-
公开(公告)号：CN102668099A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180004344.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2251/5338 , H05B33/10
Abstract: 本发明提供一种挠性半导体装置及其制造方法、以及图像显示装置。本发明的制造方法包括：准备具有凹部的金属箔的工序(a)、在金属箔的凹部的底面形成栅极绝缘膜的工序(b)、将凹部用作围堰部件来隔着栅极绝缘膜在凹部的底面上形成半导体层的工序(c)、以及以与半导体层相连的方式形成源电极和漏电极的工序(d)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598231A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004351.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/0688 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3246 , H01L29/41733 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0023 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/0545 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供一种柔性半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括：准备金属箔的工序(A)；在金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)；在绝缘层上形成支承基板的工序(C)；对金属箔的一部分进行蚀刻，而从金属箔形成源极电极及漏极电极的工序(D)；使用源极电极及漏极电极作为堤部构件，而在位于源极电极与漏极电极之间的间隙形成半导体层的工序(E)；以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式在绝缘层上形成树脂膜层的工序(F)。在工序(F)中，使树脂膜层的一部分向位于源极电极与漏极电极之间的间隙嵌合。
-
公开(公告)号：CN101911269A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102246.7
申请日：2009-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种柔性半导体装置。本发明的柔性半导体装置具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成金属层的金属的金属氧化膜，形成在金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着金属氧化膜而形成在栅极电极之上。本发明的柔性半导体装置在金属层的表面区域局部形成未被金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由非覆盖部位，源极电极和半导体层之间以及漏极电极和半导体层之间相互电连接。
-
公开(公告)号：CN1229006C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN01803188.9
申请日：2001-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B32B5/14 , B32B15/08 , H05K1/036 , H05K1/0366 , H05K3/4069 , H05K2201/0245 , H05K2201/0355 , H05K2203/0191 , H05K2203/1461 , Y10T29/49156 , Y10T428/24273 , Y10T428/24917 , Y10T428/249924 , Y10T428/24994 , Y10T428/249962 , Y10T428/249995 , Y10T428/2839 , Y10T442/2984 , Y10T442/607
Abstract: 本发明的电路形成基板的制造方法包含有下述工序，即：形成预浸片工序，该预浸片具有浸渍了树脂材料的纤维片和在所述纤维片上的由所述树脂材料构成的树脂层，并且所述树脂层的表面粗糙度为最大高度在10μm以下；将脱模性膜贴合于所述预浸片的所述树脂层的所述表面上的工序；在具有所述脱模性膜的所述预浸片上开设未贯通或贯通的孔的工序；在所述孔中填充导电糊的工序；剥离所述脱模性膜的工序；及在所述预浸片上加热压接金属箔的工序。由此，防止布线电路间的短路，防止绝缘可靠性的降低，因此可实现成品率的提高及高品质、高可靠性的电路基板。
-
公开(公告)号：CN1204786C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01143619.0
申请日：2001-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/4069 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K3/0032 , H05K3/0047 , H05K3/4614 , H05K3/4652 , H05K2201/0287 , H05K2201/029 , H05K2201/0355 , H05K2201/094 , H05K2203/1461 , Y10S428/901 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T428/24322 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/24994 , Y10T428/249953
Abstract: 一种电路基板，具备电绝缘层和布线层，其中，该电绝缘体层由在平面方向上有密度分布的增强材料片(101)构成，在上述电绝缘体层的厚度方向上开出了的多个内通路孔中充填了导电体，而且上述布线层与上述导电体连接，将在上述增强材料片(101)的密度大的部分上设置的上述内通路孔(104)的剖面面积形成得比在上述增强材料片的密度小的部分上设置的上述内通路孔(103)的剖面面积小。由此，在将含有由经线(102b)和纬线(102a)构成的玻璃布等的在平面方向上有密度分布的增强材料片的基体材料用作绝缘体层的情况下，提供实现高密度布线而且离散性小的内通路连接电阻的电路基板。
-
公开(公告)号：CN1414822A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02147043.X
申请日：2002-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K1/11
CPC classification number: B32B5/26 , B32B3/266 , B32B5/022 , B32B15/14 , B32B2250/05 , B32B2250/40 , H05K1/036 , H05K3/4069 , H05K3/4614 , H05K3/4652 , H05K2201/0116 , H05K2201/015 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/0358 , H05K2201/10378 , H05K2203/0759 , H05K2203/1461 , Y10T428/24917 , Y10T428/249971
Abstract: 本发明的课题是，提供实现与绝缘层的材质、物理性质、组合等无关、填隙式通孔连接电阻低、连接稳定性优异、具有高耐久性等特性的预浸料坯、电路基板以及它们的制造方法。含有至少一层的第1层、至少一层的第2层的叠层体，上述第1层是含有树脂的绝缘层，上述第2层是有联结本层的两面的孔部的层，从上述第2层的开孔率和平均孔径中选出的至少一方通过在该层的两面使用互不相同的预浸料坯，可以实现具有低IVH连接电阻、优异的连接稳定性、高耐久性等优异特性的电路基板。
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.04 seconds)
