至少存储元件，存储元件包括第一导电层、第二导电层、和位于第一导电层和第二导电层之间的层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1757052B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200480005539.0
申请日：2004-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3267 , G06F1/1616 , G06F1/1637 , G06F1/1647 , G06F1/1677 , G06F1/1686 , G06F3/1423 , G06F2200/1614 , G09G2300/023 , G09G2340/0492 , H01L27/3209 , H01L27/3234 , H01L51/5262 , H01L51/5281 , H01L2251/5323 , H01L2251/558 , H04M1/0214 , H04M1/0245 , H04M1/72519 , H04M2250/16
Abstract: 本发明的课题是：提供实现了高功能化与高附加值化的显示装置、便携终端。在具有透光性的基板的一表面上具有矩阵状配置的多个像素及第1显示画面，在与上述基板的一表面相反的表面上具有第2显示画面，上述多个像素的各个具有在上述第1显示画面及第2显示画面方向上发光的发光元件。而且，该课题是提供具有下述特征的显示装置、便携终端：在上述基板的一表面上具有第1偏振片，在与上述基板的一表面相反的表面上具有第2偏振片。
-
公开(公告)号：CN100474621C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510067204.8
申请日：2005-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 在为TFT配备LDD区的情形中，必需单独形成将作为掩模的绝缘膜或设计栅电极层的形状，以便使注入半导体膜的杂质浓度不同；因此，构图步骤的数目必然增加，并且步骤变得复杂。按照本发明一个特征的半导体器件包括半导体层，该半导体层包括沟道区、一对杂质区和一对低浓度杂质区；以及具有膜厚度不均匀的单层结构或层叠结构的栅电极层，通过将栅绝缘膜夹在栅电极层与半导体层之间，栅电极层与半导体层发生接触。具体地说，通过采用微滴排放法，能够容易地形成膜厚度不均匀的栅电极层；因此，微滴排放法的便利性得以充分利用。
-
公开(公告)号：CN100454119C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410044591.9
申请日：2004-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F2202/104 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种其生产性被提高了的液晶显示器件以及其制作方法。本发明的一个特征是：具有第一衬底；第二衬底；夹在第一衬底和第二衬底之间的液晶层；以及第三衬底，所述第一衬底包括在扫描线中间夹绝缘层和数据线交叉的区域中，以非晶半导体或有机半导体作为沟道部分的第一薄膜晶体管；所述第三衬底包括以晶体半导体为沟道部分的第二薄膜晶体管，其中，晶体半导体的晶粒间界沿着第二薄膜晶体管中的电子或空穴流动的方向延伸；第一衬底和第二衬底被键合在一起，并使第一衬底被暴露出来；第三衬底被粘合在第一衬底的被暴露出来的部分；第三衬底上提供有形成第二薄膜晶体管的第一区域和形成输入输出端子的第二区域，且第三衬底的短边为1-6mm，第一区域的短边为0.5-1mm。
-
公开(公告)号：CN100377494C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03100795.3
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03F3/50
Abstract: 由于制造过程或所采用的基片中的差别而引起的门极绝缘薄膜中的变化，以及沟道区域晶体状态中的变化，这两种因素的结合产生的阈值电压的变化或变动性困扰着晶体管。本发明提供了一种电路，该电路具有一种配置，使得电容元件的两个电极能够保持一个特定晶体管的门极-源极电压。本发明提供了一种电路，该电路能够通过使用一种恒流源来在所述电容元件的两个电极之间设定一个电位差。
-
公开(公告)号：CN1697196A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510067204.8
申请日：2005-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 在为TFT配备LDD区的情形中，必需单独形成将作为掩模的绝缘膜或设计栅电极层的形状，以便使注入半导体膜的杂质浓度不同；因此，构图步骤的数目必然增加，并且步骤变得复杂。按照本发明一个特征的半导体器件包括半导体层，该半导体层包括沟道区、一对杂质区和一对低浓度杂质区；以及具有膜厚度不均匀的单层结构或层叠结构的栅电极层，通过将栅绝缘膜夹在栅电极层与半导体层之间，栅电极层与半导体层发生接触。具体地说，通过采用微滴排放法，能够容易地形成膜厚度不均匀的栅电极层；因此，微滴排放法的便利性得以充分利用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.053 seconds)
