公开(公告)号：CN1985361A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200580023556.1

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨剂，该CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，其中，上述水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物以及其盐中的至少一种作为聚合引发剂，而使含有具有不饱和双键的羧酸以及其盐中的至少一种的单体聚合所形成的聚合物。按照本发明，提供一种在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化处理的CMP技术中，可无研磨损伤、有效、高速、均匀且易于控制研磨操作地进行研磨的研磨剂以及研磨方法。

公开(公告)号：CN1610963A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN02826551.3

申请日：2002-10-31

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  深泽正人 ,  佐佐木晶市

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。