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公开(公告)号：CN113957538B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111226086.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方；向石英管中通入惰性气体，使两温区同时升至目标温度值；硫蒸气被惰性气体输送至与钼箔反应，得到覆盖率不同覆盖率的双层MoS2晶体材料。本发明利用改进的化学气相沉积法，在衬底与金属源之间的倾斜且狭小限域空间构建材料源的梯度浓度分布，从而实现不同覆盖率的双层MoS2晶体材料的制备。
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公开(公告)号：CN113913940A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111226096.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。
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公开(公告)号：CN112663021B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202011209623.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法。采用化学气相沉积法，WO3粉末平铺在金属Mo箔的一端表面，衬底倒扣在金属Mo箔上，与S蒸气反应，在衬底上制备得到了以单层MoS2为顶层、单层WS2为底层的二维WS2/MoS2垂直异质结构。所得二维WS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的三角形，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用纳米级WO3粉末和高纯金属Mo箔片作为W、Mo源，基于Mo、W材料源的蒸发温度不同，以及MoS2和WS2晶体的生长温度不同，成功实现了二维WS2/MoS2垂直异质结构材料的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113957538A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111226086.6
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方；向石英管中通入惰性气体，使两温区同时升至目标温度值；硫蒸气被惰性气体输送至与钼箔反应，得到覆盖率不同覆盖率的双层MoS2晶体材料。本发明利用改进的化学气相沉积法，在衬底与金属源之间的倾斜且狭小限域空间构建材料源的梯度浓度分布，从而实现不同覆盖率的双层MoS2晶体材料的制备。
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公开(公告)号：CN112663139A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011209596.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法。所述不同特殊形貌MoS2晶体材料的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，纳米级MoO3粉末为Mo源，衬底倒扣在粉末上方构建狭小的限域空间，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了不同特殊形貌的MoS2晶体材料，即梯形、平行四边形、不规则平行四边形。所得不同形貌MoS2晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用衬底与材料源之间构建狭小的限域空间，成功实现不同特殊形貌二维MoS2晶体材料的生长，从而有助于进一步研究二维材料的生长理论。
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公开(公告)号：CN112663021A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011209623.1
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法。采用化学气相沉积法，WO3粉末平铺在金属Mo箔的一端表面，衬底倒扣在金属Mo箔上，与S蒸气反应，在衬底上制备得到了以单层MoS2为顶层、单层WS2为底层的二维WS2/MoS2垂直异质结构。所得二维WS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的三角形，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用纳米级WO3粉末和高纯金属Mo箔片作为W、Mo源，基于Mo、W材料源的蒸发温度不同，以及MoS2和WS2晶体的生长温度不同，成功实现了二维WS2/MoS2垂直异质结构材料的生长。
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公开(公告)号：CN113913940B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111226096.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。
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公开(公告)号：CN112663139B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011209596.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种特殊形貌二维硫化钼晶体材料的制备方法。所述不同特殊形貌MoS2晶体材料的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，纳米级MoO3粉末为Mo源，衬底倒扣在粉末上方构建狭小的限域空间，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了不同特殊形貌的MoS2晶体材料，即梯形、平行四边形、不规则平行四边形。所得不同形貌MoS2晶体材料，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用衬底与材料源之间构建狭小的限域空间，成功实现不同特殊形貌二维MoS2晶体材料的生长，从而有助于进一步研究二维材料的生长理论。
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