真空阀
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1114220C

    公开(公告)日:2003-07-09

    申请号:CN96191162.X

    申请日:1996-09-04

    CPC classification number: H01H33/6644 H01H1/0206 H01H33/185 H01H33/6645

    Abstract: 本发明公开了一种真空阀,在其电极中心外加磁通密度Bct,该磁通密度在轴向磁通密度Bcr的0.75~0.9倍的范围内,该轴向磁通密度Bcr是相对于各断路电流在电极间的电弧电压为最低时的轴向磁通密度。并且,从电极中心向电极外周部使轴向磁通密度单调增加。在这里,外加产生最低电弧电压Vmin的轴向磁通密度Bcr的半径位置在电极半径20~40%的范围内。轴向磁通密度从该范围更向外部走时进一步单调增加,在电极半径的70%以上的外面的区域取得极大值BP。该极大值BP在电极中心磁通密度Bct的1.4~2.4倍的范围内。另外,在电极外周区域轴向磁通密度为最大的半径位置处的轴向磁通密度在电极圆周方向的分布呈凹凸变化。该在圆周方向的轴向磁通密度在全周内至少呈现2个峰值地进行分布。在这里,圆周方向的磁通密度分布的最大值Bmax与最小值Bmin在电极中心部的轴向磁通密度Bct的1.4~2.4倍的范围内。

    真空开关和用于其的电极组件

    公开(公告)号:CN103930965A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201280056086.9

    申请日:2012-10-30

    Applicant: 伊顿公司

    CPC classification number: H01H33/6643 H01H33/6645

    Abstract: 一种电极组件(100,200,300)被提供用于真空开关(2,2'),该真空开关(2,2')包括:真空封套(4,4');固定触点组件(6,6'),其包括在真空封套(4,4')内设置的固定触点(8,8');以及可移动触点组件(10,10'),其包括在真空封套(4,4')内设置的可移动触点(12,12'),并且在与固定触点(8,8')电接触的闭合位置和从固定触点(8,8')间隔开的打开位置之间可移动。电极组件(100,200,300)包括至少一个电极束(102,104;202,204;302),其具有耦合到固定触点组件(6,6')和可移动触点组件(10,10')中相应一个组件的多个电极(106,108;206,208;306)。电极(106,108;206,208;306)从固定触点(8,8')和可移动触点(12,12')中的相应一个触点处或附近朝向真空封套(4,4')的第一端(14,14')和真空封套(4,4')的第二端(16,16')中的较近端延伸。

    一种高压真空灭弧室的触头

    公开(公告)号:CN103762116B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201410025353.7

    申请日:2014-01-20

    CPC classification number: H01H33/664 H01H33/6644 H01H33/6645

    Abstract: 本发明提供了一种高压真空灭弧室的触头,属于真空灭弧室技术领域。它解决了高压真空灭弧室因触头电阻而导致真空腔室热量高的问题。本发明的触头包括导电连接件、环状的外触头和位于外触头环内并与外触头不接触的内触头,所述导电连接件、内触头和外触头位于同一轴心线上且内触头的接触面和外触头的接触面位于同一平面上,所述外触头固定在所述导电连接件上,在所述导电连接件外套有能够生成轴向磁力场的轴向磁力场器件,所述轴向磁力场器件与导电连接件固连,所述内触头固定在所述导电连接件上,在所述导电连接件外套设有能够生成周向磁力场的周向磁力场器件。本发明在高压环境中实现快速灭弧以及减少真空腔室的热量。

    真空阀
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1166232A

    公开(公告)日:1997-11-26

    申请号:CN96191162.X

    申请日:1996-09-04

    CPC classification number: H01H33/6644 H01H1/0206 H01H33/185 H01H33/6645

    Abstract: 本发明公开了一种真空阀,在其电极中心外加磁通密度Bct,该磁通密度在轴向磁通密度Bcr的0.75~0.9倍的范围内,该轴向磁通密度Bcr是相对于各断路电流在电极间的电弧电压为最低时的轴向磁通密度。并且,从电极中心向电极外周部使轴向磁通密度单调增加。在这里,外加产生最低电弧电压Vmin的轴向磁通密度Bcr的半径位置在电极半径20~40%的范围内。轴向磁通密度从该范围更向外部走时进一步单调增加,在电极半径的70%以上的外面的区域取得极大值Bp。该极大值Bp在电极中心磁通密度Bct的1.4~2.4倍的范围内。另外,在电极外周区域轴向磁通密度为最大的半径位置处的轴向磁通密度在电极圆周方向的分布呈凹凸变化。该在圆周方向的轴向磁通密度在全周内至少呈现2个峰值地进行分布。在这里,圆周方向的磁通密度分布的最大值Bmax与最小值Bmin在电极中心部的轴向磁通密度Bct的1.4~2.4倍的范围内。

    一种高压真空灭弧室的触头

    公开(公告)号:CN103762116A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410025353.7

    申请日:2014-01-20

    CPC classification number: H01H33/664 H01H33/6644 H01H33/6645

    Abstract: 本发明提供了一种高压真空灭弧室的触头,属于真空灭弧室技术领域。它解决了高压真空灭弧室因触头电阻而导致真空腔室热量高的问题。本发明的触头包括导电连接件、环状的外触头和位于外触头环内并与外触头不接触的内触头,所述导电连接件、内触头和外触头位于同一轴心线上且内触头的接触面和外触头的接触面位于同一平面上,所述外触头固定在所述导电连接件上,在所述导电连接件外套有能够生成轴向磁力场的轴向磁力场器件,所述轴向磁力场器件与导电连接件固连,所述内触头固定在所述导电连接件上,在所述导电连接件外套设有能够生成周向磁力场的周向磁力场器件。本发明在高压环境中实现快速灭弧以及减少真空腔室的热量。

    真空故障断路器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101772865B

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN200880101951.0

    申请日:2008-06-03

    Inventor: P·N·斯多文

    Abstract: 本发明的真空故障断路器包括电极组件,电极组件包括电接触体;绝缘体,绝缘体包括基本上绕电极组件设置的电绝缘材料;以及屏蔽,屏蔽设置在绝缘体和电极组件之间,并且被配置为阻止来自电极组件的电接触体的电弧等离子体沉积在绝缘体表面的至少部分上,屏蔽包括被配置来使屏蔽与绝缘体对准的第一段、从绝缘体延伸离开的第二段,以及延伸向绝缘体并包括屏蔽的尖梢的最末段,最末段不延伸向第二段;其中第一段和最末段之间的轴向距离大于第一段和第二段之间的轴向距离;并且其中垂直于并且延伸通过电极组件的纵轴的线延伸通过尖梢,并且仅在屏蔽的截面中的两个位置与屏蔽相交。本发明被配置为耐受远超出系统电压的瞬态电压。

Patent Agency Ranking