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公开(公告)号：CN112786074B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010952619.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
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公开(公告)号：CN112466341B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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公开(公告)号：CN113889152A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN111681684B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910851771.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/35
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括：屏蔽件；磁极；第1磁性层，其设置在屏蔽件与磁极之间；第2磁性层，其设置在第1磁性层与磁极之间；第3磁性层，其设置在第2磁性层与磁极之间；第1非磁性层，其设置在屏蔽件与第1磁性层之间；第2非磁性层，其设置在第1磁性层与第2磁性层之间；第3非磁性层，其设置在第2磁性层与第3磁性层之间；以及第4非磁性层，其设置在第3磁性层与磁极之间。第1非磁性层和第3非磁性层包含选自由Cu、Ag、Au、Al以及Ti构成的组中的至少一种。第2非磁性层和第4非磁性层包含选自由Ta、Pt、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh、Pd以及Ru构成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN111210847B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910789284.X
申请日：2019-08-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录再现装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、磁性层、第1导电层及第2导电层。磁性层设置于磁极与第1屏蔽件之间。第1导电层设置于第1屏蔽件与磁性层之间，与第1屏蔽件及磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种。第2导电层设置于磁极与磁性层之间。第2导电层包括第1区域及第2区域。第1区域与磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素。第2区域设置于第1区域与磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119446196A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410086490.5
申请日：2024-01-22
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本公开提供能够提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括再现部。所述再现部包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、第3屏蔽件、第4屏蔽件、第1磁性层、第1中间层及第2中间层。从所述第3屏蔽件朝向所述第4屏蔽件的第2方向与从所述第1屏蔽件朝向所述第2屏蔽件的第1方向交叉。所述第1磁性层设置在所述第1屏蔽件与所述第2屏蔽件之间、以及所述第3屏蔽件与所述第4屏蔽件之间。所述第1中间层设置在所述第1屏蔽件与所述第1磁性层之间，为非磁性。所述第2中间层设置在所述第1磁性层与所述第2屏蔽件之间，为非磁性。所述第2中间层的沿着所述第2方向的第2中间层长度比所述第1中间层的沿着所述第2方向的第1中间层长度短。
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公开(公告)号：CN114927147B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN117917732A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310990375.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、导电部、元件部、第1端子、第2端子、第3端子以及第4端子。所述导电部与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘。所述第1端子及所述第2端子与所述导电部电连接。所述元件部设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接，是导电性的。所述第3端子与所述第1磁极电连接。所述第4端子与所述第2磁极电连接。向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
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公开(公告)号：CN115910115A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210065035.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、屏蔽件以及非磁性层。所述非磁性层设置在所述磁极与所述屏蔽件之间。所述非磁性层与所述磁极以及所述屏蔽件相接。所述非磁性层包含选自Cu、Au、Cr、V、Al以及Ag中的至少一种第1元素。
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公开(公告)号：CN114512149A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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