公开(公告)号：CN101542730A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000421.7

申请日：2008-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  片山幸治 ,  藤井觉 ,  村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  宫永良子 ,  高木刚 ,  岛川一彦

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。

公开(公告)号：CN101501849A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780028882.0

申请日：2007-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  藤井觉 ,  三谷觉 ,  小佐野浩一

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。

公开(公告)号：CN100470634C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN03819952.1

申请日：2003-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小佐野浩一 ,  夏井昭长 ,  村冈作 ,  伊藤升 ,  二宫祥三 ,  长谷川贤治

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/187

CPC classification number: G11B5/1878 ,  G11B5/0086 ,  G11B5/02 ,  G11B5/1276 ,  G11B5/53

Abstract: 一种磁头，配置有交替层叠金属磁性膜(8)和非磁性膜(9)而构成的多层膜，在与磁性记录介质接触的面上，所述多层膜和形成了所述多层膜的磁性氧化物基板或非磁性基板之间构成的边界与间隙部(3)平行，构成所述多层膜的金属磁性膜(8)的膜厚为两种以上，或者构成所述多层膜的金属磁性膜(8)的膜厚一定，并且此时厚度t满足条件：t＜v×cosθ/fmax(其中，v表示磁头和记录介质之间的相对速度，fmax表示使用频带的上限，θ表示方位角)。从而，本发明可以提供一种能够抑制伪信号的、降低噪音的磁头和具有该磁头的磁记录再现装置。

公开(公告)号：CN1898749A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038984.7

申请日：2004-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  高桥健 ,  下田代雅文

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/34 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

Abstract: 第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。

公开(公告)号：CN1183516C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN00814080.4

申请日：2000-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川贤治 ,  村冈俊作 ,  夏井昭长 ,  小佐野浩一 ,  高桥健

IPC: G11B5/147 ,  G11B5/187 ,  G11B5/127

CPC classification number: G11B5/537 ,  G11B5/0086 ,  G11B5/105 ,  G11B5/133 ,  G11B5/147 ,  G11B5/1475 ,  G11B5/255 ,  G11B5/53 ,  G11B15/61 ,  G11B15/62

Abstract: 提供一种磁头磨损小、静止持久时间长的磁头和备有使用该磁头的高速旋转磁鼓装置的磁记录再现装置。因此，在磁头中，将由一对衬底(1)和(3)、(5)和(7)夹持软磁金属材料构成的至少一个磁性膜(2、6)构成的磁芯半体(4、8)配置为由该磁芯半体的各个磁性膜应构成磁路的磁芯半体的端面之间相互对向来形成磁隙(9)，衬底的与磁带的滑动面的至少一部分由非磁性单晶铁氧体材料构成，该非磁性单晶铁氧体材料在上述滑动面的结晶面方位大致为{110}，并且 方向与磁头相对磁带的滑动方向大致平行。

公开(公告)号：CN1180883A

公开(公告)日：1998-05-06

申请号：CN97120643.0

申请日：1997-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西斉 ,  青仓勇 ,  小佐野浩一 ,  井上靖 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1878 ,  G11B5/314 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/115

Abstract: 一种磁头,包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜,并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分,氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。