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公开(公告)号:CN111995779A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202010841046.1
申请日:2020-08-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法,包括以下步骤:S10,制备改性的聚偏氟乙烯,即MD-PVDF;S20,制备交联的聚偏氟乙烯,即XL-PVDF;S30,制备PVDF/XL-PVDF介电薄膜。本发明提供了一种既能提高介电常数,又使击穿强度不至于大幅下降的,全有机介电薄膜的制备方法。
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