公开(公告)号：CN101047229A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710089699.3

申请日：2007-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福泽英明 ,  黑崎义成 ,  汤浅裕美 ,  藤庆彦 ,  岩崎仁志

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/398 ,  G11B5/455 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

Abstract: 磁阻效应元件包括磁化固定层、分隔层和磁化自由层，该磁化固定层含有第一晶粒，并具有基本固定在一个方向上的磁化方向；该分隔层配置在磁化固定层上并且含有绝缘层和贯通绝缘层的金属导体；该磁化自由层含有第二晶粒，并配置在分隔层上与金属导体相对，并且具有对应外部磁场改变的磁化方向。

公开(公告)号：CN1953061A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610137368.8

申请日：2006-10-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤庆彦 ,  福泽英明 ,  汤浅裕美 ,  岩崎仁志

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09

CPC classification number: C23C8/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C8/34 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  C23C28/42 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/305

Abstract: 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。