公开(公告)号：CN103460411A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201380000993.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明所公开的氮化物半导体发光元件是以非极性面为生长面的发光元件，GaN/InGaN多量子阱有源层（105）包括配置于InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）内的、InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）与GaN势垒层（103）之间的、或GaN势垒层（103）的InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）侧的区域的Si掺杂层（110），GaN势垒层（103）的生长方向一侧界面的Si浓度为0或低于Si掺杂层（110）的Si浓度。

公开(公告)号：CN102422391B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201080020617.X

申请日：2010-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田俊治 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。

公开(公告)号：CN102334204B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080009597.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  岩永顺子 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。

公开(公告)号：CN102484180A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038204.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN102369590A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014405.0

申请日：2010-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤金正树 ,  井上彰 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16

Abstract: 实行如下工序：将至少在上表面具有-r面氮化物半导体结晶的基板配置在反应室内的工序(S1)；将反应室内的基板进行加热，而使基板的温度上升的升温工序(S2)；在基板上使氮化物半导体层生长的生长工序(S3)。在升温工序(S2)中，将氮气源和III族元素气源供给到反应室内。

公开(公告)号：CN102326267A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008160.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体发光元件是具有氮化物系半导体层叠结构(50a)的氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体层叠结构(50a)包括：包含AlaInbGacN结晶层(a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0)的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)(d+e＝1，d＞0，e≥0)；和AlfGagN层(38)(f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d)，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括含有浓度在1×1016atms/cm3以上且8×1018atms/cm3以下的In的层(35)。氮化物系半导体层叠结构(50a)的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。

公开(公告)号：CN101971364A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980101726.1

申请日：2009-06-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/30 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN1805776A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016352.0

申请日：2004-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣纯 ,  加藤亮 ,  须贺亮介 ,  中岛隆弘 ,  森丰 ,  相马尚胤 ,  桥口幸平 ,  源水和夫

IPC: B01D46/00 ,  B01D46/46 ,  B01D39/14 ,  F24F7/00 ,  A62B18/02

Abstract: 本发明的空气清洁机，形成吸入口和吹出口，在本体内的送风机构的空气通道上设置具备芳香族羟基化合物的抗变态反应原过滤片，通过把吸入口设在前面下方部，可以有效地吸入位于地面附近的花粉及螨的尸体等使过敏活性非活性化。本发明的处理液，把水溶性材料和非水溶性材料溶解乃至分散到水和赛璐索芙类及/或乙氧基乙醇类的混合溶媒而调制成。本发明的功能性过滤片，可以把上述处理液添附在过滤片基材上进行制造。本发明的装置，把上述功能性过滤片配置在空气或水的吸入口和吹出口之间而构成。本发明的空气清洁过滤片，添附了从具有抗变态反应原性的原材料、具有抗菌性的原材料、具有抗病毒性的原材料以及具有防霉性的原材料中选择的两个以上的原材料而构成。本发明的装置，把上述空气清洁过滤片配置在空气的吸入口和吹出口之间。

公开(公告)号：CN1364100A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800411.3

申请日：2001-02-26

Applicant: 松下精工株式会社

Inventor： 加藤亮 ,  田代义和

IPC: B03C3/38 ,  B03C3/41 ,  B03C3/45 ,  B03C3/60 ,  B03C3/14

Abstract: 本发明的集尘装置,通过使用不产生电晕放电而只放出空气离子的离子放出装置使粉尘带电,具有极力抑制电力消耗和臭氧产生量的特征。电气集尘式集尘装置以由放电电极和接地电极构成的带电部、由电压外加电极板和接地电极板构成的集尘部、风扇的顺序构成。导入集尘装置的粉尘是通过由在带电部产生的电晕放电破坏空气的绝缘而产生空气离子而被带电,用形成电场的集尘部除去该粉尘,但是存在由于在带电部产生电晕放电,因此放电电流大、电力消耗和臭氧产生量大的问题。

公开(公告)号：CN3220887D

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01319592.1

申请日：2001-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下精工株式会社

Designer： 甲斐彻 ,  加藤亮 ,  四田昌弘