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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103514896A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310215716.9
申请日：2013-06-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/65 , G11B20/10 , G11B20/1217 , G11B2020/1281 , G11B2220/235 , G11B2220/2516
Abstract: 提供一种磁性记录介质及磁性记录装置。该磁性记录介质具有由取向控制层、下层记录层、中间层、及上层记录层按顺序层叠而成的结构，下层记录层具有比上层记录层高的保磁力，下层记录层包含设置在取向控制层一侧的第1下层记录层、和设置在中间层一侧的第2下层记录层，第1下层记录层具有包含含有Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ的磁性粒子和覆盖磁性粒子周围的氧化物的粒状结构，第2下层记录层具有包含含有Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ的磁性粒子的非粒状结构，下层记录层包含与构成取向控制层的结晶粒子一起在厚度方向连续的柱状晶。该磁性记录介质可在提高记录容量的同时提高记录和再现特性。
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公开(公告)号：CN112102852B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010531584.0
申请日：2020-06-11
Abstract: 提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。
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公开(公告)号：CN108570666A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810106378.8
申请日：2018-02-02
Abstract: 本发明提供薄膜制造装置及方法、磁盘和纳米压印用模具的制造方法，提高在工件的表面上进行制造的薄膜的膜特性。薄膜制造方法包括：将工件配置在腔内的步骤；在将腔内保持为规定的压力的状态下，向腔内供给工艺气体的步骤；向工件的表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的光，由此从工件的表面放出光电子的步骤；以及向工件的表面施加交流电场的步骤。这里，交流电场具有不发生辉光放电等离子体且发生汤逊放电的电场强度。此外，还公开了作为工件准备磁盘的半成品，在该半成品的表面上制造润滑膜的方法、以及作为工件准备纳米压印用模具的半成品，在该半成品的表面上制造脱模层的方法。
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公开(公告)号：CN103514896B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310215716.9
申请日：2013-06-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/65 , G11B20/10 , G11B20/1217 , G11B2020/1281 , G11B2220/235 , G11B2220/2516
Abstract: 提供一种磁性记录介质及磁性记录装置。该磁性记录介质具有由取向控制层、下层记录层、中间层、及上层记录层按顺序层叠而成的结构，下层记录层具有比上层记录层高的保磁力，下层记录层包含设置在取向控制层一侧的第1下层记录层、和设置在中间层一侧的第2下层记录层，第1下层记录层具有包含含有Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ的磁性粒子和覆盖磁性粒子周围的氧化物的粒状结构，第2下层记录层具有包含含有Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ的磁性粒子的非粒状结构，下层记录层包含与构成取向控制层的结晶粒子一起在厚度方向连续的柱状晶。该磁性记录介质可在提高记录容量的同时提高记录和再现特性。
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