-
公开(公告)号：CN113913940B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111226096.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。
-
公开(公告)号：CN114100093B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111321017.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及穿线设备技术领域，具体为一种羽毛球拍穿线装置。一种羽毛球拍穿线装置，包括基本件、填充带，所述基本件中心部分为空心状，采用此种方式进行穿线相较于传统方法的横、纵分别穿线法而言具有每根线的松紧程度可控，实现拍体的战术性的设置，拍体每个位置线体松紧程度不同在击球时可以产生不同的击球效果，从而可以打出难以预料的击球弧线；且由于每根线都是单独设置的，相较于传统穿线设备而言具有更加便捷、更加亲民的特点，传统设备不但体积大，使用繁琐，呈蛇形排列的拍线有一处没有做好便会整体松动，十分不利于没有专业设备的人员使用；传统穿线的末尾处往往需要进行打结收尾。
-
公开(公告)号：CN113879647B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111203174.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器生产加工技术领域，具体为一种传感器贴标设备。一种传感器贴标设备，包括底座，所述底座右侧顶壁上固定连接有固定块，传感器输送装置能够依次将传感器取出，并配合后续机构完成对传感器的贴标遮盖，一改传统输送装置不便逐一输送的问题；孔位确定装置能够使总体呈圆形的传感器持续转动，且对其上的螺丝孔位进行判断后向上摆正，进而保证在后续贴标过程中能够将标签正对孔位进行贴放，从而实现传感器整体美观、和谐的问题，一改传统贴标设备贴标位置随意，人工贴标效率低成本高的问题；辅助装置能够在孔位确定装置完成对传感器的正确摆位后进行贴标与下料，进而保证设备的循环持续工作。
-
公开(公告)号：CN112663139B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011209596.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法。所述不同特殊形貌MoS2晶体材料的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，纳米级MoO3粉末为Mo源，衬底倒扣在粉末上方构建狭小的限域空间，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了不同特殊形貌的MoS2晶体材料，即梯形、平行四边形、不规则平行四边形。所得不同形貌MoS2晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用衬底与材料源之间构建狭小的限域空间，成功实现不同特殊形貌二维MoS2晶体材料的生长，从而有助于进一步研究二维材料的生长理论。
-
公开(公告)号：CN113894045A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111202387.5
申请日：2021-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及网球类运动设备技术领域，具体为一种能够对网球进行分选的捡球推车。一种能够对网球进行分选的捡球推车，包括铲斗，所述铲斗外侧壁面上通过驱动轴与驱动轮转动连接，收拢装置能够驱动收入铲斗内的网球都会向内运动，保证网球运动的必然性，而非在铲斗内随意滚动，进而实现配合后续装置完成对网球分选的目的；分选装置通过对破损球体弹性下降、受压形变后不易复原的特性对球体进而分选，从而实现在将球体全部收集的同时将完整球体进行单独筛出的目的，一改传统捡球设备无法分选破损球体的缺陷，从而大大降低了一些高要求的场所的后续工作量并在节约成本的同时提高了效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113858344A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111020195.2
申请日：2021-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及运动装备生产加工技术领域，具体为一种日直球拍握柄处理装置。一种日直球拍握柄处理装置，包括底板，所述底板上端面固定连接有辅助撑杆、主撑板；所述自适应固定装置不但能够加持拍柄水平件，还能对存在不同起伏的特殊拍柄进行加持，一改传统加持装置水平加持的方式，大大提升了加持的适应能力，能够应对不同形状的拍柄；所述拍柄切除装置能够根据实际弧型槽所需大小调节其位置，从而实现开出不同大小的弧形口，进而实现在实际制造过程开出不同深度槽的目的，一改传统设备较为固定，不能灵活变更开槽尺寸的目的；所述毛刺处理装置一改传统通过二次处理来解决毛刺的弊病，能够配合所述拍柄切除装置一次成型的将切口完美处理。
-
公开(公告)号：CN113815060A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111020243.8
申请日：2021-09-01
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭电(海宁)信息科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及运动装备生产加工技术领域，具体为一种乒乓拍柄无毛刺切割设备。一种乒乓拍柄无毛刺切割设备，包括开口架，所述开口架上侧部分设置有空腔；夹持装置能够通过内部结构增大力矩，从而实现通过人力依然能够完成对拍柄稳定夹持的目的，一改传统拍柄加工过程中为避免夹持不牢固而采用气缸夹持而导致的空间占用与安全距离预留导致的空间浪费，且还大大降低了企业的初期设备成本投入；毛刺处理装置能够在切割刀在切割的同时对毛刺进行处理，从而保证在切割完成时一并完成毛刺去除，一改传统通过后增加工序对切割出的毛刺进行专项处理的方式，且由于切割与毛刺去除为同时进行，故不会存在后续毛刺处理时产生疏漏，从而提升产品合格率。
-
公开(公告)号：CN108559510B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810553661.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明公开了一种高热稳定性磷酸盐荧光粉及其制备方法。该磷酸盐荧光粉的化学表示式为A1‑xRO(PO4)2：xEu3+，其中，A为Y或La，R为V、Nb或Ta，x＝0.001～0.1。本发明磷酸盐荧光粉的制备方法：按A1‑xRO(PO4)2：xEu3+的化学计量比称取相应的原料，所述原料分别为含A的氧化物、含R的氧化物、含[PO4]3‑的化合物和氧化铕，将所述原料的均匀混合物于空气气氛下在高温炉内高温烧结后缓慢冷却至室温，得到磷酸盐荧光粉。本发明此荧光粉具有高的热稳定性，612nm的发射强度从室温25℃到160℃基本维持不变或者高于室温发射强度，200℃发射强度基本能稳定保持在室温时的发射强度的90％以上。
-
-
公开(公告)号：CN111995779A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010841046.1
申请日：2020-08-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法，包括以下步骤：S10，制备改性的聚偏氟乙烯，即MD-PVDF；S20，制备交联的聚偏氟乙烯，即XL-PVDF；S30，制备PVDF/XL-PVDF介电薄膜。本发明提供了一种既能提高介电常数，又使击穿强度不至于大幅下降的，全有机介电薄膜的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.027 seconds)
