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公开(公告)号：CN112643038A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011490573.9
申请日：2020-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种气雾化制备核壳结构软磁材料的装置及方法，包括依次连接的真空熔炼系统、气雾化包覆系统和粉末收集室；所述真空熔炼系统包括真空熔炼室，所述真空熔炼室由隔板分割为低熔点金属熔炼系统和高熔点磁性材料熔炼系统，所述真空熔炼室内设有第一真空系统、第一保护气氛气路和第一冷却系统。本发明的装置将制粉和绝缘包覆两个过程合二为一，通过表面能和尺寸效应，在金属或合金粉末表面形成一层均匀的低熔点金属层，与空气氧化成低熔点金属氧化物绝缘层，得到核壳结构软磁材料，该工艺节省能耗，降低成本，可以实现小尺寸，绝缘包覆层厚度为10~100 nm，且分布均匀的粉末大规模工业化制备。
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公开(公告)号：CN112267057A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011115510.5
申请日：2020-10-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁高熵合金技术领域，具体涉及一种软磁高熵合金的制备方法，根据FeCoNi(CuAl)0.8Ga0.06高熵合金的相分离结果确定FeCoNiCuAlGa高熵合金的各组分原子百分比；按照Fe，Co，Ni的原子百分比为10％～30％，Cu的原子百分比为10％～50％，Al的原子百分比为10％～20％，Ga的原子百分比为0.5％～3％称取Fe块、Co块、Ni块、Cu块、Al棒和Ga块作为原料；将原料按照熔点由低到高依次放入水冷铜坩埚中，以高纯氩气作为保护气体进行熔炼，得到母合金锭；采用铜模吸铸将母合金锭制成FeCoNiCuAlGa高熵合金；本发明通过相分离反向设计高熵合金成分，制备的高熵合金磁性能各异，可以兼顾不同的磁性能应用需求，具有优良的塑形和韧性。
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公开(公告)号：CN102623635A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210087237.9
申请日：2012-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器及其制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积二氧化锡薄膜；最后在二氧化锡薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。
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公开(公告)号：CN102623634A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210087229.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器及其制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、掺杂氧化锌薄膜、金属薄膜电极构成，掺杂氧化锌薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后以重掺硅为衬底材料，采用金属锌靶与掺杂金属靶共溅射在衬底上沉积掺杂氧化锌薄膜；最后在掺杂氧化锌薄膜上采用电子束蒸发制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN202523771U
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201220139116.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN209619469U
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201920012267.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种光电化学电池水解制氢的反应装置。本实用新型包括电解池和三电极体系电解装置，三电极体系电解装置包括具有光电响应能力的工作电极、参比电极及对电极；工作电极包括基底、TiO2薄膜、2维材料层和0维光敏材料层。基底采用FTO，TiO2位于基底上，2维材料层位于TiO2薄膜上，0维光敏材料层位于2维材料层上；工作电极通过基底与供电电源的正极和参比电极相连接。本实用新型0维光敏材料层有效增加光阳极的光学活性，拓宽光谱吸收范围，同时有效提高载流子分离。2维材料层作为高导电性的基底负载0维光敏材料层，有效地提高光阳极的电子-空穴对分离效率。电极通过底部支架固定在电解池底部，提高了电解效率。
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公开(公告)号：CN203415538U
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201320408643.0
申请日：2013-07-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01J35/06
Abstract: 本实用新型公开了一种小束斑X射线设备。传统的灯丝电子枪阴极发射点源面积大，电子源尺寸也比较大。本实用新型在X射线密封套筒内装有场发射电子枪阴极装置，所场发射电子枪阴极装置包括连接闪光电源的场发射灯丝，场发射灯丝与场发射电源阳极之间连接场发射电源；场发射灯丝在场发射电源产生的强电场下发射出电子束，电子束通过加速电源向加速电源阳极运动，加速后获得高能量，使其成为高能电子束，高能电子束照射到利用环状靶材冷却水装置冷却的靶上，产生X射线；产生的X射线通过铍窗射出X射线密封套筒。本实用新型使用场发射阴极所产生的束斑尺寸很小的电子束来激发阳极靶材，使X射线的光斑效果能够达到近似点光源效果。
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公开(公告)号：CN203197178U
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201320211520.8
申请日：2013-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B21H7/18
Abstract: 本实用新型公开一种轴上微型槽的步进滚动辊压压印成形装置。现有槽的成型方法成形精度低、成本高、加工效率不高。该装置包括两个结构相同的轧辊装置；轧辊装置包括轧辊轴和环形轧辊，环形轧辊套置在轧辊轴上，并与轧辊轴固定连接，环形轧辊的两端分别设有滚子轴承，滚子轴承通过轴承座固定在机架上，机架与电机驱动的机械手连接；轧辊轴穿过滚子轴承设置，轧辊轴的一端设置有压盖，另一端固定设置有电机驱动的机械手上的一个齿轮，两个轧辊轴通过机械手的齿轮组实现轧辊轴相对转动，进而带动两个环形轧辊相对转动。本实用新型成形效率大幅提高，加工成本大幅下降，且采用渐进成形的模具设计，成形质量高。
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公开(公告)号：CN202523770U
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201220124497.4
申请日：2012-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本实用新型通过采用新型的二氧化锡薄膜作为电阻式随机读取存储器中的阻变层，可以获得良好的电阻转变特性。
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