公开(公告)号：CN1294563C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN01142783.3

申请日：2001-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  笠澄研一 ,  山本和久

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/13 ,  G02F1/377 ,  H01S5/125

CPC classification number: G11B7/127 ,  G02F1/3544 ,  G02F1/3775 ,  G02F2001/3546 ,  G11B7/0065 ,  H01S5/06256

Abstract: 提供具有半导体激光器和波长变换元件并控制为所希望的波长的短波长相干光源。由具有第1波长的半导体激光器(1)、作为用于使半导体激光器(1)的波长减半的波长变换元件的光波导型QPM-SHG器件(2)、波长分离功能块(7)、衍射光栅(8)和感光元件(9)构成相干光源。通过利用波长分离功能块(7)将作为基波光的半导体激光分离并使用衍射光栅(8)进行波长控制，将通过波长变换而得到的谐波光的波长控制为所希望的波长。

公开(公告)号：CN1860652A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200580001179.1

申请日：2005-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋 ,  北冈康夫

IPC: H01S5/02 ,  G02F1/37 ,  H01S3/02 ,  H01S3/109 ,  H01S3/23

CPC classification number: G02B1/18 ,  G02B27/0006 ,  G11B7/121 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/1362 ,  G11B7/1395 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0092 ,  H01S3/025 ,  H01S3/0809 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/109 ,  H01S3/2391 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明的课题是提供一种缓和了被射出的波长的限制的相干光源。本发明的相干光源是同时射出第一光(3)、和波长比所述第一光(3)短的第二光(4)的相干光源，具备：至少射出第一光(3)的光源主体；透过或反射第一光(3)的反射镜(5)；和在反射镜(5)的至少一部分设置的功能性膜(6)。功能性膜(6)通过第二光(4)呈现光催化效果。

公开(公告)号：CN1540428A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410028223.5

申请日：1996-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和久 ,  水内公典 ,  北冈康夫 ,  加藤诚

IPC: G02F1/37

CPC classification number: G02F1/37 ,  G02F1/3558 ,  G02F1/3775 ,  G02F2203/60 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/109 ,  H01S3/23 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02 ,  H01S5/40 ,  H01S5/4087

Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。

公开(公告)号：CN1518138A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002946.8

申请日：2004-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峰本尚 ,  木户口勲 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。

公开(公告)号：CN1318760A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：CN01119278.X

申请日：2001-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  横山敏史 ,  山本和久

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/42 ,  G02B6/4219 ,  G02B6/4231 ,  G02F1/37 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/125

Abstract: 将半导体激光器和其一个基板表面上形成光波导的光波导器件设置在一装配件上。该半导体激光器和光波导器件,按照分别具有活性层和形成有光波导的一个表面朝向装配件的方式安装。用带有间隔物的粘合剂将该装配件与半导体激光器或光波导器件组合成一体,间隔物介于其间以保持均匀的间距,由此可自动地进行高度方向的位置调整,并在高精度光耦合的条件下进行安装。于是,得到一种光波导器件集成模块及其制作方法,其中半导体激光器和平面光波导器件以其高度方向的位置受控的方式被高精度地安装。

公开(公告)号：CN101558188B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880001092.8

申请日：2008-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田修 ,  峯本尚 ,  平中弘一 ,  畑山健 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  北冈康夫

IPC: H01L33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L31/03044 ,  C30B9/10 ,  C30B11/12 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。

公开(公告)号：CN101461047B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200780020883.0

申请日：2007-06-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 美浓规央 ,  竹内孝之 ,  北冈康夫

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  C30B7/005 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。

公开(公告)号：CN101203802B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680022220.8

申请日：2006-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 笠澄研一 ,  北冈康夫 ,  水内公典 ,  山本和久

IPC: G03B21/14 ,  G02B27/48 ,  G02F1/13 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B27/149 ,  G02B17/004 ,  G02B26/0808 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0933 ,  G02B27/0944 ,  G02B27/102 ,  G02B27/1046 ,  G02B27/1093 ,  G02B27/145 ,  G03B21/14 ,  G03B21/2033 ,  G03B21/208 ,  G03B33/12 ,  H04N9/3161

Abstract: 本发明提供一种二维图像显示装置、照明光源及曝光装置，其中，二维射束扫描部(2)反射来自红色激光光源(1a)、绿色激光光源(1b)以及蓝色激光光源(1c)的各射出射束，在二维方向上进行扫描；各扩散板(3a、3b、3c)使在二维方向被扫描的各光束扩散并将其导向各空间光调制元件(5a、5b、5c)；各空间光调制元件(5a、5b、5c)根据各色的视频信号来调制各光；分色棱镜(6)将调制后的3种色的光合波后导向投射透镜(7)；将彩色图像显示在投影屏(8)上。由于从射束扫描部射出的二维的光被扩散并照射到空间光调制元件上，因此可以使从扩散部件射出并照射空间光调制元件的射束的光轴不断变化，从而可以有效地抑制斑点噪声。

公开(公告)号：CN1610138B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200410086095.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  峯本尚 ,  木户口勋 ,  塚本和芳

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/02 ,  Y10S438/94 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。

公开(公告)号：CN100567596C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200580005839.3

申请日：2005-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 北冈康夫 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  川原实

IPC: C30B29/36 ,  C01B31/36 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088

Abstract: 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。