公开(公告)号：CN102635731A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210033121.7

申请日：2012-02-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小宫玄 ,  今井隆浩 ,  山崎显一 ,  佐藤纯一 ,  浅利直纪 ,  木下晋 ,  阪口修 ,  竹井义博 ,  阵副贵央 ,  斋藤敏久 ,  大桥重春 ,  关尚子

IPC: F16K51/02 ,  B29C39/02 ,  B29C39/26

Abstract: 本发明提供了一种模制真空阀，其包括：真空绝缘容器(1)，容纳一对自由的可分离的接触件；密封配件(2)、(3)，密封地连接到真空绝缘容器(1)的两个开口；金属帽(6)、(9)，设置来盖住真空绝缘容器(1)和密封配件(2)、(3)的密封区域；导电性弹性部件(7)、(10)，以接触方式安装在密封配件(2)、(3)和金属帽(7)、(9)之间，并且由规定压力压缩；和绝缘层(11)，用热固树脂形成于真空绝缘容器(1)的周缘，围绕着金属帽(6)、(9)。

公开(公告)号：CN101672868A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910174389.0

申请日：2009-09-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥正雄 ,  佐藤纯一

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/22

CPC classification number: G01R15/241 ,  H02B13/0356

Abstract: 提供了一种光学电压测量设备，其包括主电路导体(1)，绝缘地支撑主电路导体(1)并固定到接地构件(3)的电介质体(4)，掩埋在电介质体(4)中的掩埋电极(6)，以及连接到掩埋电极(6)并测量主电路导体(1)的电压的电光元件(20)，其中，将由主电路导体(1)和掩埋电极(6)之间生成的静电电容与掩埋电极(6)和接地构件(3)之间生成的静电电容之间的静电电容比所分的电压施加到电光元件(20)。

公开(公告)号：CN1320562C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410095672.1

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木下晋 ,  佐藤纯一 ,  阪口修 ,  久保田信孝 ,  宫川胜 ,  大野正道 ,  斋藤敏久 ,  盐入哲 ,  槙岛聪 ,  清水敏夫

IPC: H01B19/00

Abstract: 模制电器的接地层形成方法易于在短时间内形成外表面接地模制电器的接地层。其特征是由在模具涂布硅酮类脱模剂，用前述模具使主电路端露出将绝缘材料模制成型，准备形成了绝缘层(2)的电器的工序；在前述绝缘层(2)的外表面，涂布与前述硅酮类脱模剂具有相溶性的可漆性硅酮的工序；在该绝缘层(2)的外表面，涂布环氧树脂类导电性涂料形成接地层(5)的工序组成，涂布前述可漆性硅酮后，保持该状态涂布前述环氧树脂类导电性涂料。

公开(公告)号：CN1319232C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN03120259.4

申请日：2003-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤纯一 ,  阪口修 ,  久保田信孝 ,  宫川胜 ,  大野正道 ,  斋藤敏久 ,  盐入哲 ,  槙岛聪 ,  木下晋

IPC: H02B13/00 ,  H02B13/02

CPC classification number: H02B13/01 ,  H01H2033/6623

Abstract: 本发明提供了一种易于推广的开关装置。根据本发明的开关装置包括多个组件，这些组件包括一第一组件和一第二组件；第一组件包括一个第一开关装置构成设备、一个使所述开关装置构成设备绝缘的第一绝缘部分和一个沿垂直方向连接所述开关装置构成设备的第一连接部分；第二组件包括一个第二开关装置构成设备、一个使所述第二开关装置构成设备绝缘的第二绝缘部分和一个沿垂直方向连接第二开关装置构成设备的第二连接部分，以及其中，第一组件和第二组件沿垂直方向连接在一起。

公开(公告)号：CN1114220C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN96191162.X

申请日：1996-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡边宪治 ,  内山工美 ,  影长宜贤 ,  佐藤纯一 ,  金子英治 ,  本间三孝 ,  染井宏道

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H33/6644 ,  H01H1/0206 ,  H01H33/185 ,  H01H33/6645

Abstract: 本发明公开了一种真空阀，在其电极中心外加磁通密度Bct，该磁通密度在轴向磁通密度Bcr的0.75～0.9倍的范围内，该轴向磁通密度Bcr是相对于各断路电流在电极间的电弧电压为最低时的轴向磁通密度。并且，从电极中心向电极外周部使轴向磁通密度单调增加。在这里，外加产生最低电弧电压Vmin的轴向磁通密度Bcr的半径位置在电极半径20～40%的范围内。轴向磁通密度从该范围更向外部走时进一步单调增加，在电极半径的70%以上的外面的区域取得极大值BP。该极大值BP在电极中心磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。另外，在电极外周区域轴向磁通密度为最大的半径位置处的轴向磁通密度在电极圆周方向的分布呈凹凸变化。该在圆周方向的轴向磁通密度在全周内至少呈现2个峰值地进行分布。在这里，圆周方向的磁通密度分布的最大值Bmax与最小值Bmin在电极中心部的轴向磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。