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公开(公告)号：CN1975345B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200610163607.7
申请日：2006-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C99/00 , G01R31/302
CPC classification number: B81C99/004 , G01R31/3025
Abstract: 微结构体的测试方法以及微机械本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。
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公开(公告)号：CN102169850B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201110034786.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2224/24145 , H01L2224/76155 , H01L2924/01019 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为“半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置”。在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN101405215B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200780009662.3
申请日：2007-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/762 , B32B38/10 , B81C3/008 , B81C2201/019 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法。制造微结构和微机械而无需牺牲层蚀刻。分离层102被形成于衬底101上方，并且作为可移动电极的层103被形成于分离层102上方。在分离层102的界面处，作为可移动电极的层103被从衬底分离开。作为固定电极的层106被形成于另一衬底105上方。作为可移动电极的层103隔着部分地设置的间隔层103被固定到衬底105上，使得作为可移动电极的层103与作为固定电极的层106彼此相对置。
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公开(公告)号：CN101041413B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200710088154.0
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81B7/008 , B81C1/00246 , B81C2203/0742 , H01L27/1222 , H01L29/78678
Abstract: 电路的半导体元件在栅电极上具有半导体层。半导体元件的半导体层由通过在衬底上进行加热处理或激光照射使非晶硅结晶化而成的包含多晶硅的层构成。所获得的包含多晶硅的层还用作结构体的可动电极等的结构层。因此，可以在同一衬底上同时形成结构体和控制结构体的电路。其结果，可以使微机械小型化。另外，不需要组装或封装，因此可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101024481B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200610163587.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/065 , H01L27/20 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC classification number: B60C23/0493 , A61B5/02444 , A61B5/681 , B60C23/04 , B60C23/0408 , B60C23/0411 , B60C23/0413 , B60C23/20 , B81C1/0023 , G01L1/16 , G01L17/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/54 , H01L24/93 , H01L27/20 , H01L35/34 , H01L41/25 , H01L41/311 , H01L41/313 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , Y10T29/42 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法。本发明旨在形成MEMS和具有该MEMS的传感器，而不进行蚀刻牺牲层的步骤。本发明的技术要点是如下：形成使用隔层形成了空间的MEMS和具有该MEMS的传感器。通过采用使用隔层形成了空间的MEMS，不需要形成牺牲层的步骤及蚀刻该牺牲层的步骤。结果，没有蚀刻时间的限制，并可以提高成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834312A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010143783.0
申请日：2010-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M10/058 , H01M4/139 , H01G9/048
CPC classification number: H01M10/058 , C23F4/00 , H01G9/016 , H01G9/02 , H01G9/038 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/24 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/52 , H01G11/60 , H01G11/68 , H01M2/16 , H01M4/0404 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , H01M10/0569 , H01M2004/021 , H01M2300/0025 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明涉及一种蓄电装置，其中包括：正极，该正极具有正极集电体、设置在所述正极集电体上且具有多个第一突起的正极活性物质、及设置在所述多个第一突起的每一个尖端上的第一绝缘体；负极，该负极具有负极集电体、设置在所述负极集电体的表面且具有多个第二突起的负极活性物质、及设置在所述多个第二突起的每一个尖端上的第二绝缘体；设置在所述正极和负极之间的隔离物；以及设置在所述正极和负极之间的空间且包含载体离子的电解质，在所述第一突起及第二突起的每一个中，高度对宽度的比例是3以上且1000以下对1，即(3～1000)∶1。
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公开(公告)号：CN101041413A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088154.0
申请日：2007-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81B7/008 , B81C1/00246 , B81C2203/0742 , H01L27/1222 , H01L29/78678
Abstract: 电路的半导体元件在栅电极上具有半导体层。半导体元件的半导体层由通过在衬底上进行加热处理或激光照射使非晶硅结晶化而成的包含多晶硅的层构成。所获得的包含多晶硅的层还用作结构体的可动电极等的结构层。因此，可以在同一衬底上同时形成结构体和控制结构体的电路。其结果，可以使微机械小型化。另外，不需要组装或封装，因此可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101033057A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086232.3
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B81B3/001 , B81C2201/115 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。
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公开(公告)号：CN101024481A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610163587.3
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B60C23/0493 , A61B5/02444 , A61B5/681 , B60C23/04 , B60C23/0408 , B60C23/0411 , B60C23/0413 , B60C23/20 , B81C1/0023 , G01L1/16 , G01L17/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/54 , H01L24/93 , H01L27/20 , H01L35/34 , H01L41/25 , H01L41/311 , H01L41/313 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , Y10T29/42 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法。本发明旨在形成MEMS和具有该MEMS的传感器，而不进行蚀刻牺牲层的步骤。本发明的技术要点是如下：形成使用隔层形成了空间的MEMS和具有该MEMS的传感器。通过采用使用隔层形成了空间的MEMS，不需要形成牺牲层的步骤及蚀刻该牺牲层的步骤。结果，没有蚀刻时间的限制，并可以提高成品率。
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公开(公告)号：CN1974373A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163096.9
申请日：2006-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00682 , B81B2203/0118
Abstract: 微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明的目的在于提供提高结构层的剪切应力的微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属膜；对于金属膜照射激光；减少或除去金属膜的针形结晶；对所述金属膜进行蚀刻加工成规定的形状来形成金属层；其后除去牺牲层。通过以上操作，可以提供微结构的可移动部分的耐破断性高且可靠性高的微电子机械系统。
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